對比：場效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管的源極s,、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發(fā)射極e,、基極b、集電極c,，它們的作用相似,。2.場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小,，因此場效應管的放大能力較差,；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC,。3.場效應管柵極幾乎不取電流（ig»0）,；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高,。4.場效應管是由多子參與導電,；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度,、輻射等因素影響較大,，因而場效應管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強,。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效應管,。場效應管的類型包括N溝道和P溝道兩種，可以根據(jù)具體需求選擇,。珠海P溝道場效應管廠家

Drain和backgate之間的PN結反向偏置,，所以只有很小的電流從drain流向backgate，如果GATE電壓超過了閾值電壓,，在GATE電介質下就出現(xiàn)了channel,。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從source通過channel流到drain,，總的來說,，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流,。在對稱的MOS管中,，對source和drain的標注有一點任意性，定義上,，載流子流出source,，流入drain，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了,。有時晶體管上的偏置電壓是不定的,，兩個引線端就會互相對換角色，這種情況下,，電路設計師必須指定一個是drain另一個是source,。珠海場效應管現(xiàn)貨直發(fā)場效應管是一種半導體器件，通過外部電場調節(jié)電導,。

MOSFET的特性和作用：MOS管導作用,，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在,，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導致源source和drain是可以對調的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的,。目前在市場應用方面,，排名頭一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板,、NB,、計算機類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品,，隨著國情的發(fā)展計算機主板,、計算機類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了,。第三的就屬網(wǎng)絡通信,、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設備領域了,，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的,，特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了。

場效應管主要參數(shù)：一,、飽和漏源電流,。飽和漏源電流IDSS：是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流,。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。三、開啟電壓,。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中,，使漏源間剛導通時的柵極電壓。四,、跨導,。跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權衡場效應管放大才能的重要參數(shù),。場效應管有三種類型,，分別是MOSFET,、JFET和IGBT，它們各自具有不同的特性和應用領域,。

導通電阻（R_DS(on)）：場效應管導通時的漏極與源極之間的電阻,。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗，較小的導通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅動能力,。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應管能夠承受的較大電流,，超過這個電流值可能會導致器件過熱、性能退化甚至長久損壞,。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應管能夠承受的較大電壓,。超過這個電壓值可能會導致場效應管的擊穿、熱損傷或其他形式的損壞,。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容,。它影響了信號的傳輸速度和開關過程中的電荷存儲。確保場效應管的散熱問題,，提高其穩(wěn)定性和可靠性,。中山小噪音場效應管供應商

在安裝場效應管時，要確保其散熱良好,，避免過熱導致性能下降或損壞,。珠海P溝道場效應管廠家

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管，制造非對稱晶體管有很多理由,，但所有的較終結果都是一樣的,，一個引線端被優(yōu)化作為drain，另一個被優(yōu)化作為source,，如果drain和source對調,，這個器件就不能正常工作了。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,，或NMOS,。P-channel MOS管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管,。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置,，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面,。硅的表面就積累,，沒有channel形成。珠海P溝道場效應管廠家