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四川LCD光刻膠品牌

來源： 發(fā)布時(shí)間：2025-05-07

光刻膠的主要應(yīng)用領(lǐng)域

光刻膠是微電子制造的主要材料,，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

 半導(dǎo)體制造

? 功能：在晶圓表面形成微細(xì)電路圖案,，作為蝕刻或離子注入的掩膜。

? 分類：

? 正性光刻膠：曝光區(qū)域溶解于顯影液,，形成與掩膜版一致的圖案（主流,，分辨率高）。

? 負(fù)性光刻膠：未曝光區(qū)域溶解,，形成反向圖案（用于早期工藝,，耐蝕刻性強(qiáng)）。

? 技術(shù)演進(jìn)：隨制程精度提升,，需匹配不同曝光波長（紫外UV,、深紫外DUV、極紫外EUV）,，例如EUV光刻膠用于7nm以下制程,。

 平板顯示（LCD/OLED）

? 彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍(lán)像素單元，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）,、彩色層（R/G/B）和保護(hù)層,。

? 電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極，需高透光率和精細(xì)邊緣控制。

 印刷電路板（PCB）

? 線路蝕刻：在覆銅板上涂膠,，曝光顯影后保留線路區(qū)域，蝕刻去除未保護(hù)的銅箔,，形成導(dǎo)電線路,。

? 阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域，防止短路,；字符膠用于印刷電路板標(biāo)識,。

 LED與功率器件

? 芯片制造：在藍(lán)寶石/硅基板上制作電極和量子阱結(jié)構(gòu)，需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠,。

? Micro-LED：微米級芯片轉(zhuǎn)移和陣列化,，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）。

告別顯影殘留,！化學(xué)增幅型光刻膠助力封裝,。四川LCD光刻膠品牌

四川LCD光刻膠品牌,光刻膠

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司憑借技術(shù)創(chuàng)新與質(zhì)量優(yōu)勢，在半導(dǎo)體材料行業(yè)占據(jù)重要地位,。公司聚焦光刻膠,、電子膠、錫膏等產(chǎn)品,，其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強(qiáng)酸強(qiáng)堿環(huán)境,，適用于高精度納米結(jié)構(gòu)制造；LCD 光刻膠以高穩(wěn)定性和精細(xì)度成為顯示面板行業(yè)的推薦材料,。此外,，公司還提供焊片、靶材等配套材料,，滿足客戶多元化需求,。

在技術(shù)層面，吉田半導(dǎo)體通過自主研發(fā)與國際合作結(jié)合,，持續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)工藝,，實(shí)現(xiàn)全流程自動化控制。其生產(chǎn)基地配備先進(jìn)設(shè)備,，并嚴(yán)格執(zhí)行國際標(biāo)準(zhǔn),，確保產(chǎn)品性能達(dá)到國際水平。同時(shí),，公司注重人才培養(yǎng)與引進(jìn),，匯聚化工、材料學(xué)等領(lǐng)域的專業(yè)團(tuán)隊(duì),，為技術(shù)創(chuàng)新提供堅(jiān)實(shí)支撐,。未來，吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)以 “中國前列半導(dǎo)體材料方案提供商” 為愿景，推動行業(yè)技術(shù)升級與國產(chǎn)化進(jìn)程,。
福建納米壓印光刻膠感光膠吉田半導(dǎo)體助力區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展,，推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。

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不同光刻膠類型的適用場景對比
類型 波長范圍 分辨率 典型應(yīng)用產(chǎn)品 
G線/i線光刻膠 436/365nm ≥1μm PCB,、LCD黑色矩陣 吉田半導(dǎo)體JT-100系列 
KrF光刻膠 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片,、Mini LED制備 吉田半導(dǎo)體YK-300系列 
ArF光刻膠 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED電極圖案化 國際主流：JSR ARF系列 
EUV光刻膠 13.5nm ≤7nm 7nm以下先進(jìn)制程,、3D NAND堆疊 研發(fā)中（吉田半導(dǎo)體合作攻關(guān)） 
水性光刻膠 全波長適配 5-50μm 柔性顯示,、環(huán)保PCB阻焊層 吉田半導(dǎo)體WT-200系列 

總結(jié)：多領(lǐng)域滲透的“工業(yè)維生素”

光刻膠的應(yīng)用深度綁定電子信息產(chǎn)業(yè)，從半導(dǎo)體芯片的“納米級雕刻”到PCB的“毫米級線路”,，再到顯示面板的“色彩精細(xì)控制”,，其技術(shù)參數(shù)（分辨率、耐蝕刻性,、靈敏度）需根據(jù)場景設(shè)計(jì),。隨著**新能源（車規(guī)芯片、光伏）,、新型顯示（Micro LED）,、先進(jìn)制造（納米壓印）**等領(lǐng)域的發(fā)展,，光刻膠的應(yīng)用邊界將持續(xù)擴(kuò)展,，成為支撐制造的關(guān)鍵材料。

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,，各有特性與優(yōu)勢,，適用于不同領(lǐng)域。

LCD 正性光刻膠 YK - 200：具有較大曝光,、高分辨率,、良好涂布和附著力的特點(diǎn)，重量 100g,。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝,，能確保 LCD 生產(chǎn)過程中圖形的精確轉(zhuǎn)移和良好的涂布效果。

半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300：具備耐熱耐酸,、耐溶劑性,、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g,。主要用于半導(dǎo)體制造工藝,，滿足半導(dǎo)體器件對光刻膠在化學(xué)穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。

耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT - NF100：重量 1L,，具有耐腐蝕的特性,，適用于在有腐蝕風(fēng)險(xiǎn)的光刻工藝中,，比如一些特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。 吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣,。

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 光伏電池（半導(dǎo)體級延伸）
? HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極,，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm2），線寬≤20μm,，降低遮光損失,。

? 鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離，需耐有機(jī)溶劑（適應(yīng)溶液涂布工藝）,。

 納米壓印技術(shù)（下一代光刻）

? 納米壓印光刻膠：通過模具壓印實(shí)現(xiàn)10nm級分辨率，用于3D NAND存儲孔陣列（直徑≤20nm）,、量子點(diǎn)顯示陣列等,。

 微流控與生物醫(yī)療

? 微流控芯片：制造微米級流道（寬度10-100μm），材料需生物相容性（如PDMS基材適配）,。

? 生物檢測芯片：通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點(diǎn),，精度≤5μm。
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 晶圓制造（前道工藝）
? 功能：在硅片表面形成高精度電路圖形,，是光刻工藝的主要材料,。

? 細(xì)分場景：

? 邏輯/存儲芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）、14nm以下先進(jìn)制程的ArF浸沒式光刻膠（分辨率≤45nm）,，以及極紫外（EUV）光刻膠（目標(biāo)7nm以下,，研發(fā)中）。

? 功率半導(dǎo)體（如IGBT）：使用厚膜光刻膠（膜厚5-50μm）,，滿足深溝槽刻蝕需求,。

? MEMS傳感器：通過高深寬比光刻膠（如SU-8）實(shí)現(xiàn)微米級結(jié)構(gòu)（如加速度計(jì)、陀螺儀的懸臂梁）,。

 芯片封裝（后道工藝）

? 先進(jìn)封裝技術(shù)：

? Flip Chip（倒裝芯片）：用光刻膠形成凸點(diǎn)（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL）,，線寬精度要求≤10μm。

? 2.5D/3D封裝：在硅通孔（TSV）工藝中,，光刻膠用于定義通孔開口（直徑5-50μm）,。

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標(biāo)簽： 錫片 光刻膠