惠州3微米光刻膠感光膠

來源：發(fā)布時(shí)間：2025-05-27

工藝流程

? 目的：去除基板表面油污、顆粒,，增強(qiáng)感光膠附著力,。

? 方法：

? 化學(xué)清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）,；

? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,，PCB基板用粗化處理）。

涂布（Coating）

? 方式：

? 旋涂：半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域,，厚度控制精確（納米至微米級(jí)）,，轉(zhuǎn)速500-5000rpm；

? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域,，適合大面積或厚膠（微米至百微米級(jí),，如負(fù)性膠可達(dá)100μm）。

? 關(guān)鍵參數(shù)：膠液黏度,、涂布速度,、基板溫度（影響厚度均勻性）。

前烘（Soft Bake）

? 目的：揮發(fā)溶劑,，固化膠膜,，增強(qiáng)附著力和穩(wěn)定性,。

? 條件：

? 溫度：60-120℃（正性膠通常更低，如90℃,；負(fù)性膠可至100℃以上）,；

? 時(shí)間：5-30分鐘（根據(jù)膠厚調(diào)整，厚膠需更長(zhǎng)時(shí)間）,。

曝光（Exposure）

? 光源：

? 紫外光（UV）：G線（436nm）,、I線（365nm）用于傳統(tǒng)光刻（分辨率≥1μm）；

? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）,、193nm（ArF）用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程（分辨率至20nm）,；

? 極紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）,。

? 曝光方式：

? 接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB,、MEMS，低成本但精度低）,；

? 投影式：通過物鏡聚焦（半導(dǎo)體,，分辨率高，如ArF光刻機(jī)精度達(dá)22nm）,。

負(fù)性光刻膠的工藝和應(yīng)用場(chǎng)景,。惠州3微米光刻膠感光膠

制版光刻膠應(yīng)用場(chǎng)景：印刷電路板（FPC）,、觸摸屏（TP）的掩膜版制作,，以及光學(xué)元件（如衍射光柵）的微納加工。特點(diǎn)：高分辨率與耐化學(xué)性,，確保模板的長(zhǎng)期使用壽命,。

水性光刻膠（JT-1200）應(yīng)用場(chǎng)景：環(huán)保要求高的電子元件（如醫(yī)療設(shè)備、汽車電子）的制造,，以及柔性電路的生產(chǎn),。特點(diǎn)：以水為溶劑，低 VOC 排放,，符合 RoHS 和 REACH 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),。

水油兩用光刻膠（JT-2001/SR-3308）適用于混合工藝場(chǎng)景（如部分環(huán)節(jié)需水性顯影，部分需溶劑顯影）,，提升生產(chǎn)靈活性,。青島阻焊光刻膠報(bào)價(jià)吉田半導(dǎo)體光刻膠，45nm 制程驗(yàn)證,，國(guó)產(chǎn)替代方案!

光刻膠（Photoresist）是一種對(duì)光敏感的高分子材料,，主要用于光刻工藝中，通過光化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移，是半導(dǎo)體,、集成電路（IC）,、印刷電路板（PCB）,、液晶顯示（LCD）等制造領(lǐng)域的材料之一,。

光刻膠特性與組成

? 光敏性：在特定波長(zhǎng)（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下,，會(huì)發(fā)生化學(xué)結(jié)構(gòu)變化（如交聯(lián)或分解）,，從而改變?cè)陲@影液中的溶解性。

? 主要成分：

? 樹脂（成膜劑）：形成基礎(chǔ)膜層,，決定光刻膠的機(jī)械和化學(xué)性能,。

? 光敏劑：吸收光能并引發(fā)化學(xué)反應(yīng)（如光分解、光交聯(lián)）,。

? 溶劑：調(diào)節(jié)粘度,，便于涂覆成膜。

? 添加劑：改善性能（如感光度,、分辨率,、對(duì)比度等）。

正性光刻膠

半導(dǎo)體分立器件制造：對(duì)于二極管,、三極管等半導(dǎo)體分立器件,，正性光刻膠可實(shí)現(xiàn)精細(xì)的圖形化加工，滿足不同功能需求,。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時(shí),，正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對(duì)比度，能精確刻畫器件的結(jié)構(gòu),，提高器件性能,。
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造：MEMS 器件如加速度計(jì)、陀螺儀等,，結(jié)構(gòu)復(fù)雜且尺寸微小,。正性光刻膠用于 MEMS 制造過程中的光刻步驟，可在硅片等材料上制作出高精度的微結(jié)構(gòu),，確保 MEMS 器件的功能實(shí)現(xiàn),。

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作為中國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的企業(yè)，吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終以自研自產(chǎn)為戰(zhàn)略,，通過 23 年技術(shù)沉淀與持續(xù)創(chuàng)新,，成功突破多項(xiàng) “卡脖子” 技術(shù)，構(gòu)建起從原材料到成品的全鏈條國(guó)產(chǎn)化能力,。其自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品已覆蓋芯片制造,、顯示面板、精密電子等領(lǐng)域，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供關(guān)鍵支撐,。

吉田半導(dǎo)體依托自主研發(fā)中心與產(chǎn)學(xué)研合作,，在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項(xiàng)技術(shù)突破：

YK-300 正性光刻膠：分辨率達(dá) 0.35μm，線寬粗糙度（LWR）≤3nm,，適用于 45nm 及以上制程,，良率達(dá) 98% 以上，成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%,，已通過中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證,。
SU-3 負(fù)性光刻膠：支持 3μm 厚膜加工，抗深蝕刻速率 > 500nm/min,，成功應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片封裝,，良率提升至 98.5%。
JT-2000 納米壓印光刻膠：突破 250℃耐高溫極限,，圖形保真度 > 95%,，性能對(duì)標(biāo)德國(guó) MicroResist 系列，已應(yīng)用于國(guó)產(chǎn) EUV 光刻機(jī)前道工藝,。

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主要應(yīng)用場(chǎng)景

印刷電路板（PCB）：

? 通孔/線路加工：負(fù)性膠厚度可達(dá)20-50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化鐵,、堿性氯化銅）,，適合制作大尺寸線路（線寬/線距≥50μm），如雙面板,、多層板的外層電路,。

? 阻焊層：作為絕緣保護(hù)層，覆蓋非焊盤區(qū)域,，需厚膠（50-100μm）和高耐焊接溫度（260℃以上）,，負(fù)性膠因工藝簡(jiǎn)單、成本低而廣泛應(yīng)用,。

微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）：

? 深硅蝕刻（DRIE）：負(fù)性膠作為蝕刻掩膜,，厚度可達(dá)100μm以上，耐SF?等強(qiáng)腐蝕性氣體,，用于制作加速度計(jì),、陀螺儀的高深寬比結(jié)構(gòu)（深寬比＞20:1）。

? 模具制造：在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具,，利用負(fù)性膠的厚膠成型能力,。

平板顯示（LCD）：

? 彩色濾光片（CF）基板預(yù)處理：在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層，耐濕法蝕刻（如HF溶液），確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布,。

功率半導(dǎo)體與分立器件：

? IGBT,、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻：負(fù)性膠用于制作較寬的隔離溝槽（寬度＞10μm），耐高濃度酸堿蝕刻,，降低工藝成本,。

惠州3微米光刻膠感光膠

標(biāo)簽：錫片光刻膠

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