現(xiàn)在的高清、液晶,、等離子電視機(jī)中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外,，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整機(jī)的效率,、可靠較大程度上提高,，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu),、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別,，所以在應(yīng)用上，它的驅(qū)動(dòng)電路比晶體三極管復(fù)雜,。所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端,，分別大致對應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。在使用場效應(yīng)管時(shí),，需要注意避免靜電放電,，以免損壞器件。珠海雙柵極場效應(yīng)管市場價(jià)格

計(jì)算導(dǎo)通損耗,。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算,，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化,。對便攜 式設(shè)計(jì)來說,，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業(yè)設(shè)計(jì),，可采用較高的電壓,。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到,。計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求,。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況，即較壞情況和真實(shí)情況,。建議采用針對較壞情況的計(jì)算結(jié)果,，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,，能 確保系統(tǒng)不會(huì)失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù),；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,，以及較大的結(jié)溫。開關(guān)損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo),。從下圖可以看到,，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大。一定程度上決定了器件的開關(guān)性能,。不過,，如果系統(tǒng)對開關(guān)性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET,。廣州金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家場效應(yīng)管在電子設(shè)備中普遍應(yīng)用,，如音頻放大器、電源管理等,。

N溝道耗盡型MOSFET場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)：a.結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強(qiáng)型MOS管基本相似,。b.區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時(shí)，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生,，而增強(qiáng)型MOS管要在vGS≥VT時(shí)才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道,。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管時(shí)，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子),，如圖1(a)所示，因此即使vGS=0時(shí),，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下,，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vDS,，就有電流iD,。 如果加上正的vGS，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子,，溝道加寬,，溝道電阻變小，iD增大,。反之vGS為負(fù)時(shí),，溝道中感應(yīng)的電子減少，溝道變窄,，溝道電阻變大,，iD減小。當(dāng)vGS負(fù)向增加到某一數(shù)值時(shí),，導(dǎo)電溝道消失,，iD趨于零,，管子截止，故稱為耗盡型,。溝道消失時(shí)的柵－源電壓稱為夾斷電壓,，仍用VP表示。與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同,，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負(fù)值,，但是，前者只能在vGS<0的情況下工作,。而后者在vGS=0,，vGS>0

場效應(yīng)管主要參數(shù)：1、漏源擊穿電壓,。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí),，場效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù),，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS,。2、較大耗散功率,。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量,。3,、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管正常工作時(shí),，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM,。JFET常用于低頻放大電路,、高輸入阻抗的場合。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。一,、飽和漏源電流,，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流,。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。場效應(yīng)管具有低噪聲、低功耗的特點(diǎn),，適用于需要高靈敏度和低功耗的電子設(shè)備中,。廣州金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大或開關(guān)電路中的信號,。珠海雙柵極場效應(yīng)管市場價(jià)格

導(dǎo)通時(shí)隔離變壓器上的電壓為（1-D）Ui,、關(guān)斷時(shí)為DUi，若主功率管S可靠導(dǎo)通電壓為12V,，而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/［（1-D）Ui］,。為保證導(dǎo)通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點(diǎn)：①電路結(jié)構(gòu)簡單可靠,，具有電氣隔離作用,。當(dāng)脈寬變化時(shí)，驅(qū)動(dòng)的關(guān)斷能力不會(huì)隨著變化,。②該電路只需一個(gè)電源,，即為單電源工作。隔直電容C的作用可以在關(guān)斷所驅(qū)動(dòng)的管子時(shí)提供一個(gè)負(fù)壓,，從而加速了功率管的關(guān)斷,，且有較高的抗干擾能力。但該電路存在的一個(gè)較大缺點(diǎn)是輸出電壓的幅值會(huì)隨著占空比的變化而變化,。當(dāng)D較小時(shí)，負(fù)向電壓小,，該電路的抗干擾性變差,，且正向電壓較高，應(yīng)該注意使其幅值不超過MOSFET柵極的允許電壓,。當(dāng)D大于0.5時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓正向電壓小于其負(fù)向電壓,，此時(shí)應(yīng)該注意使其負(fù)電壓值不超過MOAFET柵極允許電壓。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合,。珠海雙柵極場效應(yīng)管市場價(jià)格