雪崩失效的預防措施，雪崩失效歸根結底是電壓失效,，因此預防我們著重從電壓來考慮,。具體可以參考以下的方式來處理。1：合理降額使用,，目前行業(yè)內的降額一般選取80%-95%的降額,，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關注點進行選取。2：合理的變壓器反射電壓,。合理的RCD及TVS吸收電路設計,。4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結構,，盡量減少布線寄生電感,。5：選擇合理的柵極電阻Rg。6：在大功率電源中,，可以根據(jù)需要適當?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進行吸收,。場效應管的體積小，適合集成在微型電子設備中,。中山小噪音場效應管供應

內置MOSFET的IC當然 不用我們再考慮了,，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力,，外置MOSFET是獨一的選擇方式,，IC需要合適 的驅動能力,MOSFET輸入電容是關鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結電容,。一般IC的PWM OUT輸出內部集成了限流電阻,，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅動輸出能力有關，可以近似認為R=Vcc/Ipeak.一般結合IC驅動能力 Rg選擇在10-20Ω左右,。一般的應用中IC的驅動可以直接驅動MOSFET,，但是考慮到通常驅動走線不是直線，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾,，還是要使用Rg驅動電阻進行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極,。廣州柵極場效應管使用場效應管時需注意靜電防護，防止損壞敏感的柵極,。

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET,。溝道的選擇,。為設計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET,。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地,，而負載連接到干線電 壓上時,，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,，應采用N溝道MOSFET,，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到 總線及負載接地時,，就要用高壓側開關,。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅動的考慮,。

MOSFET管基本結構與工作原理：mos管學名是場效應管,，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型,。本文就結構構造,、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述,。MOS場效應三極管分為：增強型（又有N溝道,、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）,。N溝道增強型MOSFET的結構示意圖和符號見上圖,。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極,；電極 G（Gate） 稱為柵極,，相當于的基極；電極 S（Source）稱為源極,，相當于發(fā)射極,。場效應管具有很高的耐壓特性，可承受較高的電壓,，適用于高壓電路,。

場效應晶體管：截止區(qū)：當 UGS 小于開啟電壓 UGSTH時，MOS 不導通,?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小，I_DID 隨UDS 增大而增大,。恒流區(qū)：UDS 變化,，I_DID 變化很小。擊穿區(qū)：UDS 達到一定值時,，MOS 被擊穿,，I_DID 突然增大,，如果沒有限流電阻，將被燒壞,。過損耗區(qū)：功率較大,，需要加強散熱，注意較大功率,。場效應管主要參數(shù),。場效應管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運用時主要關注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）,、跨導gm,、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。場效應管利用輸入電場控制輸出電流,，因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點。中山小噪音場效應管供應

場效應管在功率電子領域具有重要作用,，如變頻器,、逆變器等，提高電能轉換效率,。中山小噪音場效應管供應

絕緣柵場效應管：1,、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結構形式，它們是N溝道型和P溝道型,。無論是什么溝道,，它們又分為增強型和耗盡型兩種。2,、它是由金屬,、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管,，簡稱MOS場效應管,。3、絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管為例)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少,，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況,，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時,，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷,，這些負電荷把高滲雜質的N區(qū)接通，形成了導電溝道,，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID,。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變,，導電溝道的寬窄也隨之而變,，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。中山小噪音場效應管供應

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