MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些,，但沒(méi)有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹,。在MOS管原理圖上可以看到,，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管,，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（如馬達(dá)）,，這個(gè)二極管很重要?？梢栽贛OS管關(guān)斷時(shí)為感性負(fù)載的電動(dòng)勢(shì)提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞,。順便說(shuō)一句,，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒(méi)有的,。場(chǎng)效應(yīng)管有三種類型,，分別是MOSFET、JFET和IGBT,，它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域,。湖州結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

雪崩失效分析（電壓失效），底什么是雪崩失效呢,，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓,、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,，導(dǎo)致的一種失效模式,。簡(jiǎn)而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過(guò)其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見(jiàn)的失效模式。下面的圖片為雪崩測(cè)試的等效原理圖,，做為電源工程師可以簡(jiǎn)單了解下,。可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對(duì)我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析,，大多數(shù)廠家都光給一個(gè)EAS.EOS之類的結(jié)論,，那么到底我們?cè)趺磪^(qū)分是否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試失效的器件圖,，我們可以進(jìn)行對(duì)比從而確定是否是雪崩失效,。湖州結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在進(jìn)行場(chǎng)效應(yīng)管電路調(diào)試時(shí)，應(yīng)逐步調(diào)整柵極電壓,，觀察輸出變化,，以確保電路性能達(dá)到預(yù)期。

如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置,，空穴被吸引到表面,，channel形成了，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值,。由于NMOS管的閾值電壓是正的,，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào),，一個(gè)工程師可能說(shuō)，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V",， 實(shí)際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V,。場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體,，所以FET管的GATE電流非常小,。較普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體,。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）,。因?yàn)镸OS管更小更省電,，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

電壓和電流的選擇,。額定電壓越大,，器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓,。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOSFET不 會(huì)失效,。就選擇MOSFET而言,，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS,。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī) 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變,。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常,，便攜式設(shè)備為20V,、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V,。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件,。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)較大電流的器件便可,。IGBT結(jié)合了場(chǎng)效應(yīng)管和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn),，適用于高電壓和高頻率的場(chǎng)合。

MOS管的工作原理,，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路,，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開(kāi)路漏極,，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓,，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件,。這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理,。當(dāng)然MOS管做開(kāi)關(guān)使用的電路形式比較多了。NMOS管的開(kāi)路漏極電路,，在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用方面,，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能,，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量,，然后把能量釋放給負(fù)載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率,，因?yàn)轭l率越高,，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間,，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體,。因此，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗,。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作放大器,，可以放大輸入信號(hào)的幅度。珠海功耗低場(chǎng)效應(yīng)管制造

場(chǎng)效應(yīng)管有多種類型,，如JFET,、MOSFET等，滿足不同應(yīng)用需求,。湖州結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名，場(chǎng)效應(yīng)管[2]是常見(jiàn)的電子元件,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小,、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成,、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來(lái)（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）,，1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，從而大部分代替了JFET,，對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義,。湖州結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管