mos管,，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體,，MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的,。MOS電容的特性能被用來(lái)形成MOS管,，Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣,。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域,。其中一個(gè)稱(chēng)為source，另一個(gè)稱(chēng)為drain,，假設(shè)source 和backgate都接地,，drain接正電壓，只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓,，就不會(huì)形成channel,。場(chǎng)效應(yīng)管雖然體積小，但在現(xiàn)代電子技術(shù)中的作用不可忽視,。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠商

Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置,，所以只有很小的電流從drain流向backgate，如果GATE電壓超過(guò)了閾值電壓,，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel,。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從source通過(guò)channel流到drain,，總的來(lái)說(shuō),，只有在gate 對(duì)source電壓V 超過(guò)閾值電壓Vt時(shí)，才會(huì)有drain電流,。在對(duì)稱(chēng)的MOS管中,，對(duì)source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性，定義上,，載流子流出source,，流入drain，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來(lái)決定了,。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的,，兩個(gè)引線端就會(huì)互相對(duì)換角色，這種情況下,，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個(gè)是drain另一個(gè)是source,。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠商選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)考慮其耐壓,、耐流等參數(shù),，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。

對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話(huà),，相對(duì)延時(shí)太多,，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開(kāi)關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以,。對(duì)于1kVA左右開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路。該電路具有以下特點(diǎn)：?jiǎn)坞娫垂ぷ?，控制信?hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離,，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場(chǎng)合,。

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇,，在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放，此時(shí)阻值要盡量小,。通常為了保證快速瀉放,，在Rg上可以并聯(lián)一個(gè)二極管。當(dāng)瀉放電阻過(guò)小,，由于走線電感的原因也會(huì)引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會(huì)在這個(gè)二極管上串一個(gè)小電阻),，但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時(shí)Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰。估算導(dǎo)通損耗,、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時(shí)候,，就可以參考前文所指出的方法。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍,，遠(yuǎn)非一兩篇文章可以概括,。場(chǎng)效應(yīng)管的靈敏度較高，可以實(shí)現(xiàn)精確的電流控制,。

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等,，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚,，而漏極一端電壓較小,，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄,。但當(dāng)vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來(lái)越薄,，當(dāng)vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時(shí),，溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷，如圖2(b)所示,。再繼續(xù)增大vDS,，夾斷點(diǎn)將向源極方向移動(dòng)，如圖2(c)所示,。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),，故iD幾乎不隨vDS增大而增加,，管子進(jìn)入飽和區(qū)，iD幾乎只由vGS決定,。在設(shè)計(jì)電路時(shí),，合理選擇場(chǎng)效應(yīng)管的型號(hào)和工作參數(shù)，以滿(mǎn)足電路要求,。無(wú)錫P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

在選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，要考慮其成本效益,，根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的性?xún)r(jià)比產(chǎn)品,。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠商

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器,、工作臺(tái),、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時(shí),，先焊源極；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí),，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,，焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí),，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠商