計(jì)算導(dǎo)通損耗,。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算,，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化,。對(duì)便攜 式設(shè)計(jì)來說,，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì),，可采用較高的電壓,。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升,。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求,。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況,，即較壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)較壞情況的計(jì)算結(jié)果,，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,，能 確保系統(tǒng)不會(huì)失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù),；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,，以及較大的結(jié)溫。開關(guān)損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo),。從下圖可以看到,，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大。一定程度上決定了器件的開關(guān)性能,。不過,，如果系統(tǒng)對(duì)開關(guān)性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET,。在設(shè)計(jì)電路時(shí),，應(yīng)根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管類型，以實(shí)現(xiàn)較佳的性能和效果,。寧波場(chǎng)效應(yīng)管廠家直銷

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。一,、飽和漏源電流,，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流,。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。珠海MOS場(chǎng)效應(yīng)管制造場(chǎng)效應(yīng)管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi),，以確保正常工作。

MOS管三個(gè)極分別是什么及判定方法：mos管的三個(gè)極分別是：G（柵極）,，D（漏極）s（源及）,，要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導(dǎo)通,。判斷柵極G,，MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用：假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率,，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻,，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠,，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間,。將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔,，黑表筆接S極,，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大,，并且交換表筆后仍為無限大，則證實(shí)此腳為G極,，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的,。

SOA失效的預(yù)防措施：1：確保在較差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi),。2：將OCP功能一定要做精確細(xì)致,。在進(jìn)行OCP點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí)，一般可能會(huì)取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多,，然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電阻,。有些有經(jīng)驗(yàn)的人會(huì)將檢測(cè)延遲時(shí)間、CISS對(duì)OCP實(shí)際的影響考慮在內(nèi),。但是此時(shí)有個(gè)更值得關(guān)注的參數(shù),，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什么影響呢,，我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚,，十分抱歉，建議雙擊放大觀看）,。電流波形在快到電流尖峰時(shí),，有個(gè)下跌，這個(gè)下跌點(diǎn)后又有一段的上升時(shí)間,，這段時(shí)間其本質(zhì)就是IC在檢測(cè)到過流信號(hào)執(zhí)行關(guān)斷后,，MOSFET本身也開始執(zhí)行關(guān)斷,，但是由于器件本身的關(guān)斷延遲，因此電流會(huì)有個(gè)二次上升平臺(tái),，如果二次上升平臺(tái)過大,，那么在變壓器余量設(shè)計(jì)不足時(shí)，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個(gè)電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個(gè)失效,。場(chǎng)效應(yīng)管有三種類型,，分別是MOSFET、JFET和IGBT,，它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域,。

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時(shí)的壓降和功耗,，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動(dòng)能力,。較大漏極電流（I_D(max)）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的較大電流，超過這個(gè)電流值可能會(huì)導(dǎo)致器件過熱,、性能退化甚至長(zhǎng)久損壞,。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的較大電壓。超過這個(gè)電壓值可能會(huì)導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿,、熱損傷或其他形式的損壞,。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容。它影響了信號(hào)的傳輸速度和開關(guān)過程中的電荷存儲(chǔ),。場(chǎng)效應(yīng)管具有較長(zhǎng)的使用壽命,，可靠性高，降低了設(shè)備的維護(hù)成本,。功耗低場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)

場(chǎng)效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域有普遍應(yīng)用,，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源管理等,。寧波場(chǎng)效應(yīng)管廠家直銷

雪崩失效的預(yù)防措施,，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮,。具體可以參考以下的方式來處理,。1：合理降額使用，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取,。2：合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計(jì),。4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結(jié)構(gòu),，盡量減少布線寄生電感,。5：選擇合理的柵極電阻Rg,。6：在大功率電源中，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進(jìn)行吸收,。寧波場(chǎng)效應(yīng)管廠家直銷