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廣州負性光刻膠感光膠

來源： 發(fā)布時間：2025-05-12

廣東吉田半導體材料有限公司成立于 2023 年,，總部位于東莞松山湖經濟技術開發(fā)區(qū)，注冊資本 2000 萬元,。作為高新企業(yè)和廣東省專精特新企業(yè),，公司專注于半導體材料的研發(fā)、生產與銷售,，產品線覆蓋芯片光刻膠、LCD 光刻膠,、納米壓印光刻膠,、半導體錫膏,、焊片及靶材等領域,。其光刻膠產品以高分辨率,、耐蝕刻性和環(huán)保特性著稱,，廣泛應用于芯片制造、顯示面板及精密電子元件生產,。

公司依托 23 年行業(yè)經驗積累，構建了完整的技術研發(fā)體系,，擁有全自動化生產設備及多項技術,。原材料均選用美國、德國,、日本進口的材料,，并通過 ISO9001:2008 質量管理體系認證,，生產流程嚴格執(zhí)行 8S 現場管理標準,，確保產品穩(wěn)定性與一致性。目前,，吉田半導體已與多家世界 500 強企業(yè)及電子加工企業(yè)建立長期合作,，產品遠銷全球市場，致力于成為半導體材料領域的企業(yè)。
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主要優(yōu)勢：細分領域技術突破與產業(yè)鏈協同

 技術積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發(fā)經驗，實現了從樹脂合成,、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化,。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,，分辨率達3μm，適用于MEMS傳感器,、光學器件等領域,，填補了國內空白,。
技術壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂,、光酸）的合成技術，部分原材料純度達PPT級,，金屬離子含量低于0.1ppb,，良率超99%。

 產品多元化與技術化布局
產品線覆蓋芯片光刻膠,、納米壓印光刻膠,、LCD光刻膠、半導體錫膏等,，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系,。例如：

? LCD光刻膠：適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術,，與京東方,、TCL華星合作開發(fā)高分辨率產品，良率提升至98%,。

? 半導體錫膏：供應華為,、OPPO等企業(yè)，年采購量超200噸,，用于5G手機主板封裝,。
技術化延伸：計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發(fā)，目標進入中芯國際,、長江存儲供應鏈,。

 質量控制與生產能力
通過ISO9001:2008質量體系認證，生產環(huán)境執(zhí)行8S管理,，原材料采用美,、德、日進口高質量材料。擁有全自動化生產線,，年產能達2000噸（光刻膠及配套材料）,，支持大規(guī)模訂單交付。

安徽激光光刻膠價格聚焦封裝需求,，吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一姑式服務,。

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廣東吉田半導體材料有限公司以全球化視野布局市場，通過嚴格的質量管控與完善的服務體系贏得客戶信賴,。公司產品不僅通過 ISO9001 認證,，更以進口原材料和精細化生產流程保障品質，例如錫膏產品采用無鹵無鉛配方,，符合環(huán)保要求,，適用于電子產品制造。其銷售網絡覆蓋全球,，與富士康,、聯想等企業(yè)保持長期合作，并在全國重點區(qū)域設立辦事處,，提供本地化技術支持與售后服務,。

作為廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)，吉田半導體始終將技術研發(fā)視為核心競爭力,。公司投入大量資源開發(fā)新型光刻膠及焊接材料,，例如 BGA 助焊膏和針筒錫膏，滿足精密電子組裝的需求,。同時,，依托東莞 “世界工廠” 的產業(yè)集群優(yōu)勢，公司強化供應鏈協同,，縮短交付周期,，為客戶提供高效解決方案。未來,，吉田半導體將持續(xù)深化技術創(chuàng)新與全球合作,，助力中國半導體產業(yè)邁向更高臺階。

客戶認證：從實驗室到產線的漫長“闖關”

 驗證周期與試錯成本
半導體光刻膠需經歷PRS（性能測試）,、STR（小試）,、MSTR（中批量驗證）等階段，周期長達2-3年,。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,，直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺認證。試錯成本極高,，單次晶圓測試費用超百萬元,，且客戶為維持產線穩(wěn)定，通常不愿更換供應商。

 設備與工藝的協同難題
光刻膠需與光刻機,、涂膠顯影機等設備高度匹配,。國內企業(yè)因缺乏ASML EUV光刻機測試資源，只能依賴二手設備或與晶圓廠合作驗證,，導致研發(fā)效率低下,。例如，華中科技大學團隊開發(fā)的EUV光刻膠因無法接入ASML原型機測試,，性能參數難以對標國際,。
無鹵無鉛錫膏廠家吉田，RoHS 認證,，為新能源領域提供服務,！

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工藝流程

? 目的：去除基板表面油污、顆粒,，增強感光膠附著力。

? 方法：

? 化學清洗（硫酸/雙氧水,、去離子水）,；

? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）,。

 涂布（Coating）

? 方式：

? 旋涂：半導體/顯示領域,，厚度控制精確（納米至微米級），轉速500-5000rpm,；

? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領域,，適合大面積或厚膠（微米至百微米級，如負性膠可達100μm）,。

? 關鍵參數：膠液黏度,、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）,。

 前烘（Soft Bake）

? 目的：揮發(fā)溶劑,，固化膠膜，增強附著力和穩(wěn)定性,。

? 條件：

? 溫度：60-120℃（正性膠通常更低,，如90℃；負性膠可至100℃以上）,；

? 時間：5-30分鐘（根據膠厚調整,，厚膠需更長時間）。

 曝光（Exposure）

? 光源：

? 紫外光（UV）：G線（436nm）,、I線（365nm）用于傳統光刻（分辨率≥1μm）,；

? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導體先進制程（分辨率至20nm）；

? 極紫外（EUV）：13.5nm,，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）,。

? 曝光方式：

? 接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS,，低成本但精度低）,；

? 投影式：通過物鏡聚焦（半導體，分辨率高,，如ArF光刻機精度達22nm）,。

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吉田半導體 SU-3 負性光刻膠：國產技術賦能 5G 芯片封裝

自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工，成為 5G 芯片高密度封裝材料,。
針對 5G 芯片封裝需求,，吉田半導體自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠，分辨率達 1.5μm,，抗深蝕刻速率 > 500nm/min,。其超高感光度與耐化學性確保復雜圖形的完整性，已應用于高通 5G 基帶芯片量產,。產品采用國產原材料與工藝,，不采用國外材料，成本較進口產品降低 40%,，幫助客戶提升封裝良率至 98.5%,，為國產 5G 芯片制造提供關鍵材料支撐。
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標簽： 錫片 光刻膠