MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)電路,，MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場(chǎng)）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。場(chǎng)效應(yīng)管可通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)輸出電流,，具有較好的線性特性,。VMOS場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器,、工作臺(tái),、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時(shí),，先焊源極；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí),，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時(shí)，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意,。VMOS場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)在于低噪聲,、高放大倍數(shù)和低失真,，適用于高要求的音頻放大電路中。

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等,，靠近源極一端的電壓較大,，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小,，其值為VGD=vGS－vDS,，因而這里溝道較薄。但當(dāng)vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大,，靠近漏極的溝道越來(lái)越薄，當(dāng)vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時(shí),，溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷,，如圖2(b)所示。再繼續(xù)增大vDS,，夾斷點(diǎn)將向源極方向移動(dòng),，如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),，故iD幾乎不隨vDS增大而增加,，管子進(jìn)入飽和區(qū)，iD幾乎只由vGS決定,。

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對(duì)稱MOS管,，制造非對(duì)稱晶體管有很多理由，但所有的較終結(jié)果都是一樣的,，一個(gè)引線端被優(yōu)化作為drain,，另一個(gè)被優(yōu)化作為source，如果drain和source對(duì)調(diào),，這個(gè)器件就不能正常工作了,。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS,。P-channel MOS管也存在,，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個(gè)晶體管的GATE相對(duì)于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面,，空穴就被排斥出表面,。硅的表面就積累，沒(méi)有channel形成,。場(chǎng)效應(yīng)管在高頻電路中表現(xiàn)出色,，能夠保持較低的失真和較高的效率。

MOS管的工作原理,，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路,，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開路漏極,，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓,，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開關(guān)器件,。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理,。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。NMOS管的開路漏極電路,，在開關(guān)電源應(yīng)用方面,，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。比如,，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來(lái)執(zhí)行開關(guān)功能，這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量,，然后把能量釋放給負(fù)載,。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率,，因?yàn)轭l率越高，磁性元件可以更小更輕,。在正常工作期間,，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此,，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗,。場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大或開關(guān)電路中的信號(hào),。VMOS場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管需遵循正確的電路連接方式,，通常包括源極、柵極和漏極三個(gè)引腳,，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓,。VMOS場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過(guò)改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來(lái)控制漏極（Drain）與源極之間的電流,。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比,，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進(jìn)行導(dǎo)電,，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道,，分為N溝道JFET和P溝道JFET,。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）：分為增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管，每種類型又分為N溝道和P溝道,。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時(shí),，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導(dǎo)電溝道，即使沒(méi)有外加電壓,，也會(huì)有漏極電流（ID）,。這是因?yàn)樵谥圃爝^(guò)程中，通過(guò)摻雜在絕緣層中引入正離子,，使得在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出負(fù)電荷,，形成導(dǎo)電溝道。增強(qiáng)型MOS管：在VGS為零時(shí)是關(guān)閉狀態(tài),，不導(dǎo)電。只有當(dāng)施加適當(dāng)?shù)恼驏艠O電壓時(shí),，才會(huì)在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出足夠的多數(shù)載流子,，形成導(dǎo)電溝道。VMOS場(chǎng)效應(yīng)管