主要應(yīng)用場(chǎng)景
印刷電路板（PCB）：
? 通孔/線路加工：負(fù)性膠厚度可達(dá)20-50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化鐵,、堿性氯化銅），適合制作大尺寸線路（線寬/線距≥50μm）,，如雙面板,、多層板的外層電路。
? 阻焊層：作為絕緣保護(hù)層,，覆蓋非焊盤區(qū)域,，需厚膠（50-100μm）和高耐焊接溫度（260℃以上），負(fù)性膠因工藝簡(jiǎn)單,、成本低而廣泛應(yīng)用,。
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）：
? 深硅蝕刻（DRIE）：負(fù)性膠作為蝕刻掩膜，厚度可達(dá)100μm以上,，耐SF?等強(qiáng)腐蝕性氣體,，用于制作加速度計(jì)、陀螺儀的高深寬比結(jié)構(gòu)（深寬比＞20:1）,。
? 模具制造：在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具,，利用負(fù)性膠的厚膠成型能力。
平板顯示（LCD）：
? 彩色濾光片（CF）基板預(yù)處理：在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層,，耐濕法蝕刻（如HF溶液）,，確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布。
功率半導(dǎo)體與分立器件：
? IGBT,、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻：負(fù)性膠用于制作較寬的隔離溝槽（寬度＞10μm）,，耐高濃度酸堿蝕刻，降低工藝成本,。
告別顯影殘留,！化學(xué)增幅型光刻膠助力封裝。深圳激光光刻膠生產(chǎn)廠家
以 15% 年研發(fā)投入為驅(qū)動(dòng),，吉田半導(dǎo)體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發(fā),，搶占行業(yè)制高點(diǎn)。布局下一代光刻技術(shù),。
面對(duì)極紫外光刻技術(shù)挑戰(zhàn)，吉田半導(dǎo)體與中科院合作開發(fā)化學(xué)放大型 EUV 光刻膠,，在感光效率（<10mJ/cm2）和耐蝕性（>80%）指標(biāo)上取得階段性進(jìn)展,。同時(shí),，公司前瞻性布局木基光刻膠研發(fā)，對(duì)標(biāo)日本王子控股技術(shù),，探索生物基材料在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用,。這些技術(shù)儲(chǔ)備為 7nm 及以下制程提供支撐，助力中國(guó)在下一代光刻技術(shù)中占據(jù)重要地位,。山東納米壓印光刻膠工廠吉田技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)能力,。
全品類覆蓋與定制化能力
吉田半導(dǎo)體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠,、LCD光刻膠等全品類,，適用于半導(dǎo)體、顯示面板,、MEMS等多個(gè)領(lǐng)域,。例如，其LCD正性光刻膠YK-200和水油光刻膠JT-2001可滿足0.45μm及以上線寬需求,，支持客戶定制化工藝參數(shù),，尤其在柔性顯示（OLED）和Mini/Micro LED等新興領(lǐng)域表現(xiàn)突出。
技術(shù)亮點(diǎn)：通過(guò)自主研發(fā)的樹脂配方和光敏劑體系,，實(shí)現(xiàn)了高分辨率（120nm）和高抗蝕性的平衡,，部分指標(biāo)（如線寬粗糙度LWR<3nm）接近國(guó)際主流產(chǎn)品水平。
國(guó)產(chǎn)化材料與工藝適配
公司采用進(jìn)口原材料+本地化生產(chǎn)模式,，關(guān)鍵樹脂單體,、光敏劑等主要成分通過(guò)德國(guó)默克、日本信越等供應(yīng)商采購(gòu),，同時(shí)建立了超純提純工藝（雜質(zhì)含量<1ppm）,，確保產(chǎn)品穩(wěn)定性。此外,，其光刻膠與國(guó)內(nèi)主流光刻機(jī)（如上海微電子SSA800）,、勻膠顯影機(jī)（如盛美上海）的兼容性已通過(guò)驗(yàn)證，縮短客戶工藝調(diào)試周期,。
主要優(yōu)勢(shì)：細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
技術(shù)積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn),，實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化,。例如,，其納米壓印光刻膠通過(guò)自主開發(fā)的樹脂體系，分辨率達(dá)3μm,，適用于MEMS傳感器,、光學(xué)器件等領(lǐng)域，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。
技術(shù)壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂,、光酸）的合成技術(shù),，部分原材料純度達(dá)PPT級(jí)，金屬離子含量低于0.1ppb,，良率超99%,。
產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局
產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠,、LCD光刻膠,、半導(dǎo)體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系,。例如：
? LCD光刻膠：適配AMOLED,、Micro LED等新型顯示技術(shù)，與京東方,、TCL華星合作開發(fā)高分辨率產(chǎn)品,，良率提升至98%。
? 半導(dǎo)體錫膏：供應(yīng)華為,、OPPO等企業(yè),，年采購(gòu)量超200噸，用于5G手機(jī)主板封裝,。
技術(shù)化延伸：計(jì)劃2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā),，目標(biāo)進(jìn)入中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)供應(yīng)鏈,。
質(zhì)量控制與生產(chǎn)能力
通過(guò)ISO9001:2008質(zhì)量體系認(rèn)證,，生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理，原材料采用美,、德,、日進(jìn)口高質(zhì)量材料。擁有全自動(dòng)化生產(chǎn)線,，年產(chǎn)能達(dá)2000噸（光刻膠及配套材料）,，支持大規(guī)模訂單交付。
半導(dǎo)體芯片制造,，用于精細(xì)電路圖案光刻,，決定芯片性能與集成度。
LCD 正性光刻膠（YK-200）應(yīng)用場(chǎng)景：LCD 面板的電極圖案化（如 TFT-LCD 的柵極,、源漏極）,、彩色濾光片制造。特點(diǎn)：高感光度與均勻涂布性,，確保顯示面板的高對(duì)比度和色彩還原度,。
厚膜光刻膠（JT-3001）應(yīng)用場(chǎng)景：Mini LED/Micro LED 顯示基板的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),，以及 OLED 面板的封裝工藝。特點(diǎn)：膜厚可控（可達(dá)數(shù)十微米）,，滿足高密度像素陣列的精細(xì)加工需求,。
PCB 光刻膠（如 SU-3 負(fù)性光刻膠）應(yīng)用場(chǎng)景：高多層 PCB、HDI（高密度互連）板的線路成像,，以及 IC 載板的精細(xì)線路制作。特點(diǎn)：抗電鍍性能優(yōu)異,，支持細(xì)至 50μm 以下的線寬 / 線距,，適應(yīng) 5G 通信、服務(wù)器等 PCB 需求,。
松山湖光刻膠廠家吉田,，23 年經(jīng)驗(yàn) + 全自動(dòng)化產(chǎn)線，支持納米壓印光刻膠定制,！安徽3微米光刻膠廠家
吉田公司以無(wú)鹵無(wú)鉛配方與低 VOC 工藝打造環(huán)保光刻膠,。深圳激光光刻膠生產(chǎn)廠家
關(guān)鍵工藝流程
涂布：
? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調(diào)整）,，需均勻無(wú)氣泡（旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm）,。
前烘（Soft Bake）：
? 加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜,，增強(qiáng)附著力（避免顯影時(shí)邊緣剝離）,。
曝光：
? 光源匹配：
? G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB,、LCD）,。
? DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準(zhǔn)分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲(chǔ)芯片）,。
? EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程,，需控制納米級(jí)缺陷）。
? 曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm2）,，避免過(guò)曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真,。
顯影：
? 采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH）,，曝光區(qū)域膠膜溶解,，未曝光區(qū)域保留，形成三維立體圖案,。
后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：
? 化學(xué)增幅型膠需此步驟,，通過(guò)加熱（90-130℃）激發(fā)光酸催化反應(yīng)，提高分辨率和耐蝕刻性,。
深圳激光光刻膠生產(chǎn)廠家
