作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢,？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇,。為設(shè)計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地,，而負載連接到干線電 壓上時,，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,，應采用N溝道MOSFET,，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當MOSFET連接到 總線及負載接地時,，就要用高壓側(cè)開關(guān),。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮,。JFET在低頻放大和高阻抗放大中比較常用,，其工作原理比較簡單。中山場效應管制造

場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型,；當柵壓為零,，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型,。作用：1.場效應管可應用于放大,。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3.場效應管可以用作可變電阻,。4.場效應管可以方便地用作恒流源。5.場效應管可以用作電子開關(guān),?；葜萁饘賵鲂苣募液脠鲂艿臇艠O電壓對其導電性能有明顯影響，通過調(diào)節(jié)柵極電壓可以控制電路的輸出,。

MOS場效應管,，即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型,。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管,。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同,，MOSFET又分增強型,、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后,，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道,。耗盡型則是指,，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時,，能使多數(shù)載流子流出溝道,，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止,。

場效應管（英語：field-effect transistor,，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子器件。它依靠電場去控制導電溝道形狀,，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性,。場效應晶體管有時被稱為“單極性晶體管”，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管,。由于半導體材料的限制,，以及雙極性晶體管比場效應晶體管容易制造，場效應晶體管比雙極性晶體管要晚造出,，但場效應晶體管的概念卻比雙極性晶體管早,。MOS管的寄生二極管，由于生產(chǎn)工藝,，MOS 管會有寄生二極管,，或稱體二極管。這是mos管與三極管較大的一個區(qū)別,。場效應管是一種半導體器件,，通過外部電場調(diào)節(jié)電導。

小噪音場效應管在專業(yè)錄音設(shè)備中的應用：專業(yè)錄音追求音質(zhì)還原,，小噪音場效應管是實現(xiàn)這一目標的關(guān)鍵元件,。在專業(yè)麥克風前置放大器中，聲音信號極其微弱,，小噪音場效應管的任務是將這些微弱信號放大,，同時幾乎不引入額外噪聲。在錄制音樂時,，歌手歌聲中的每一個細微變化,，樂器演奏時的微妙音色,，都能被小噪音場效應管精細捕捉并放大,。例如在錄制弦樂四重奏時，小提琴的悠揚、中提琴的醇厚,、大提琴的深沉,，小噪音場效應管能夠?qū)⑦@些音色原汁原味地呈現(xiàn)出來，為音樂制作提供純凈的原始素材,。在電影配音,、廣播電臺錄制等領(lǐng)域，它同樣保障了聲音質(zhì)量的清晰,、真實,，為藝術(shù)創(chuàng)作與文化傳播奠定了堅實基礎(chǔ)，讓優(yōu)良的音樂,、影視作品能夠以比較好狀態(tài)呈現(xiàn)在觀眾和聽眾面前,。場效應管的表示特性是輸入電阻高、輸入電容小,、開關(guān)速度快和功耗低,。廣州氧化物場效應管廠家直銷

場效應管的功耗較低，可以節(jié)省能源,。中山場效應管制造

內(nèi)置MOSFET的IC當然 不用我們再考慮了,，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力,，外置MOSFET是獨一的選擇方式,，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容,。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān)，可以近似認為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右,。一般的應用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET,，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾,，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極,。中山場效應管制造