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惠州水油光刻膠

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-24

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司以光刻膠為中心,逐步拓展至半導(dǎo)體全材料領(lǐng)域,,形成了 “技術(shù)驅(qū)動(dòng),、全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋” 的發(fā)展格局。公司產(chǎn)品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠,,還延伸至錫膏,、焊片、靶材等配套材料,,為客戶提供一站式采購服務(wù),。

市場(chǎng)與榮譽(yù):
  • 產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球 50 多個(gè)地區(qū),客戶包括電子制造服務(wù)商(EMS)及半導(dǎo)體廠商,。
  • 獲評(píng) “廣東省專精特新企業(yè)”“廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)”,,并通過技術(shù)企業(yè)認(rèn)證。
  • 生產(chǎn)基地配備自動(dòng)化設(shè)備,,年產(chǎn)能超千噸,,滿足大規(guī)模訂單需求,。
未來展望:
公司計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大研發(fā)中心規(guī)模,聚焦第三代半導(dǎo)體材料研發(fā),,如 GaN,、SiC 相關(guān)光刻膠技術(shù)。同時(shí),,深化全球化布局,,在東南亞、歐洲等地設(shè)立分支機(jī)構(gòu),,強(qiáng)化本地化服務(wù)能力,。
耐高溫光刻膠 JT-2000,250℃環(huán)境穩(wěn)定運(yùn)行,,圖形保真度超 95%,,用于納米結(jié)構(gòu)制造!惠州水油光刻膠

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以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝為,,吉田半導(dǎo)體打造環(huán)保光刻膠,,助力電子產(chǎn)業(yè)低碳轉(zhuǎn)型。面對(duì)全球環(huán)保趨勢(shì),,吉田半導(dǎo)體推出無鹵無鉛錫膏與焊片,,通過歐盟 RoHS 認(rèn)證,焊接可靠性提升 30%,。其 LCD 光刻膠采用低 VOC 配方(<50g/L),,符合歐盟 REACH 法規(guī),生產(chǎn)過程中通過多級(jí)廢氣處理與水循環(huán)系統(tǒng),,實(shí)現(xiàn)零排放,。公司嚴(yán)格執(zhí)行 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理,工業(yè)固廢循環(huán)利用率超 90%,,為新能源汽車,、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域提供綠色材料解決方案,成為全球客戶信賴的環(huán)保材料供應(yīng)商,。武漢LED光刻膠工廠半導(dǎo)體材料方案選吉田,,歐盟 REACH 合規(guī),24 小時(shí)技術(shù)支持,!

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應(yīng)用場(chǎng)景

 半導(dǎo)體集成電路(IC)制造:

? 邏輯芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,,正性DUV/EUV膠用于晶體管、互連布線的精細(xì)圖案化(如10nm節(jié)點(diǎn)線寬只有100nm),。

? 存儲(chǔ)芯片(DRAM/NAND):3D堆疊結(jié)構(gòu)中,,正性膠用于層間接觸孔(Contact)和柵極(Gate)的高深寬比圖形(深寬比>10:1),。

 平板顯示(LCD/OLED):

? 彩色濾光片(CF):制作黑矩陣(BM)和彩色層(R/G/B),,要求高透光率和邊緣銳利度(線寬5-10μm),。

? OLED電極:在柔性基板上形成微米級(jí)透明電極,需低應(yīng)力膠膜防止基板彎曲變形,。

 印刷電路板(PCB):

? 高密度互連(HDI):用于細(xì)線路(線寬/線距≤50μm),,如智能手機(jī)主板,相比負(fù)性膠,,正性膠可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的線路邊緣,。

 微納加工與科研:

? MEMS傳感器:制作微米級(jí)懸臂梁、齒輪等結(jié)構(gòu),,需耐干法蝕刻的正性膠(如含硅樹脂膠),。

? 納米光刻:電子束光刻膠(正性為主)用于研發(fā)級(jí)納米圖案(分辨率<10nm)。

定義與特性

負(fù)性光刻膠是一種在曝光后,,未曝光區(qū)域會(huì)溶解于顯影液的光敏材料,,形成與掩膜版(Mask)圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比,,其主要特點(diǎn)是耐蝕刻性強(qiáng),、工藝簡(jiǎn)單、成本低,,但分辨率較低(通?!?μm),主要應(yīng)用于對(duì)精度要求相對(duì)較低,、需要厚膠或高耐腐蝕性的場(chǎng)景,。

化學(xué)組成與工作原理

 主要成分

 基體樹脂:

? 早期以聚異戊二烯橡膠(天然或合成)為主,目前常用環(huán)化橡膠(Cyclized Rubber)或聚乙烯醇肉桂酸酯,,提供膠膜的機(jī)械強(qiáng)度和耐蝕刻性,。

 光敏劑:

? 主要為雙疊氮化合物(如雙疊氮芪)或重氮醌類衍生物,占比約5%-10%,,吸收紫外光后引發(fā)交聯(lián)反應(yīng),。

 交聯(lián)劑:

? 如六亞甲基四胺(烏洛托品),在曝光后與樹脂發(fā)生交聯(lián),,形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),。

 溶劑:

? 多為有機(jī)溶劑(如二甲苯、環(huán)己酮),,溶解樹脂和光敏劑,,涂布后揮發(fā)形成均勻膠膜。

 工作原理

 曝光前:光敏劑和交聯(lián)劑均勻分散在樹脂中,,膠膜可溶于顯影液(有機(jī)溶劑),。

 曝光時(shí):

? 光敏劑吸收紫外光(G線436nm為主)后產(chǎn)生活性自由基,引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂分子間的共價(jià)鍵交聯(lián),,使曝光區(qū)域形成不溶于顯影液的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),。

 顯影后:

? 未曝光區(qū)域的樹脂因未交聯(lián),,被顯影液溶解去除,曝光區(qū)域保留,,形成負(fù)性圖案(與掩膜版相反),。
光刻膠新興及擴(kuò)展應(yīng)用。

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 晶圓制造(前道工藝)

? 功能:在硅片表面形成高精度電路圖形,,是光刻工藝的主要材料,。

? 細(xì)分場(chǎng)景:

? 邏輯/存儲(chǔ)芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先進(jìn)制程的ArF浸沒式光刻膠(分辨率≤45nm),,以及極紫外(EUV)光刻膠(目標(biāo)7nm以下,,研發(fā)中)。

? 功率半導(dǎo)體(如IGBT):使用厚膜光刻膠(膜厚5-50μm),,滿足深溝槽刻蝕需求,。

? MEMS傳感器:通過高深寬比光刻膠(如SU-8)實(shí)現(xiàn)微米級(jí)結(jié)構(gòu)(如加速度計(jì)、陀螺儀的懸臂梁),。

 芯片封裝(后道工藝)

? 先進(jìn)封裝技術(shù):

? Flip Chip(倒裝芯片):用光刻膠形成凸點(diǎn)(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),,線寬精度要求≤10μm。

? 2.5D/3D封裝:在硅通孔(TSV)工藝中,,光刻膠用于定義通孔開口(直徑5-50μm),。

吉田半導(dǎo)體光刻膠,45nm 制程驗(yàn)證,,國產(chǎn)替代方案,!中山進(jìn)口光刻膠國產(chǎn)廠商

吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣?;葜菟凸饪棠z

主要優(yōu)勢(shì):細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

 技術(shù)積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn),,實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化,。例如,,其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,分辨率達(dá)3μm,,適用于MEMS傳感器,、光學(xué)器件等領(lǐng)域,填補(bǔ)了國內(nèi)空白,。
技術(shù)壁壘:掌握光刻膠主要原材料(如樹脂,、光酸)的合成技術(shù),部分原材料純度達(dá)PPT級(jí),,金屬離子含量低于0.1ppb,,良率超99%。

 產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局
產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠,、LCD光刻膠,、半導(dǎo)體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整體系,。例如:

? LCD光刻膠:適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù),,與京東方,、TCL華星合作開發(fā)高分辨率產(chǎn)品,良率提升至98%,。

? 半導(dǎo)體錫膏:供應(yīng)華為,、OPPO等企業(yè),年采購量超200噸,,用于5G手機(jī)主板封裝,。
技術(shù)化延伸:計(jì)劃2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā),目標(biāo)進(jìn)入中芯國際,、長(zhǎng)江存儲(chǔ)供應(yīng)鏈,。

 質(zhì)量控制與生產(chǎn)能力
通過ISO9001:2008質(zhì)量體系認(rèn)證,生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理,,原材料采用美,、德、日進(jìn)口高質(zhì)量材料,。擁有全自動(dòng)化生產(chǎn)線,,年產(chǎn)能達(dá)2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規(guī)模訂單交付,。

惠州水油光刻膠

標(biāo)簽: 錫膏 光刻膠 錫片