1. 正性光刻膠（如 YK-300）
   應(yīng)用場(chǎng)景：用于芯片的精細(xì)圖案化,，如集成電路（IC）、分立器件（二極管,、三極管）的制造,。
   特點(diǎn)：高分辨率（可達(dá)亞微米級(jí)），適用于多層光刻工藝,，確保芯片電路的高精度與可靠性,。
2. 負(fù)性光刻膠（如 JT-1000）
   應(yīng)用場(chǎng)景：用于功率半導(dǎo)體（如 MOSFET、IGBT）的制造,，以及傳感器（如 MEMS）的微結(jié)構(gòu)成型,。
   特點(diǎn)：抗蝕刻能力強(qiáng)，適合復(fù)雜圖形的轉(zhuǎn)移,，尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異,。
3. 納米壓印光刻膠（JT-2000）
   應(yīng)用場(chǎng)景：第三代半導(dǎo)體（GaN、SiC）芯片,、量子點(diǎn)器件及微流控芯片的制造,。特點(diǎn)：耐高溫（250℃）、耐酸堿,，支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制,，降低芯片的制造成本,。

吉田半導(dǎo)體突破光刻膠共性難題，提升行業(yè)生產(chǎn)效率,，通過優(yōu)化材料配方與工藝,，吉田半導(dǎo)體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題,，助力客戶降本增效,。
針對(duì)傳統(tǒng)光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴(yán)重等問題,，吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產(chǎn)品高 8%,，密集圖形側(cè)壁垂直度達(dá)標(biāo)率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù),，在顯影過程中減少有機(jī)溶劑對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體的損傷,，使芯片良率提升至 99.8%。這些技術(shù)突破有效降低客戶生產(chǎn)成本,，推動(dòng)行業(yè)生產(chǎn)效率提升,。負(fù)性光刻膠生產(chǎn)原料,。

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板,、負(fù)性,、正性、納米壓印及光刻膠等類別,，以滿足不同領(lǐng)域的需求,。

厚板光刻膠：JT-3001 型號(hào),，具有優(yōu)異的分辨率和感光度,，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),，保質(zhì)期 1 年,。適用于對(duì)精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造,。

負(fù)性光刻膠

• SU-3 負(fù)性光刻膠：分辨率優(yōu)異,，對(duì)比度良好，曝光靈敏度高,，光源適應(yīng),，重量 100g。常用于對(duì)曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工,、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域,。
• 負(fù)性光刻膠 JT-1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格，具有優(yōu)異的分辨率,、良好的對(duì)比度和高曝光靈敏度,，光源適應(yīng)。主要應(yīng)用于對(duì)光刻精度要求高的領(lǐng)域,，如半導(dǎo)體器件制造,。
• 耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT-NF100：重量 1L，具備耐腐蝕特性,。適用于有腐蝕風(fēng)險(xiǎn)的光刻工藝,，如特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。

吉田半導(dǎo)體：以技術(shù)革新驅(qū)動(dòng)光刻膠產(chǎn)業(yè)升級(jí),。深圳光刻膠多少錢

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