場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）結(jié)型場效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,，可以在開路狀態(tài)下保存,，而絕緣柵型場效應(yīng)管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高,，須將各電極短路,，以免外電場作用而使管子損壞。（2）焊接時(shí),，電烙鐵外殼必須裝有外接地線,，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接,，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接,。特別在焊接絕緣柵場效應(yīng)管時(shí)，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接,，并且要斷電焊接,。（3）用25W電烙鐵焊接時(shí)應(yīng)迅速，若用45～75W電烙鐵焊接,，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱,。結(jié)型場效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值），而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查,，必須用測試儀,，而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線。取下時(shí),，則應(yīng)先短路再取下,，關(guān)鍵在于避免柵極懸空。場效應(yīng)管有三種類型,，分別是MOSFET,、JFET和IGBT，它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域,。深圳場效應(yīng)管尺寸

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些,，但沒有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹,。在MOS管原理圖上可以看到,，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（如馬達(dá)）,，這個(gè)二極管很重要,。可以在MOS管關(guān)斷時(shí)為感性負(fù)載的電動(dòng)勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞,。順便說一句,，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的,?；葜萁^緣柵場效應(yīng)管尺寸在選擇場效應(yīng)管時(shí)，要考慮其成本效益,，根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的性價(jià)比產(chǎn)品,。

N溝道耗盡型MOSFET場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)：a.結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強(qiáng)型MOS管基本相似。b.區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時(shí),，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生,，而增強(qiáng)型MOS管要在vGS≥VT時(shí)才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管時(shí),，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子)，如圖1(a)所示,，因此即使vGS=0時(shí),，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道),，只要加上正向電壓vDS,，就有電流iD。 如果加上正的vGS,，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子,，溝道加寬，溝道電阻變小,，iD增大,。反之vGS為負(fù)時(shí)，溝道中感應(yīng)的電子減少,，溝道變窄,，溝道電阻變大，iD減小,。當(dāng)vGS負(fù)向增加到某一數(shù)值時(shí),，導(dǎo)電溝道消失，iD趨于零,，管子截止,，故稱為耗盡型。溝道消失時(shí)的柵－源電壓稱為夾斷電壓，仍用VP表示,。與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同,，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負(fù)值，但是,，前者只能在vGS<0的情況下工作,。而后者在vGS=0，vGS>0

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢,？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇,。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET,。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,，而負(fù)載連接到干線電 壓上時(shí),，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,，應(yīng)采用N溝道MOSFET,，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到 總線及負(fù)載接地時(shí),，就要用高壓側(cè)開關(guān),。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅(qū)動(dòng)的考慮,。場效應(yīng)管具有較長的使用壽命,，可靠性高，降低了設(shè)備的維護(hù)成本,。

單極型場效應(yīng)管在生物醫(yī)學(xué)檢測中的應(yīng)用：生物醫(yī)學(xué)檢測對信號檢測精度的要求極高,，單極型場效應(yīng)管在其中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在生物傳感器領(lǐng)域,，例如檢測血糖的傳感器,，當(dāng)血液中的葡萄糖分子與傳感器表面的特定物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)時(shí),，會(huì)產(chǎn)生微弱的電信號,。單極型場效應(yīng)管憑借其高輸入阻抗的特性，能夠?qū)⑦@種極其微弱的信號高效放大,，且不會(huì)因?yàn)樽陨淼妮斎胩匦詫?dǎo)致信號衰減,。在檢測 DNA 等生物分子的傳感器中,，同樣如此，它能夠保證檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性,。在可穿戴式醫(yī)療監(jiān)測設(shè)備中,，實(shí)時(shí)監(jiān)測人體的生理參數(shù),，如心率、血壓等,，單極型場效應(yīng)管為疾病預(yù)防,、診斷提供了可靠的數(shù)據(jù)支持。醫(yī)生可以根據(jù)這些準(zhǔn)確的數(shù)據(jù),，及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在的健康問題,，制定科學(xué)的治療方案，助力醫(yī)療技術(shù)的進(jìn)步與人們健康管理水平的提升,。MOSFET通過柵極與源極電壓調(diào)節(jié),，是現(xiàn)代電子器件中常見的元件?；葜萁^緣柵場效應(yīng)管尺寸

避免將場效應(yīng)管的柵極與其它電極短路,，以免損壞器件。同時(shí),，注意防止靜電對場效應(yīng)管造成損害,。深圳場效應(yīng)管尺寸

計(jì)算導(dǎo)通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算,，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對便攜 式設(shè)計(jì)來說,，采用較低的電壓比較容易(較為普遍),，而對于工業(yè)設(shè)計(jì)，可采用較高的電壓,。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升,。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到,。計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求,。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況，即較壞情況和真實(shí)情況,。建議采用針對較壞情況的計(jì)算結(jié)果,，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量，能 確保系統(tǒng)不會(huì)失效,。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù),；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，以及較大的結(jié)溫,。開關(guān)損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo),。從下圖可以看到，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大,。一定程度上決定了器件的開關(guān)性能,。不過,，如果系統(tǒng)對開關(guān)性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET,。深圳場效應(yīng)管尺寸