MOS管的工作原理,，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載,，叫開(kāi)路漏極,，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流,。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件,。這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開(kāi)關(guān)使用的電路形式比較多了,。NMOS管的開(kāi)路漏極電路,，在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。比如,，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量,，然后把能量釋放給負(fù)載,。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高,，磁性元件可以更小更輕,。在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體,。因此,，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗。場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓對(duì)其導(dǎo)電性能有明顯影響,，通過(guò)調(diào)節(jié)柵極電壓可以控制電路的輸出,。中山半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管加工

內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們?cè)倏紤]了，一般大于1A電流會(huì)考慮外置MOSFET.為了獲得到更大,、更靈活的LED功率能力,，外置MOSFET是獨(dú)一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動(dòng)能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù),。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容,。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān),，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動(dòng)能力 Rg選擇在10-20Ω左右,。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動(dòng)可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動(dòng)走線不是直線,，感量可能會(huì)更大,并且為了防止外部干擾,，還是要使用Rg驅(qū)動(dòng)電阻進(jìn)行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個(gè)電阻要盡量靠近MOSFET的柵極,。惠州MOS場(chǎng)效應(yīng)管制造商場(chǎng)效應(yīng)管雖然體積小,，但在現(xiàn)代電子技術(shù)中的作用不可忽視,。

溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：vGS對(duì)iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié),。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時(shí),，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何,，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài),，漏——源極間沒(méi)有導(dǎo)電溝道，所以這時(shí)漏極電流iD≈0,。② vGS>0 的情況,，若vGS＞0，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng),。電場(chǎng)方向垂直于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場(chǎng),。這個(gè)電場(chǎng)能排斥空穴而吸引電子。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥,，剩下不能移動(dòng)的受主離子(負(fù)離子),，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子（少子）被吸引到襯底表面,。

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管,；（1）結(jié)構(gòu)，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,，分別作漏極d和源極s,。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g,。襯底上也引出一個(gè)電極B,，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好),。它的柵極與其它電極間是絕緣的,。MOSFET是最常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)管，其優(yōu)勢(shì)在于高輸入電阻和低功耗,。

合理的熱設(shè)計(jì)余量,，這個(gè)就不多說(shuō)了，各個(gè)企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了,，不行就加散熱器,。MOSFET發(fā)熱原因分析，做電源設(shè)計(jì),，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路,，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,，也有很多作用,。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用,。無(wú)論N型或者P型MOS管,，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流,。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性,，不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,，MOS管的開(kāi)關(guān)速度應(yīng)該比三極管快,。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動(dòng)，具有與電阻不同的工作方式,。上海VMOS場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管還具有低輸出阻抗,，可以提供較大的輸出電流。中山半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管加工

場(chǎng)效應(yīng)管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成,。在JFET中，柵極和通道之間通過(guò)PN結(jié)隔離,；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí),，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動(dòng)。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)始導(dǎo)電的較小柵極電壓,。閾值電壓是場(chǎng)效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過(guò)渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當(dāng)柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài),，通道不導(dǎo)電,；當(dāng)VGS超過(guò)Vth時(shí)，通道形成,，電流開(kāi)始流動(dòng),。中山半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管加工

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