以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇,，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小,。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個二極管,。當(dāng)瀉放電阻過小,，由于走線電感的原因也會引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會在這個二極管上串一個小電阻)，但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰,。估算導(dǎo)通損耗,、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時候,，就可以參考前文所指出的方法。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍,，遠非一兩篇文章可以概括,。在進行場效應(yīng)管電路調(diào)試時，應(yīng)逐步調(diào)整柵極電壓,，觀察輸出變化,，以確保電路性能達到預(yù)期。深圳P溝道場效應(yīng)管供應(yīng)

mos管,，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管,，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體，MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,，這樣的器件被認為是對稱的。MOS電容的特性能被用來形成MOS管,，Gate,，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域,。其中一個稱為source,，另一個稱為drain，假設(shè)source 和backgate都接地,，drain接正電壓,，只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel,?；葜莅雽?dǎo)體場效應(yīng)管制造商場效應(yīng)管有三種類型，分別是MOSFET,、JFET和IGBT,，它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域。

在二極管加上正向電壓（P端接正極,，N端接負極）時,，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過,。這是因為在P型半導(dǎo)體端為正電壓時,，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運動，從而形成導(dǎo)通電流,。同理,，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時,，這時在P型半導(dǎo)體端為負電壓,，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,，電子不移動,，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止,。在柵極沒有電壓時,，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過,，此時場效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)（圖7a）,。當(dāng)有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極上時，由于電場的作用,，此時N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極,，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導(dǎo)體中,，從而形成電流,，使源極和漏極之間導(dǎo)通?？梢韵胂駷閮蓚€N型半導(dǎo)體之間為一條溝,，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定,。

我們經(jīng)?？碝OS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,，對開關(guān)應(yīng)用來說,，RDS(ON)也是較重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動)電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),，但對于充分的柵極驅(qū)動,，RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱,。另外,，慢慢升高的結(jié)溫也會導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù),，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力,。RθJC的較簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗,。MOSFET適用于各種電路中的信號放大，功率放大和開關(guān)控制等應(yīng)用,。

雪崩失效的預(yù)防措施，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效,，因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮,。具體可以參考以下的方式來處理。1：合理降額使用,，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點進行選取。2：合理的變壓器反射電壓,。合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計,。4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結(jié)構(gòu),，盡量減少布線寄生電感,。5：選擇合理的柵極電阻Rg。6：在大功率電源中,，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進行吸收,。場效應(yīng)管具有體積小、重量輕的優(yōu)點,，便于在緊湊的電子設(shè)備中使用,。中山單極型場效應(yīng)管批發(fā)

場效應(yīng)管在數(shù)字電子電路中的應(yīng)用日益普遍，可以用于高速通訊,、計算機處理和控制系統(tǒng)中,。深圳P溝道場效應(yīng)管供應(yīng)

場效應(yīng)管注意事項：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器,、工作臺,、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時,，先焊源極；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時,，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當(dāng)然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵,，焊接場效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意,。深圳P溝道場效應(yīng)管供應(yīng)

深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個不斷銳意進取,，不斷制造創(chuàng)新的市場高度,，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑,，成績讓我們喜悅,，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志,，和諧溫馨的工作環(huán)境,，富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新，勇于進取的無限潛力,，深圳市南科功率半導(dǎo)體供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來,，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜,，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍,，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備,，要不畏困難,，激流勇進，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家,，共同走向輝煌回來,！