測(cè)試步驟：MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電,、短路,、斷路、放大,。其步驟如下：假如有阻值沒(méi)被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象,。1,、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開(kāi)，萬(wàn)用表紅黑筆不變,，假如移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)限大,，則MOS管漏電，不變則完好,。2,、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來(lái)，假如指針立刻返回?zé)o限大,，則MOS完好,。3、把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上,，好的表針指示應(yīng)該是無(wú)限大。4,、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上,，這時(shí)表針指示的值一般是0,，這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場(chǎng),，因?yàn)殡妶?chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通,，故萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的角度大,，放電性越好,。場(chǎng)效應(yīng)管的特性可以通過(guò)外部電路的調(diào)整來(lái)滿(mǎn)足不同的應(yīng)用需求?；葜莅雽?dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,，可以在開(kāi)路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí),，由于它的輸入電阻非常高,，須將各電極短路，以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞,。（2）焊接時(shí),，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子,。對(duì)于少量焊接,，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接,，并且要斷電焊接,。（3）用25W電烙鐵焊接時(shí)應(yīng)迅速，若用45～75W電烙鐵焊接,，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值），而絕緣柵場(chǎng)效管不能用萬(wàn)用表檢查,，必須用測(cè)試儀,，而且要在接入測(cè)試儀后才能去掉各電極短路線。取下時(shí),，則應(yīng)先短路再取下,，關(guān)鍵在于避免柵極懸空?；葜莅雽?dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管有多種類(lèi)型,，如JFET、MOSFET等,，滿(mǎn)足不同應(yīng)用需求,。

場(chǎng)效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成,。在JFET中,，柵極和通道之間通過(guò)PN結(jié)隔離；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離,。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動(dòng),。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)始導(dǎo)電的較小柵極電壓。閾值電壓是場(chǎng)效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過(guò)渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當(dāng)柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時(shí),，場(chǎng)效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài)，通道不導(dǎo)電,；當(dāng)VGS超過(guò)Vth時(shí)，通道形成,，電流開(kāi)始流動(dòng),。

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管；（1）結(jié)構(gòu),，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,，分別作漏極d和源極s,。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個(gè)電極B,，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管,。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的,。在設(shè)計(jì)電路時(shí),，應(yīng)根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管類(lèi)型，以實(shí)現(xiàn)較佳的性能和效果,。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管,，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型,。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管,。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,，MOSFET又分增強(qiáng)型,、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),，加上正確的VGS后,，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,，形成導(dǎo)電溝道,。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道,，加上正確的VGS時(shí),，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉(zhuǎn)向截止,。場(chǎng)效應(yīng)管雖然體積小，但在現(xiàn)代電子技術(shù)中的作用不可忽視,?；葜莅雽?dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管可以用作放大器，可以放大輸入信號(hào)的幅度,?；葜莅雽?dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管在金融交易系統(tǒng)中的價(jià)值：金融交易系統(tǒng)對(duì)穩(wěn)定性與準(zhǔn)確性的要求近乎苛刻，高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管在其中具有不可替代的價(jià)值。在高頻交易服務(wù)器中,，每秒鐘要處理海量的交易數(shù)據(jù),，交易指令的響應(yīng)速度和準(zhǔn)確性直接關(guān)系到交易的成敗和金融市場(chǎng)的穩(wěn)定。高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管確保電路在長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)載運(yùn)行下,，信號(hào)處理始終穩(wěn)定,，不會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失或錯(cuò)誤。在毫秒級(jí)的交易響應(yīng)時(shí)間里,，依賴(lài)的正是高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管的穩(wěn)定性能,。無(wú)論是期貨交易還是外匯交易，它都保障了金融市場(chǎng)交易的公平,、高效進(jìn)行,，維護(hù)了金融體系的穩(wěn)定運(yùn)行。任何微小的波動(dòng)都可能引發(fā)市場(chǎng)的連鎖反應(yīng),，高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管就像金融市場(chǎng)的穩(wěn)定器,，為經(jīng)濟(jì)的平穩(wěn)發(fā)展保駕護(hù)航?；葜莅雽?dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)