MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用,，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的,。目前在市場應(yīng)用方面,，排名頭一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板,、NB,、計算機類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品,，隨著國情的發(fā)展計算機主板,、計算機類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了,。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信,、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的,，特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了。場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,，可以控制電流的流動,。佛山增強型場效應(yīng)管廠家直銷

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小,、功耗低,、動態(tài)范圍大、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者,。深圳柵極場效應(yīng)管定制價格場效應(yīng)管的優(yōu)勢在于低噪聲,、高放大倍數(shù)和低失真,，適用于高要求的音頻放大電路中。

場效應(yīng)管應(yīng)用場景：電路主電源開關(guān),，完全切斷,，低功耗省電。大功率負(fù)載供電開關(guān),，如：電機,，太陽能電池充電\放電，電動車電池充電逆變器SPWM波升壓部分功率電路,；功放,，音響的功率線性放大電路；數(shù)字電路中用于電平信號轉(zhuǎn)換,；開關(guān)電源中,，高頻大功率狀態(tài)；用于LED燈的恒流驅(qū)動電路,；汽車,、電力、通信,、工業(yè)控制,、家用電器等。MOS管G,、S,、D區(qū)分以及電流流向。MOS管G,、S、D表示什么,？G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極,。MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,。N溝道的電源一般接在D,，輸出S，P溝道的電源一般接在S,，輸出D,。

對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般取（400～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合,，因信號頻率相對載波頻率太高的話,，相對延時太多，且所需驅(qū)動功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,，故100kHz以上開關(guān)頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合,，它是一種良好的驅(qū)動電路,。該電路具有以下特點：單電源工作，控制信號與驅(qū)動實現(xiàn)隔離,，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小,，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。來看這個電路,，控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電,。此電路中，源漏兩端沒有接反,，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大,，R113控制柵極的常態(tài)，將R113上拉為高,，截至PMOS,，同時也可以看作是對控制信號的上拉，當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時,，即輸出為開漏時,，并不能驅(qū)動PMOS關(guān)閉，此時,，就需要外部電壓給予的上拉,，所以電阻R113起到了兩個作用。R110可以更小,，到100歐姆也可,。場效應(yīng)管是一種重要的半導(dǎo)體器件，它利用電場效應(yīng)控制電流,，實現(xiàn)電路的開關(guān)和放大功能,。

場效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管,。FET 英文為Field Effect Transistor,，簡寫成FET。場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類,。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種,；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強型的,。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型,；P溝耗盡型和增強型四大類,。在使用場效應(yīng)管時，需要注意避免靜電放電,，以免損壞器件,。惠州結(jié)型場效應(yīng)管價位

在設(shè)計電路時,，應(yīng)根據(jù)實際需求選擇合適的場效應(yīng)管類型,，以實現(xiàn)較佳的性能和效果。佛山增強型場效應(yīng)管廠家直銷

組成,，F(xiàn)ET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成,，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造,，使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū),，或者溝道。大部分的不常見體材料,，主要有非晶硅,、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機場效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體,。有機場效應(yīng)晶體管基于有機半導(dǎo)體,，常常用有機柵絕緣體和電極。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管,，也稱雙極型晶體管,、晶體三極管，是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,， 也用作無觸點開關(guān)。佛山增強型場效應(yīng)管廠家直銷