場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名,，場(chǎng)效應(yīng)管[2]是常見的電子元件,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小,、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成,、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),。場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來(lái)（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管），1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，從而大部分代替了JFET,，對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，應(yīng)注意其溫度特性,，避免在高溫或低溫環(huán)境下使用影響其性能。肇慶半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管廠商

MOSFET管基本結(jié)構(gòu)與工作原理：mos管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,，屬于絕緣柵型,。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn),、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述,。MOS場(chǎng)效應(yīng)三極管分為：增強(qiáng)型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道,、P溝道）,。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極,，相當(dāng)雙極型三極管的集電極,；電極 G（Gate） 稱為柵極，相當(dāng)于的基極,；電極 S（Source）稱為源極,，相當(dāng)于發(fā)射極。南京氧化物場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管利用電場(chǎng)控制載流子的流動(dòng),，通過(guò)改變柵極電壓,，控制源極和漏極之間的電流。

電壓和電流的選擇,。額定電壓越大,，器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓,。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOSFET不 會(huì)失效,。就選擇MOSFET而言,，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS,。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī) 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變,。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常,，便攜式設(shè)備為20V,、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V,。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件,。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)較大電流的器件便可。

場(chǎng)效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,，又稱單極型晶體管,。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫成FET,。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類,。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種,；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型,，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強(qiáng)型的,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型,；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類,。選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)考慮其耐壓,、耐流等參數(shù),，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。

開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓,，用VT表示,。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí)，不能形成導(dǎo)電溝道,，管子處于截止?fàn)顟B(tài),。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí)，才有溝道形成,。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管,。溝道形成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS,，就有漏極電流產(chǎn)生,。vDS對(duì)iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時(shí)，漏——源電壓vDS對(duì)導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相似,。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,，只不過(guò)導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣,。場(chǎng)效應(yīng)管在高頻電路中表現(xiàn)出色，能夠保持較低的失真和較高的效率,。肇慶半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管廠商

場(chǎng)效應(yīng)管制造工藝成熟,，產(chǎn)量大，成本低，有利于大規(guī)模應(yīng)用,。肇慶半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管廠商

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小,，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電溝道出現(xiàn),，如圖1(b)所示,。vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多,，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí),，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通,，在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道,，其導(dǎo)電類型與P襯底相反，故又稱為反型層,，如圖1(c)所示,。vGS越大，作用于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)就越強(qiáng),，吸引到P襯底表面的電子就越多,，導(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小,。肇慶半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管廠商