作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢,？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇,。為設(shè)計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET,。在典型的功率應(yīng)用中,，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電 壓上時,，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān),。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET,，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤],。當MOSFET連接到 總線及負載接地時，就要用高壓側(cè)開關(guān),。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET,，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。在使用場效應(yīng)管時,，需要注意正確連接其源極,、柵極和漏極，以確保其正常工作。中山增強型場效應(yīng)管規(guī)格

內(nèi)置MOSFET的IC當然 不用我們再考慮了,，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大,、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨一的選擇方式,，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù),。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān),，可以近似認為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET,，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線,，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極,。東莞金屬場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家JFET具有電路簡單,、工作穩(wěn)定的特點，適合于低頻放大器設(shè)計,。

Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置,，所以只有很小的電流從drain流向backgate，如果GATE電壓超過了閾值電壓,，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel,。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從source通過channel流到drain,，總的來說，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時,，才會有drain電流,。在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性,，定義上,，載流子流出source，流入drain,，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了,。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色,，這種情況下,，電路設(shè)計師必須指定一個是drain另一個是source。

mos管,，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管,，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導體，MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,，這樣的器件被認為是對稱的,。MOS電容的特性能被用來形成MOS管，Gate,，電介質(zhì)和backgate保持原樣,。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source,，另一個稱為drain,，假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓,，只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓,，就不會形成channel。場效應(yīng)管具有高頻響應(yīng)特性,，適用于高頻,、高速電路，如雷達,、衛(wèi)星通信等,。

MOS場效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導體型場效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導電方式的不同,，MOSFET又分增強型、耗盡型,。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài),，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強”了該區(qū)域的載流子,，形成導電溝道。耗盡型則是指,，當VGS=0時即形成溝道,，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉(zhuǎn)向截止,。場效應(yīng)管的開關(guān)速度快，適用于需要快速響應(yīng)的電路系統(tǒng)中,。徐州場效應(yīng)管

場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域具有重要作用,，如變頻器、逆變器等,，提高電能轉(zhuǎn)換效率,。中山增強型場效應(yīng)管規(guī)格

雪崩失效分析（電壓失效），底什么是雪崩失效呢,，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓,、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,，導致的一種失效模式,。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖,，做為電源工程師可以簡單了解下,。可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們電源板上的MOSFET進行失效分析,，大多數(shù)廠家都光給一個EAS.EOS之類的結(jié)論,，那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖,，我們可以進行對比從而確定是否是雪崩失效,。中山增強型場效應(yīng)管規(guī)格