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來源： 發(fā)布時間：2025-05-24

吉田半導體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘,，國產(chǎn)替代再迎新進展

自主研發(fā) ArF 光刻膠通過中芯國際驗證，吉田半導體填補國內(nèi)光刻膠空白,。
吉田半導體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠,，分辨率達 90nm,，適用于 14nm 及以上制程，已通過中芯國際量產(chǎn)驗證,。該產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與自主配方,，突破日本企業(yè)對 ArF 光刻膠的壟斷。其光酸產(chǎn)率提升 30%,，蝕刻選擇比達 4:1,，性能對標日本信越的 ArF 系列。吉田半導體的技術(shù)突破加速了國產(chǎn)芯片制造材料自主化進程,，為國內(nèi)晶圓廠提供高性價比解決方案,。
吉田半導體全系列產(chǎn)品覆蓋，滿足多元化需求,。河南水性光刻膠價格

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技術(shù)優(yōu)勢：23年研發(fā)沉淀與細分領(lǐng)域突破

 全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實現(xiàn)了從樹脂合成,、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如,，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,，實現(xiàn)了3μm的分辨率，適用于MEMS傳感器,、光學器件等領(lǐng)域,。
技術(shù)壁壘：公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗，掌握光刻膠主要原材料（如樹脂,、光酸）的合成技術(shù),，部分原材料純度達PPT級。

 細分領(lǐng)域技術(shù)先進

? 納米壓印光刻膠：在納米級圖案化領(lǐng)域（如量子點顯示,、生物芯片）實現(xiàn)技術(shù)突破,，分辨率達3μm，填補國內(nèi)空缺,。

? LCD光刻膠：針對顯示面板行業(yè)需求,，開發(fā)出高感光度、高對比度的光刻膠,，適配AMOLED,、Micro LED等新型顯示技術(shù),。

 研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術(shù)性企業(yè)認證,，與新材料領(lǐng)域同伴們合作開發(fā)半導體光刻膠，計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發(fā),。
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作為中國半導體材料領(lǐng)域的企業(yè),，吉田半導體材料有限公司始終以自研自產(chǎn)為戰(zhàn)略,，通過 23 年技術(shù)沉淀與持續(xù)創(chuàng)新，成功突破多項 “卡脖子” 技術(shù)，構(gòu)建起從原材料到成品的全鏈條國產(chǎn)化能力,。其自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品已覆蓋芯片制造,、顯示面板、精密電子等領(lǐng)域,，為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供關(guān)鍵支撐,。
吉田半導體依托自主研發(fā)中心與產(chǎn)學研合作，在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項技術(shù)突破：
  • YK-300 正性光刻膠：分辨率達 0.35μm,，線寬粗糙度（LWR）≤3nm,，適用于 45nm 及以上制程，良率達 98% 以上,，成本較進口產(chǎn)品降低 40%,，已通過中芯國際量產(chǎn)驗證。
  • SU-3 負性光刻膠：支持 3μm 厚膜加工,，抗深蝕刻速率 > 500nm/min,，成功應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片封裝，良率提升至 98.5%,。
  • JT-2000 納米壓印光刻膠：突破 250℃耐高溫極限,，圖形保真度 > 95%，性能對標德國 MicroResist 系列,，已應(yīng)用于國產(chǎn) EUV 光刻機前道工藝,。

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 驗證周期與試錯成本
半導體光刻膠需經(jīng)歷PRS（性能測試）、STR（小試）,、MSTR（中批量驗證）等階段,，周期長達2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,，直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺認證,。試錯成本極高，單次晶圓測試費用超百萬元,，且客戶為維持產(chǎn)線穩(wěn)定,，通常不愿更換供應(yīng)商。

 設(shè)備與工藝的協(xié)同難題
光刻膠需與光刻機,、涂膠顯影機等設(shè)備高度匹配,。國內(nèi)企業(yè)因缺乏ASML EUV光刻機測試資源，只能依賴二手設(shè)備或與晶圓廠合作驗證,，導致研發(fā)效率低下,。例如，華中科技大學團隊開發(fā)的EUV光刻膠因無法接入ASML原型機測試,，性能參數(shù)難以對標國際,。
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光刻膠（Photoresist）是一種對光敏感的高分子材料,，主要用于光刻工藝中，通過光化學反應(yīng)實現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移,，是半導體,、集成電路（IC）、印刷電路板（PCB）,、液晶顯示（LCD）等制造領(lǐng)域的材料之一,。

光刻膠特性與組成

? 光敏性：在特定波長（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下,，會發(fā)生化學結(jié)構(gòu)變化（如交聯(lián)或分解）,，從而改變在顯影液中的溶解性。

? 主要成分：

? 樹脂（成膜劑）：形成基礎(chǔ)膜層,，決定光刻膠的機械和化學性能,。

? 光敏劑：吸收光能并引發(fā)化學反應(yīng)（如光分解、光交聯(lián)）,。

? 溶劑：調(diào)節(jié)粘度,，便于涂覆成膜。

? 添加劑：改善性能（如感光度,、分辨率,、對比度等）。
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吉田半導體突破光刻膠共性難題,，提升行業(yè)生產(chǎn)效率，通過優(yōu)化材料配方與工藝,，吉田半導體解決光刻膠留膜率低,、蝕刻損傷等共性問題，助力客戶降本增效,。
針對傳統(tǒng)光刻膠留膜率低,、蝕刻損傷嚴重等問題，吉田半導體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產(chǎn)品高 8%,，密集圖形側(cè)壁垂直度達標率提升 15%,。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù)，在顯影過程中減少有機溶劑對有機半導體的損傷,，使芯片良率提升至 99.8%,。這些技術(shù)突破有效降低客戶生產(chǎn)成本，推動行業(yè)生產(chǎn)效率提升,。河南水性光刻膠價格

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