MOS場效應(yīng)管,，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型,。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管,。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型,、耗盡型,。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指,，當(dāng)VGS=0時即形成溝道,，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道,，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉(zhuǎn)向截止。場效應(yīng)管的優(yōu)勢之一是具有高輸入阻抗,，可以減少對輸入信號源的負(fù)載,。常州場效應(yīng)管價格

增強(qiáng)型場效應(yīng)管的工作機(jī)制充滿智慧。在常態(tài)下,，其溝道如同關(guān)閉的閥門,，處于截止?fàn)顟B(tài)，沒有電流通過,。而當(dāng)柵源電壓逐漸升高并達(dá)到特定的開啟閾值時,，如同閥門被打開，溝道迅速形成,，電流得以順暢導(dǎo)通,。這種獨(dú)特的特性使其在數(shù)字電路領(lǐng)域成為構(gòu)建邏輯控制的元件。在微控制器芯片里,，二進(jìn)制數(shù)字信號以 0 和 1 的形式存在,，通過對增強(qiáng)型場效應(yīng)管導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)的精確控制，就像搭建積木一樣,，能夠構(gòu)建出復(fù)雜的邏輯電路,。比如加法器，它能快速準(zhǔn)確地完成數(shù)字相加運(yùn)算,；還有存儲器單元,，可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲與讀取。從小巧的智能手表實(shí)時監(jiān)測健康數(shù)據(jù),，到智能家居中樞精細(xì)控制家電設(shè)備,，增強(qiáng)型場效應(yīng)管的穩(wěn)定運(yùn)作是現(xiàn)代電子產(chǎn)品智能化發(fā)展的基石，讓生活變得更加便捷和智能,。常州場效應(yīng)管價格場效應(yīng)管具有較長的使用壽命,，可靠性高，降低了設(shè)備的維護(hù)成本,。

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層,，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致,，均為流過N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù),。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度,。

下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對1,，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效）,，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效,。2：SOA失效（電流失效）,，既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大,，損耗過高器件長時間熱積累而導(dǎo)致的失效,。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效,。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效,。5：靜電失效：在秋冬季節(jié),，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰,，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效,。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，場效應(yīng)管性能不斷提升,，有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,。

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）結(jié)型場效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態(tài)下保存,，而絕緣柵型場效應(yīng)管在不使用時,，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路,，以免外電場作用而使管子損壞,。（2）焊接時,，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子,。對于少量焊接,，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應(yīng)管時,，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接,，并且要斷電焊接。（3）用25W電烙鐵焊接時應(yīng)迅速,，若用45～75W電烙鐵焊接,，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型場效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值）,，而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查,，必須用測試儀，而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線,。取下時,，則應(yīng)先短路再取下，關(guān)鍵在于避免柵極懸空,。MOSFET有三個電極：柵極,、漏極和源極。珠海P溝道場效應(yīng)管行價

場效應(yīng)管的主要作用是在電路中放大或開關(guān)信號,，用于控制電流或電壓,。常州場效應(yīng)管價格

MOS管三個極分別是什么及判定方法：mos管的三個極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及）,，要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,，漏極和源及才能導(dǎo)通。判斷柵極G,，MOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭,，在點(diǎn)評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻,，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,，假如G信號驅(qū)動能力不夠，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時間,。將G-S極短路,，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極,，紅表筆接D極,，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大,，并且交換表筆后仍為無限大,，則證實(shí)此腳為G極,，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。常州場效應(yīng)管價格