場效應(yīng)管主要參數(shù)：1、漏源擊穿電壓,。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,，場效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS,。2、較大耗散功率,。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運用時場效應(yīng)管實踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量,。3,、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管正常工作時,，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流,。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。避免將場效應(yīng)管的柵極與其它電極短路,，以免損壞器件,。同時，注意防止靜電對場效應(yīng)管造成損害,。東莞多晶硅金場效應(yīng)管制造

場效應(yīng)管注意事項：（1）為了安全使用場效應(yīng)管,，在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率，較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值,。（2）各類型場效應(yīng)管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中,，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性,。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓,；P溝道管柵極不能加負偏壓,，等等。（3）MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,，所以在運輸,、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿,。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),，保存時較好放在金屬盒內(nèi),，同時也要注意管的防潮?；葜萁Y(jié)型場效應(yīng)管加工選型場效應(yīng)管時需考慮工作頻率,、功率需求等因素。

現(xiàn)在的高清,、液晶,、等離子電視機中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管,，使整機的效率,、可靠較大程度上提高，故障率大幅的下降,。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu),、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別，所以在應(yīng)用上，它的驅(qū)動電路比晶體三極管復(fù)雜,。所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）、源極（source）三個端,，分別大致對應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。

VMOS場效應(yīng)管,，VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效,、功率開關(guān)器件,。它不只繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動電流?。ㄗ笥?.1μA左右）,，還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）,、輸出功率高（1～250W）,、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性,。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器,、開關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用,。場效應(yīng)管具有較長的使用壽命，可靠性高,，降低了設(shè)備的維護成本。

場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名,。場效應(yīng)管（fet）是電場效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小,，具有輸入阻抗高,、噪聲低、熱穩(wěn)定性好,、制造工藝簡單等特點,，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。場效應(yīng)器件憑借其低功耗,、性能穩(wěn)定,、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的,，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護二極管,，但稍不注意，也會損壞,。所以在應(yīng)用中還是小心為妙,。場效應(yīng)管的價格相對較低，適合大規(guī)模生產(chǎn),。珠海小噪音場效應(yīng)管價格

場效應(yīng)管的體積小,，適合集成在微型電子設(shè)備中。東莞多晶硅金場效應(yīng)管制造

如果GATE相對于BACKGATE反向偏置,，空穴被吸引到表面,，channel形成了，因此PMOS管的閾值電壓是負值,。由于NMOS管的閾值電壓是正的,，PMOS的閾值電壓是負的，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號,，一個工程師可能說,，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V"， 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V,。場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流,。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小,。較普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體,。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）,。因為MOS管更小更省電,，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。東莞多晶硅金場效應(yīng)管制造

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