SOA失效的預防措施：1：確保在較差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi),。2：將OCP功能一定要做精確細致,。在進行OCP點設計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多,，然后就根據(jù)IC的保護電壓比如0.7V開始調試RSENSE電阻,。有些有經(jīng)驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內(nèi),。但是此時有個更值得關注的參數(shù),，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什么影響呢,，我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚,，十分抱歉，建議雙擊放大觀看）,。電流波形在快到電流尖峰時,，有個下跌,，這個下跌點后又有一段的上升時間，這段時間其本質就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關斷后,，MOSFET本身也開始執(zhí)行關斷,，但是由于器件本身的關斷延遲，因此電流會有個二次上升平臺,，如果二次上升平臺過大,，那么在變壓器余量設計不足時，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效,。場效應管也可以用作開關,，可以控制電路的通斷。無錫強抗輻場效應管廠家直銷

場效應管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成,。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結隔離,；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當在柵極施加適當?shù)碾妷簳r,，會在柵極下方的半導體中形成一個導電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應管開始導電的較小柵極電壓,。閾值電壓是場效應管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時，場效應管處于關閉狀態(tài),，通道不導電,；當VGS超過Vth時，通道形成,，電流開始流動,。無錫強抗輻場效應管廠家直銷場效應管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi)，以確保正常工作,。

導通時隔離變壓器上的電壓為（1-D）Ui,、關斷時為DUi，若主功率管S可靠導通電壓為12V,，而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/［（1-D）Ui］,。為保證導通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點：①電路結構簡單可靠,，具有電氣隔離作用,。當脈寬變化時，驅動的關斷能力不會隨著變化,。②該電路只需一個電源,，即為單電源工作,。隔直電容C的作用可以在關斷所驅動的管子時提供一個負壓，從而加速了功率管的關斷,，且有較高的抗干擾能力。但該電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化,。當D較小時,，負向電壓小，該電路的抗干擾性變差,，且正向電壓較高,，應該注意使其幅值不超過MOSFET柵極的允許電壓。當D大于0.5時驅動電壓正向電壓小于其負向電壓,，此時應該注意使其負電壓值不超過MOAFET柵極允許電壓,。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合。

MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關導 通,。導通時，電流可經(jīng)開關從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,，稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,，因此,，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,，器件將不能按設計意圖工作,，并可能在不恰當?shù)臅r刻導通或關閉，導致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當源極和柵極間的電 壓為零時,，開關關閉，而電流停止通過器件,。雖然這時器件已經(jīng)關閉,，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流,，即IDSS,。場效應管具有很高的耐壓特性，可承受較高的電壓,，適用于高壓電路,。

場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型,；當柵壓為零，漏極電流也為零,，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型,。作用：1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器。2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3.場效應管可以用作可變電阻。4.場效應管可以方便地用作恒流源,。5.場效應管可以用作電子開關,。場效應管的表示特性是輸入電阻高、輸入電容小,、開關速度快和功耗低,。肇慶源極場效應管參數(shù)

場效應管的價格相對較低，適合大規(guī)模生產(chǎn),。無錫強抗輻場效應管廠家直銷

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向,。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層,，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致,，均為流過N型半導體與P型半導體襯底形成的PN結的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù),。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關注脈沖寬度,。無錫強抗輻場效應管廠家直銷