漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚,，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS,，因而這里溝道較薄,。但當vDS較小（vDS 隨著vDS的增大,，靠近漏極的溝道越來越薄,，當vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時，溝道在漏極一端出現(xiàn)預夾斷,，如圖2(b)所示,。再繼續(xù)增大vDS,，夾斷點將向源極方向移動，如圖2(c)所示,。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),，故iD幾乎不隨vDS增大而增加，管子進入飽和區(qū),，iD幾乎只由vGS決定,。MOSFET有三個電極：柵極、漏極和源極,。中山N溝道場效應管供應商

場效應管（Field-Effect Transistor,，簡稱FET）是電子技術中普遍使用的一種半導體器件，具有高輸入阻抗,、噪聲低和低功耗等優(yōu)點,。場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大,。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器,。二,、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。三,、場效應管可以用作可變電阻。四,、場效應管可以方便地用作恒流源,。五、場效應管可以用作電子開關,?？偨Y場效應管在電子應用中非常普遍，了解基礎知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了,。深圳小噪音場效應管市場價格隨著半導體技術的不斷發(fā)展,，場效應管性能不斷提升，有望在更多領域發(fā)揮重要作用,。

下面對MOS失效的原因總結以下六點,，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效）,，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大,，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式,、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中,，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中,，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效,。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效,。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰,，而導致柵極柵氧層失效。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在,，這不是我們需要的,，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些,，但沒有辦法避免,，后邊再詳細介紹。在MOS管原理圖上可以看到,，漏極和源極之間有一個寄生二極管,。這個叫體二極管，在驅動感性負載（如馬達）,，這個二極管很重要,。可以在MOS管關斷時為感性負載的電動勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞,。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在,，在集成電路芯片內部通常是沒有的,。場效應管具有體積小、重量輕的優(yōu)點,，便于在緊湊的電子設備中使用,。

在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次,，VGS向負的方向變化,，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài),。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分,，這更使電流不能流通,。場效應管的使用方法包括選擇合適的工作點和電源電壓，以及連接正確的外部電路,?；葜莅雽w場效應管制造

場效應管的表示特性是輸入電阻高、輸入電容小,、開關速度快和功耗低,。中山N溝道場效應管供應商

導通電阻（R_DS(on)）：場效應管導通時的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗,，較小的導通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅動能力,。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應管能夠承受的較大電流，超過這個電流值可能會導致器件過熱,、性能退化甚至長久損壞,。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應管能夠承受的較大電壓。超過這個電壓值可能會導致場效應管的擊穿,、熱損傷或其他形式的損壞,。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容。它影響了信號的傳輸速度和開關過程中的電荷存儲,。中山N溝道場效應管供應商

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