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上海紫外光刻膠報價

來源： 發(fā)布時間：2025-05-24

關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體制造：

? 在晶圓表面涂覆光刻膠,，通過掩膜曝光,、顯影，刻蝕出晶體管,、電路等納米級結(jié)構(gòu)（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）,。

 印刷電路板（PCB）：

? 保護(hù)電路圖形或作為蝕刻抗蝕層，制作線路和焊盤,。

 顯示面板（LCD/OLED）：

? 用于制備彩色濾光片,、電極圖案等。

 微機電系統(tǒng)（MEMS）：

? 加工微結(jié)構(gòu)（如傳感器,、執(zhí)行器）,。

工作原理（以正性膠為例）

1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠，烘干形成薄膜,。

2. 曝光：通過掩膜版,，用特定波長光線照射，曝光區(qū)域的光敏劑分解,，使樹脂變得易溶于顯影液,。

3. 顯影：用顯影液溶解曝光區(qū)域，留下未曝光的光刻膠圖案,，作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層,。

4. 后續(xù)工藝：刻蝕基材（保留未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域），或去除光刻膠（剝離工藝）,。
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應(yīng)用場景

 半導(dǎo)體集成電路（IC）制造：

? 邏輯芯片（CPU/GPU）：在28nm以下制程中,，正性DUV/EUV膠用于晶體管,、互連布線的精細(xì)圖案化（如10nm節(jié)點線寬只有100nm）。

? 存儲芯片（DRAM/NAND）：3D堆疊結(jié)構(gòu)中，正性膠用于層間接觸孔（Contact）和柵極（Gate）的高深寬比圖形（深寬比＞10:1）,。

 平板顯示（LCD/OLED）：

? 彩色濾光片（CF）：制作黑矩陣（BM）和彩色層（R/G/B）,，要求高透光率和邊緣銳利度（線寬5-10μm）。

? OLED電極：在柔性基板上形成微米級透明電極,，需低應(yīng)力膠膜防止基板彎曲變形,。

 印刷電路板（PCB）：

? 高密度互連（HDI）：用于細(xì)線路（線寬/線距≤50μm），如智能手機主板,，相比負(fù)性膠,，正性膠可實現(xiàn)更精細(xì)的線路邊緣。

 微納加工與科研：

? MEMS傳感器：制作微米級懸臂梁,、齒輪等結(jié)構(gòu),，需耐干法蝕刻的正性膠（如含硅樹脂膠）。

? 納米光刻：電子束光刻膠（正性為主）用于研發(fā)級納米圖案（分辨率＜10nm）,。
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納米制造與表面工程

? 納米結(jié)構(gòu)模板：作為納米壓印光刻（NIL）的母版制備材料,，通過電子束光刻膠寫出高精度納米圖案（如50nm以下的柱陣列,、孔陣列），用于批量復(fù)制微流控芯片或柔性顯示基板,。

? 表面功能化：在基底表面構(gòu)建納米級粗糙度（如仿生荷葉超疏水表面）或化學(xué)圖案（引導(dǎo)細(xì)胞定向生長的納米溝槽）,，用于生物醫(yī)學(xué)或能源材料（如電池電極的納米陣列結(jié)構(gòu)）。

量子技術(shù)與精密測量

? 超導(dǎo)量子比特：在鈮酸鋰或硅基底上,，通過光刻膠定義納米級約瑟夫森結(jié)陣列,，構(gòu)建量子電路。

? 納米傳感器：制備納米級懸臂梁（表面鍍光刻膠圖案化的金屬電極）,，用于探測單個分子的質(zhì)量或電荷變化（分辨率達(dá)亞納米級）。

納米電子器件制造

? 半導(dǎo)體芯片：在22nm以下制程中,，EUV光刻膠（分辨率≤10nm）用于制備晶體管柵極,、納米導(dǎo)線等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)芯片集成度提升（如3nm制程的FinFET/GAA晶體管）,。

? 二維材料器件：在石墨烯,、二硫化鉬等二維材料表面，通過電子束光刻膠定義納米電極陣列,，構(gòu)建單原子層晶體管或傳感器,。

 納米光子學(xué)與超材料

? 光子晶體與波導(dǎo)：利用光刻膠制備亞波長周期結(jié)構(gòu)（如光子晶體光纖、納米級波導(dǎo)彎頭）,，調(diào)控光的傳播路徑,，用于集成光路或量子光學(xué)器件。

? 超材料設(shè)計：在金屬/介質(zhì)基底上刻蝕納米級“魚網(wǎng)狀”“蝴蝶結(jié)”等圖案（如太赫茲超材料）,，實現(xiàn)對電磁波的超常調(diào)控（吸收,、偏振轉(zhuǎn)換）,。
吉田半導(dǎo)體實現(xiàn)光刻膠技術(shù)突破，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供材料支撐,。

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光刻膠系列：

厚板光刻膠 JT - 3001,，具備優(yōu)異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能,，符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),，保質(zhì)期 1 年；

水油光刻膠 SR - 3308,，容量 5L,；SU - 3 負(fù)性光刻膠，分辨率優(yōu)異,，對比度良好,，曝光靈敏度高，光源適應(yīng),，重量 100g,；

液晶平板顯示器負(fù)性光刻膠 JT - 1000，有 1L 裝和 100g 裝兩種規(guī)格,，分辨率高,，準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性好；

JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠,，耐強酸強堿,，耐高溫達(dá) 250°C，長期可靠性高,，粘接強度高,，重量 100g；

LCD 正性光刻膠 YK - 200,，具有較大曝光,、高分辨率、良好涂布和附著力,，重量 100g,；

半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300，具備耐熱耐酸,、耐溶劑性,、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g,；

耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT - NF100,，重量 1L。 半導(dǎo)體材料選吉田，歐盟認(rèn)證,，支持定制化解決方案!西安LCD光刻膠報價

聚焦封裝需求,，吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一姑式服務(wù)。上海紫外光刻膠報價

作為中國半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的企業(yè),，吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終以自研自產(chǎn)為戰(zhàn)略,，通過 23 年技術(shù)沉淀與持續(xù)創(chuàng)新，成功突破多項 “卡脖子” 技術(shù),，構(gòu)建起從原材料到成品的全鏈條國產(chǎn)化能力,。其自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品已覆蓋芯片制造、顯示面板,、精密電子等領(lǐng)域,，為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供關(guān)鍵支撐。
吉田半導(dǎo)體依托自主研發(fā)中心與產(chǎn)學(xué)研合作,，在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項技術(shù)突破：
  • YK-300 正性光刻膠：分辨率達(dá) 0.35μm,，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，適用于 45nm 及以上制程,，良率達(dá) 98% 以上,，成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%，已通過中芯國際量產(chǎn)驗證,。
  • SU-3 負(fù)性光刻膠：支持 3μm 厚膜加工,，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，成功應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片封裝,，良率提升至 98.5%,。
  • JT-2000 納米壓印光刻膠：突破 250℃耐高溫極限，圖形保真度 > 95%,，性能對標(biāo)德國 MicroResist 系列,，已應(yīng)用于國產(chǎn) EUV 光刻機前道工藝。
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標(biāo)簽： 光刻膠 錫片