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場效應管注意事項：（1）結型場效應管的柵源電壓不能接反,，可以在開路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場效應管在不使用時,，由于它的輸入電阻非常高,，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞,。（2）焊接時,，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子,。對于少量焊接,，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應管時,，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接,，并且要斷電焊接。（3）用25W電烙鐵焊接時應迅速,，若用45～75W電烙鐵焊接,，應用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結型場效應管可用表電阻檔定性地檢查管子的質量（檢查各PN結的正反向電阻及漏源之間的電阻值）,，而絕緣柵場效管不能用萬用...

效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管在源極金屬與襯底連在一起時,，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大,；而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時,，其特性差異很大,，β值將減小很多。2.場效應管的噪聲系數(shù)很小,，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應管,。3.場效應管和三極管均可組成各種放大電路和開關電路，但由于前者制造工藝簡單,，且具有耗電少,，熱穩(wěn)定性好，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點,，因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中,。4.三極管導通電阻大，場效應管導通電阻小,，只有幾百毫歐姆,，在現(xiàn)用電器件上，一般都用場效應管做開關來用,，他的效率是比較高的,。場效應管在數(shù)字電子電路中的應用日益普遍...

場效應管注意事項：（1）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動,，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時,，應當大于根部尺寸5毫米處進行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。（2）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，較大功率才能達到30W,。（3）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應增加,，使放大器的高頻特性變壞,，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此,，并聯(lián)復合管管子一般不超過4個,，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。使用場效應管時,，應注意其溫度特性,，避免在高溫或低溫環(huán)境下使用影響其性能。嘉興單...

電壓和電流的選擇,。額定電壓越大,，器件的成本就越高,。根據(jù)實踐經驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓,。這樣才能提供足夠的保護,，使MOSFET不 會失效。就選擇MOSFET而言,，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓,，即較大VDS。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變,。不同應用的額定電壓也有所不同,；通常，便攜式設備為20V,、FPGA電源為20～30V,、85～220VAC應用為450～600V。在連續(xù)導通模式下,，MOSFET處于穩(wěn)態(tài),，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件,。一旦確定了這些條件下的較大電流,，只需直接選擇能承受這...

雙柵極場效應管擁有兩個獨特的柵極，這一創(chuàng)新設計極大地拓展了其功能邊界,，使其如同擁有兩個控制開關的精密儀器,。兩個柵極可分別承擔不同的控制任務，例如一個柵極專注于信號輸入,，如同信息的入口,；另一個柵極負責增益控制，能夠根據(jù)信號強度靈活調整放大倍數(shù),。在電視調諧器中,，復雜的電磁環(huán)境中存在著眾多干擾信號，雙柵極場效應管通過一個柵極精細選擇特定頻道的信號,，同時利用另一個柵極有效抑制干擾信號,，并根據(jù)接收到的信號強度實時、靈活地調整增益,。這樣一來,，電視畫面始終保持清晰、穩(wěn)定,，無論是觀看高清的體育賽事直播,，還是欣賞精彩的電影大片，都能為用戶帶來優(yōu)良的視聽體驗,。在廣播電視,、衛(wèi)星通信等領域,，它同樣發(fā)揮著重要作用，保障...

場效應管主要參數(shù)：1,、漏源擊穿電壓,。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項極限參數(shù),，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。2,、較大耗散功率,。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù)，是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率,。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量,。3、較大漏源電流,。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù),，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許經過的較大電流,。場效應管的工作電流不應超越IDSM,。場效應管具有高頻響應特性，適用于高頻,、高速電路,，如雷達、衛(wèi)星通信等,。紹興場效應管供應結型場管腳識別,，場效應管的柵極相...

單極型場效應管在生物醫(yī)學檢測中的應用：生物醫(yī)學檢測對信號檢測精度的要求極高，單極型場效應管在其中發(fā)揮著關鍵作用,。在生物傳感器領域,，例如檢測血糖的傳感器，當血液中的葡萄糖分子與傳感器表面的特定物質發(fā)生反應時,，會產生微弱的電信號,。單極型場效應管憑借其高輸入阻抗的特性，能夠將這種極其微弱的信號高效放大,，且不會因為自身的輸入特性導致信號衰減。在檢測 DNA 等生物分子的傳感器中,，同樣如此,，它能夠保證檢測結果的準確性。在可穿戴式醫(yī)療監(jiān)測設備中,，實時監(jiān)測人體的生理參數(shù),，如心率,、血壓等，單極型場效應管為疾病預防,、診斷提供了可靠的數(shù)據(jù)支持,。醫(yī)生可以根據(jù)這些準確的數(shù)據(jù)，及時發(fā)現(xiàn)潛在的健康問題,，制定科學的治療方案...

下面對MOS失效的原因總結以下六點,，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效）,，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效）,，既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效,。3：體二極管失效：在橋式,、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效,。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中,，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié),，由于人體及設備靜電而導致的器件失效,。6：柵極電壓失效...

下面對MOS失效的原因總結以下六點，然后對1,，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效）,，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效,。2：SOA失效（電流失效）,，既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大,，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效,。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中,，由于體二極管遭受破壞而導致的失效,。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效,。5：靜電失效：在秋冬季節(jié),，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6：柵極電壓失效...

多晶硅金場效應管在物聯(lián)網芯片中的作用：在物聯(lián)網蓬勃發(fā)展的時代,，海量設備需要互聯(lián)互通,，多晶硅金場效應管為物聯(lián)網芯片注入了強大動力,。物聯(lián)網芯片需要在低功耗的前提下，高效處理大量的數(shù)據(jù),。多晶硅金場效應管的穩(wěn)定性與低功耗特性完美契合這一需求,。以智能家居傳感器節(jié)點芯片為例，這些節(jié)點分布在家庭的各個角落,，負責采集溫濕度,、光照、空氣質量等環(huán)境數(shù)據(jù),，并將數(shù)據(jù)準確上傳至云端,。多晶硅金場效應管能夠穩(wěn)定運行數(shù)據(jù)采集與傳輸電路，而且能耗極低,，一顆小小的紐扣電池就能維持設備運行數(shù)年之久,。這不僅保障了物聯(lián)網設備長期穩(wěn)定運行，減少了更換電池的麻煩,，還降低了維護成本,，為構建智能、便捷的生活環(huán)境奠定了基礎,，讓用戶能夠輕松享受智...

雙柵極場效應管擁有兩個獨特的柵極,，這一創(chuàng)新設計極大地拓展了其功能邊界，使其如同擁有兩個控制開關的精密儀器,。兩個柵極可分別承擔不同的控制任務,，例如一個柵極專注于信號輸入，如同信息的入口,；另一個柵極負責增益控制,，能夠根據(jù)信號強度靈活調整放大倍數(shù)。在電視調諧器中,，復雜的電磁環(huán)境中存在著眾多干擾信號,，雙柵極場效應管通過一個柵極精細選擇特定頻道的信號，同時利用另一個柵極有效抑制干擾信號,，并根據(jù)接收到的信號強度實時,、靈活地調整增益。這樣一來,，電視畫面始終保持清晰,、穩(wěn)定，無論是觀看高清的體育賽事直播,，還是欣賞精彩的電影大片,，都能為用戶帶來優(yōu)良的視聽體驗。在廣播電視、衛(wèi)星通信等領域,，它同樣發(fā)揮著重要作用，保障...

功耗低場效應管在電動汽車電池管理系統(tǒng)中的應用：電動汽車的續(xù)航里程和電池壽命很大程度上取決于電池管理系統(tǒng),，功耗低場效應管在其中發(fā)揮著關鍵作用,。電池管理系統(tǒng)需要實時監(jiān)測電池的電壓、電流,、溫度等參數(shù),，精確控制充放電過程，以確保電池的安全和高效使用,。功耗低場效應管應用于系統(tǒng)電路后,，能夠明顯降低自身能耗，減少電池的額外負擔,。同時,，其穩(wěn)定的性能確保了電池狀態(tài)監(jiān)測的準確性，避免因監(jiān)測誤差導致的電池過充,、過放等問題,，從而延長電池使用壽命。這不僅提升了電動汽車的整體性能,，讓用戶無需擔憂續(xù)航問題,，還推動了新能源汽車產業(yè)的發(fā)展，為實現(xiàn)綠色出行,、減少碳排放做出了積極貢獻,。場效應管在電子設備中扮演著關鍵角色。珠海強抗輻...

如果GATE相對于BACKGATE反向偏置,，空穴被吸引到表面,，channel形成了，因此PMOS管的閾值電壓是負值,。由于NMOS管的閾值電壓是正的,，PMOS的閾值電壓是負的，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號,，一個工程師可能說,，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V"， 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V,。場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流,。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小,。較普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體,。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOS...

雙柵極場效應管在衛(wèi)星通信中的功能：衛(wèi)星通信面臨著復雜的電磁環(huán)境，雙柵極場效應管肩負著重要的職責,。衛(wèi)星與地面站通信時,，不僅要接收來自遙遠衛(wèi)星的微弱信號，還要應對宇宙射線,、電離層干擾等諸多挑戰(zhàn),。雙柵極場效應管的雙柵極結構設計精妙，一個柵極專門用于接收微弱的衛(wèi)星信號,，如同敏銳的耳朵,，不放過任何一絲信息；另一個柵極則根據(jù)干擾情況動態(tài)調整增益,，抑制干擾信號,，增強有用信號強度。在衛(wèi)星電視信號傳輸中,，雙柵極場效應管確保信號清晰,，讓用戶能夠收看到高清、流暢的電視節(jié)目,；在衛(wèi)星電話通話中,，保障通話質量，使遠在太空的宇航員與地面指揮中心能夠順暢溝通,。它為全球通信網絡的穩(wěn)定運行提供了有力支撐,，讓信息能夠跨越浩瀚的宇宙...

MOS管的工作原理，在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路,，如圖2漏極原封不動地接負載,，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓,，都能夠接通和關斷負載電流,。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理,。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了,。NMOS管的開路漏極電路，在開關電源應用方面,，這種應用需要MOS管定期導通和關斷,。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關功能,，這些開關交替在電感里存儲能量,，然后把能量釋放給負載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率,，因為頻率越高,，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當于一個導體,。因此,，我們電...

Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate,，如果GATE電壓超過了閾值電壓,，在GATE電介質下就出現(xiàn)了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅,，由電子組成的電流從source通過channel流到drain，總的來說,，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時,，才會有drain電流。在對稱的MOS管中,，對source和drain的標注有一點任意性,，定義上,，載流子流出source,，流入drain,，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了,。有時晶體管上的偏置電壓是不定的,，...

增強型場效應管在智能安防監(jiān)控中的應用：智能安防監(jiān)控系統(tǒng)依賴精確的圖像識別與處理技術,，增強型場效應管在其中發(fā)揮著助力作用,。監(jiān)控攝像頭需要快速處理大量的圖像數(shù)據(jù),，以實現(xiàn)人臉識別,、運動檢測等關鍵功能,。在圖像傳感器電路中，增強型場效應管通過快速控制像素點電荷轉移,，能夠明顯提升圖像采集速度與質量,。例如，在人員密集的公共場所,，攝像頭需要快速捕捉每個人的面部特征,，增強型場效應管能夠確保圖像清晰、準確,，為后續(xù)的人臉識別算法提供優(yōu)良的數(shù)據(jù)基礎,。在安防后端數(shù)據(jù)處理設備中，增強型場效應管用于構建邏輯電路,，能夠高效處理圖像數(shù)據(jù),，實現(xiàn)實時監(jiān)控與預警。一旦發(fā)現(xiàn)異常情況,，如入侵行為或火災隱患,，系統(tǒng)能夠迅速發(fā)出警報，守護家庭...

場效應管的分類：場效應管分結型、絕緣柵型兩大類,。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名,，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名。它們由多數(shù)載流子參與導電,，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導體器件。我們常說的MOS管就是絕緣柵型場效應管中的一種,，它也是應用較普遍的一種,，所以這一節(jié)接下的內容我們主要通過介紹MOS管來了解場效應晶體管。MOSFET有分為增強型和耗盡型兩大類,，增強型和耗盡型每一類又有NMOS和PMOS,，和三極管中的PNP和NPN類似。場效應管需遵循正確的電路連接方式,，通常包括源極,、柵極和漏極三個引腳，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓,。佛山小噪音場效應管...

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電,、短路、斷路,、放大,。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。1,、把連接柵極和源極的電阻移開,，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大,，則MOS管漏電,，不變則完好。2,、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來,，假如指針立刻返回無限大，則MOS完好,。3,、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上,，好的表針指示應該是無限大,。4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,，然后把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上,，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,，產生柵...

高穩(wěn)定場效應管在金融交易系統(tǒng)中的價值：金融交易系統(tǒng)對穩(wěn)定性與準確性的要求近乎苛刻,，高穩(wěn)定場效應管在其中具有不可替代的價值。在高頻交易服務器中,，每秒鐘要處理海量的交易數(shù)據(jù),，交易指令的響應速度和準確性直接關系到交易的成敗和金融市場的穩(wěn)定。高穩(wěn)定場效應管確保電路在長時間高負載運行下,，信號處理始終穩(wěn)定,，不會出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失或錯誤。在毫秒級的交易響應時間里,，依賴的正是高穩(wěn)定場效應管的穩(wěn)定性能,。無論是期貨交易還是外匯交易，它都保障了金融市場交易的公平,、高效進行，維護了金融體系的穩(wěn)定運行,。任何微小的波動都可能引發(fā)市場的連鎖反應,，高穩(wěn)定場效應管就像金融市場的穩(wěn)定器，為經濟的平穩(wěn)發(fā)展保駕護航,。場效應管的優(yōu)勢之一是具...

場效應管工作原理用一句話說,，就是“漏極-源極間流經溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓進行控制”,。更正確地說,，ID流經通路的寬度，即溝道截面積,，它是由pn結反偏的變化,，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴展因為不很大,，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,，即從漏極向源極有電流ID流動,。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷,。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷,。場效應管的類型包括N溝道和P溝道兩種,，可以根據(jù)具體需求選擇,。深圳單極型場效應管廠家精選場效應管主要參...

耗盡型場效應管在功率放大器中的優(yōu)勢：功率放大器的使命是高效放大信號功率，耗盡型場效應管在這方面具備獨特的優(yōu)勢,。在無線通信基站的功率放大器中,，信號強度變化范圍大，需要放大器在大信號輸入時仍能保持線性放大,，以避免信號失真,。耗盡型場效應管能夠提供穩(wěn)定的偏置電流，確保放大器在不同信號強度下都能正常工作,。相較于其他器件,，它能有效減少信號失真，提高功率轉換效率,，降低基站的能耗,。同時，耗盡型場效應管良好的散熱性能保證了其在長時間大功率工作時的穩(wěn)定性,。無論是偏遠山區(qū)的基站,，還是城市密集區(qū)域的基站，都能保障覆蓋范圍內通信質量穩(wěn)定,，為用戶提供流暢的通信服務,，讓人們隨時隨地都能暢享清晰、穩(wěn)定的通話和高速的數(shù)據(jù)傳輸,。...

場效應管工作原理用一句話說,，就是“漏極-源極間流經溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓進行控制”,。更正確地說,，ID流經通路的寬度，即溝道截面積,，它是由pn結反偏的變化,，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴展因為不很大,，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,，即從漏極向源極有電流ID流動,。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷,。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷,。場效應管也可以用作開關,，可以控制電路的通斷,。溫州氧化物場效應管場效應管由源極（Source）、漏極（...

MOS場效應管電源開關電路,，MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上,，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上,。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。場效應管可通過控制柵極電壓來調節(jié)輸...

這些電極的名稱和它們的功能有關,。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關,。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過,。如果受一個加上的電壓影響,，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵,、漏、源極所在的半導體的塊體,。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連,，根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時連在一起,，因為有時源也連在電路中較高或較低的電壓上,。當然有時一些電路中FET并沒有這樣的結構，比如級聯(lián)傳輸電路和串疊式電路,。在選型場效應管時,，需要考慮其工作溫度范圍、最大耗散功率和靜態(tài)特性等參數(shù),。珠海小噪音場效應管開關時間：場效應管從完全關閉到完全導通（或相反）所需的時間,。柵極驅...

這些電極的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關,。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道,，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響,，電子流將從源極流向漏極,。體很簡單的就是指柵,、漏、源極所在的半導體的塊體,。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連,，根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時連在一起,，因為有時源也連在電路中較高或較低的電壓上,。當然有時一些電路中FET并沒有這樣的結構，比如級聯(lián)傳輸電路和串疊式電路,。場效應管可以通過串聯(lián)或并聯(lián)的方式實現(xiàn)更復雜的電路功能,。廣州多晶硅金場效應管市價場效應管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部...

場效應管由于它只靠半導體中的多數(shù)載流子導電,，又稱單極型晶體管,。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET,。場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類,。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型,，結型場效應管均為耗盡型,，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的,。場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管,，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類,。場效應管在數(shù)字電子電路中的應用日益普遍,，可以用于高速通訊、計算機處理和控制系統(tǒng)中,。珠海場效應管市場價格開關時間：場效應管從...

SOA失效（電流失效）再簡單說下第二點,，SOA失效，SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面,，造成瞬時局部發(fā)熱而導致的破壞模式,。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累,，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式,。關于SOA各個線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON,。3：受限于器件較大的耗散功率,。4：受限于較大單個脈沖電流。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū),。我們電源上的MOSFET,，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內,，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導致的電源失效問題的產生。這個是一個非典型...

電極,，所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）、源極（source）三個端,，分別大致對應BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外,，所有的FET也有第四端,，被稱為體（body）、基（base）,、塊體（bulk）或襯底（substrate）,。這個第四端可以將晶體管調制至運行；在電路設計中,，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當物理設計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長度（length）L,，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍,，在圖中和橫截面垂直,。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制較高頻率約...

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設計的問題,，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),，而不是在開關狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因,。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V,，才能完全導通,，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,，等效直流阻抗比較大,，壓降增大，所以U*I也增大,，損耗就意味著發(fā)熱,。這是設計電路的較忌諱的錯誤。2.頻率太高,，主要是有時過分追求體積,，導致頻率提高,，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了,。3.沒有做好足夠的散熱設計,，電流太高，MOS管標稱的電流值,，一般需要良好的散熱才能達到,。所以ID小于較大電流，也可能發(fā)熱嚴重,，需要足夠的輔助散熱片,。4.MOS管的選型有誤...