溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：vGS對(duì)iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況,，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時(shí)，即使加上漏——源電壓vDS,，而且不論vDS的極性如何,，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài),，漏——源極間沒(méi)有導(dǎo)電溝道,，所以這時(shí)漏極電流iD≈0。② vGS>0 的情況,，若vGS＞0,，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)。電場(chǎng)方向垂直于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場(chǎng),。這個(gè)電場(chǎng)能排斥空穴而吸引電子,。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動(dòng)的受主離子(負(fù)離子),，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子（少子）被吸引到襯底表面,。場(chǎng)效應(yīng)管具有較長(zhǎng)的使用壽命,，可靠性高，降低了設(shè)備的維護(hù)成本,。杭州場(chǎng)效應(yīng)管

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：1,、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,，它們是：柵極；漏極,；源極,。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例),，N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的,，形成了所謂耗盡區(qū),，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,，則漏,、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù),，則溝道變寬,，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,，就是說(shuō),，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。珠海N溝道場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)場(chǎng)效應(yīng)管的使用方法需要注意輸入電壓和功率的限制,，避免損壞器件,。

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管比，它的體積小,，重量輕,，壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高,，噪聲低,、熱穩(wěn)定性好（因?yàn)閹缀踔焕枚嘧訉?dǎo)電）、防輻射能力強(qiáng)以及省電等優(yōu)點(diǎn),，幾乎場(chǎng)效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場(chǎng),。有利就有弊，而場(chǎng)效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）,。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor,，JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)，下面來(lái)具體來(lái)看這兩種管子,。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識(shí)：名稱(chēng),，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(xiě)(FET)），簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET-JFET),，金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）,，由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱(chēng)為單極型晶體管，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。與之對(duì)應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管,，三極管(BJT),，屬于電流控制型半導(dǎo)體器件。

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1,、開(kāi)啟電壓,，開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓,。2,、跨導(dǎo)，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。3,、漏源擊穿電壓,，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項(xiàng)極限參數(shù),，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。4,、較大耗散功率,，較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率,。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量,。5、較大漏源電流,，較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù),，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許經(jīng)過(guò)的較大電流,。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM,。場(chǎng)效應(yīng)管的功耗較低,，可以節(jié)省能源,。

效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)：1.場(chǎng)效應(yīng)管在源極金屬與襯底連在一起時(shí)，源極和漏極可以互換使用,，且特性變化不大,；而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí)，其特性差異很大,，β值將減小很多,。2.場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管,。3.場(chǎng)效應(yīng)管和三極管均可組成各種放大電路和開(kāi)關(guān)電路,，但由于前者制造工藝簡(jiǎn)單,，且具有耗電少，熱穩(wěn)定性好,，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn),，因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。4.三極管導(dǎo)通電阻大,，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小,，只有幾百毫歐姆，在現(xiàn)用電器件上,，一般都用場(chǎng)效應(yīng)管做開(kāi)關(guān)來(lái)用,，他的效率是比較高的。在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，需要注意正確連接其源極,、柵極和漏極，以確保其正常工作,?；葜莺谋M型場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商

場(chǎng)效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源，為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流,，應(yīng)用于精密測(cè)量,、激光器等領(lǐng)域。杭州場(chǎng)效應(yīng)管

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大,。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器,。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3.可以用作可變電阻,。4.可以方便地用作恒流源,。5.可以用作電子開(kāi)關(guān)。6.在電路設(shè)計(jì)上的靈活性大,。柵偏壓可正可負(fù)可零,，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負(fù)偏壓下工作,。另外輸入阻抗高,，可以減輕信號(hào)源負(fù)載，易于跟前級(jí)匹配,。杭州場(chǎng)效應(yīng)管

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