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來源： 發(fā)布時間：2025-04-28

吉田半導(dǎo)體 YK-300 正性光刻膠：半導(dǎo)體芯片制造的材料

YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,，成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達(dá) 0.35μm,，線寬粗糙度（LWR）≤3nm,，適用于半導(dǎo)體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,，在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩(wěn)定性,。產(chǎn)品已通過中芯國際量產(chǎn)驗(yàn)證，良率達(dá) 98% 以上，生產(chǎn)過程執(zhí)行 ISO9001 標(biāo)準(zhǔn),，幫助客戶降低封裝成本 20% 以上,。支持小批量試產(chǎn)與定制化需求，為國產(chǎn)芯片制造提供穩(wěn)定材料支撐,。
光刻膠廠家推薦吉田半導(dǎo)體,，23 年專注研發(fā)，全系列產(chǎn)品覆蓋芯片制造與 LCD 面板,！天津負(fù)性光刻膠多少錢

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國家大基金三期：注冊資本3440億元,，明確將光刻膠列為重點(diǎn)投資領(lǐng)域，計劃投入超500億元支持樹脂,、光引發(fā)劑等原料研發(fā),，相當(dāng)于前兩期投入總和的3倍。

地方專項(xiàng)政策：湖北省對通過驗(yàn)證的光刻膠企業(yè)給予設(shè)備采購補(bǔ)貼+稅收減免,，武漢太紫微憑借全流程國產(chǎn)化技術(shù)獲中芯國際百萬級訂單,；福建省提出2030年化工新材料自給率達(dá)90%，光刻膠是重點(diǎn)突破方向,。

研發(fā)專項(xiàng)：科技部“雙十計劃”設(shè)立20億元經(jīng)費(fèi),，要求2025年KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率突破10%，并啟動EUV光刻膠預(yù)研,。
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作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè)，廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終將技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品質(zhì)量視為重要發(fā)展動力,。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群,，依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，持續(xù)為全球客戶提供多元化的半導(dǎo)體材料解決方案,。

公司產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠,、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠,、半導(dǎo)體錫膏,、焊片及靶材等，原材料均嚴(yán)格選用美國,、德國,、日本等國的質(zhì)量進(jìn)口材料。通過全自動化生產(chǎn)設(shè)備與精細(xì)化工藝控制,，確保每批次產(chǎn)品的穩(wěn)定性與一致性,。例如，納米壓印光刻膠采用特殊配方,，可耐受 250℃高溫及復(fù)雜化學(xué)環(huán)境,，適用于高精度納米結(jié)構(gòu)制造；LCD 光刻膠以高分辨率和穩(wěn)定性，成為顯示面板行業(yè)的推薦材料,。


? 正性光刻膠

? YK-300：適用于半導(dǎo)體制造,，具備高分辨率（線寬≤10μm）、耐高溫（250℃）,、耐酸堿腐蝕特性,，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造，適配UV光源（365nm/405nm）,。

? 技術(shù)優(yōu)勢：采用進(jìn)口樹脂及光引發(fā)劑,，絕緣阻抗高（>10^14Ω），滿足半導(dǎo)體器件對絕緣性的嚴(yán)苛要求,。

? 負(fù)性光刻膠

? JT-1000：負(fù)性膠,，主打優(yōu)異抗深蝕刻性能，分辨率達(dá)3μm,，適用于功率半導(dǎo)體,、MEMS器件制造，可承受氫氟酸（HF）,、磷酸（H3PO4）等強(qiáng)腐蝕液處理,。

? SU-3：經(jīng)濟(jì)型負(fù)性膠，性價比高,，適用于分立器件及低端邏輯芯片,，光源適應(yīng)性廣（248nm-436nm），曝光靈敏度≤200mJ/cm2,。

2. 顯示面板光刻膠

? LCD正性光刻膠YK-200：專為TFT-LCD制程設(shè)計,，具備高涂布均勻性（膜厚誤差±1%）、良好的基板附著力,，用于彩色濾光片（CF）和陣列基板（Array）制造,，支持8.5代線以上大規(guī)模生產(chǎn)。

? 水性感光膠JT-1200：環(huán)保型產(chǎn)品,，VOC含量<50g/L,，符合歐盟RoHS標(biāo)準(zhǔn)，適用于柔性顯示基板,，可制作20μm以下精細(xì)網(wǎng)點(diǎn)，主要供應(yīng)京東方,、TCL等面板廠商,。

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光刻膠的納米級性能要求

 超高分辨率：需承受電子束（10keV以上）或EUV（13.5nm波長）的轟擊,，避免散射導(dǎo)致的邊緣模糊，目前商用EUV膠分辨率已達(dá)13nm（3nm制程）。

 低缺陷率：納米級結(jié)構(gòu)對膠層中的顆?；蚧瘜W(xué)不均性極其敏感,，需通過化學(xué)增幅型配方（如酸催化交聯(lián)）提升對比度和抗刻蝕性。

 多功能性：兼容多種基底（柔性聚合物,、陶瓷）和后處理工藝（干法刻蝕,、原子層沉積），例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠,。
技術(shù)挑戰(zhàn)與前沿方向

? EUV光刻膠優(yōu)化：解決曝光后酸擴(kuò)散導(dǎo)致的線寬波動,，開發(fā)含氟聚合物或金屬有機(jī)材料以提高靈敏度。

? 無掩膜光刻：結(jié)合機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化電子束掃描路徑,，直接寫入復(fù)雜納米圖案（如神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的突觸陣列）,，縮短制備周期。

? 生物基光刻膠：開發(fā)可降解,、低毒性的天然高分子光刻膠,，用于生物芯片或環(huán)保型納米制造。

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正性光刻膠

  • 半導(dǎo)體分立器件制造：對于二極管、三極管等半導(dǎo)體分立器件,，正性光刻膠可實(shí)現(xiàn)精細(xì)的圖形化加工,，滿足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時,，正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對比度,，能精確刻畫器件的結(jié)構(gòu)，提高器件性能,。
  • 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造：MEMS 器件如加速度計,、陀螺儀等，結(jié)構(gòu)復(fù)雜且尺寸微小,。正性光刻膠用于 MEMS 制造過程中的光刻步驟,，可在硅片等材料上制作出高精度的微結(jié)構(gòu)，確保 MEMS 器件的功能實(shí)現(xiàn),。


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廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才,，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡,，一群有夢想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開創(chuàng)新天地,，繪畫新藍(lán)圖，在廣東省等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的信譽(yù),，信奉著“爭取每一個客戶不容易,，失去每一個用戶很簡單”的理念,，市場是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命,，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下,，全體上下，團(tuán)結(jié)一致,，共同進(jìn)退,，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開創(chuàng)工作的新局面,，公司的新高度,，未來吉田半導(dǎo)體供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績,，也不足以驕傲,，過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路,，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望,，放飛新的夢想！

標(biāo)簽： 光刻膠 錫片