成都阻焊光刻膠價格

來源：發(fā)布時間：2025-05-30

吉田半導體水性感光膠 JT-1200：水油兼容,，鋼片加工精度 ±5μm

JT-1200 水性感光膠解決鋼片加工難題,，提升汽車電子部件制造精度。
針對汽車電子鋼片加工需求,，吉田半導體研發(fā)的 JT-1200 水性感光膠實現(xiàn)水油兼容性達 100%,，加工精度 ±5μm。其高粘接強度與耐強酸強堿特性,，確保復雜結構的長期可靠性,。其涂布性能優(yōu)良，易做精細網(wǎng)點,，適用于安全氣囊傳感器,、車載攝像頭模組等精密部件。產品通過 IATF 16949 汽車行業(yè)認證,，生產過程嚴格控制金屬離子含量,，確保電子產品可靠性。

半導體材料方案選吉田,，歐盟 REACH 合規(guī),，24 小時技術支持,！成都阻焊光刻膠價格

產品優(yōu)勢：多元化布局與專業(yè)化延伸

全品類覆蓋

吉田產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠,、LCD光刻膠,、半導體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整產品線,。例如：

? 芯片光刻膠：覆蓋i線,、g線光刻膠，適用于6英寸,、8英寸晶圓制造,。

? 納米壓印光刻膠：用于MEMS、光學器件等領域,，替代傳統(tǒng)光刻工藝,。

專業(yè)化延伸

公司布局半導體用KrF光刻膠，計劃2025年啟動研發(fā),，目標進入中芯國際,、長江存儲等晶圓廠供應鏈。

質量與生產優(yōu)勢：嚴格品控與自動化生產

ISO認證與全流程管控

公司通過ISO9001:2008質量體系認證,，生產環(huán)境執(zhí)行8S管理,，原材料采用美、德,、日進口高質量材料,，確保產品批次穩(wěn)定性,。

質量指標：光刻膠金屬離子含量低于0.1ppb,，良率超99%。

自動化生產能力

擁有行業(yè)前列的全自動化生產線,，年產能達2000噸（光刻膠及配套材料）,，支持大規(guī)模訂單交付。

吉林水油光刻膠報價吉田半導體材料的綠色環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展,。

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,，主要涵蓋厚板、負性,、正性,、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求,。

厚板光刻膠：JT-3001 型號,，具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好,，符合歐盟 ROHS 標準,，保質期 1 年,。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造,。

負性光刻膠

SU-3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異,，對比度良好，曝光靈敏度高,，光源適應,，重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工,、半導體制造等領域,。
負性光刻膠 JT-1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格，具有優(yōu)異的分辨率,、良好的對比度和高曝光靈敏度,，光源適應。主要應用于對光刻精度要求高的領域,，如半導體器件制造,。
耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100：重量 1L，具備耐腐蝕特性,。適用于有腐蝕風險的光刻工藝,，如特殊環(huán)境下的半導體加工或電路板制造。

關鍵應用領域

半導體制造：

? 在晶圓表面涂覆光刻膠,，通過掩膜曝光,、顯影，刻蝕出晶體管,、電路等納米級結構（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）,。

印刷電路板（PCB）：

? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層，制作線路和焊盤,。

顯示面板（LCD/OLED）：

? 用于制備彩色濾光片,、電極圖案等。

微機電系統(tǒng)（MEMS）：

? 加工微結構（如傳感器,、執(zhí)行器）,。

工作原理（以正性膠為例）

1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠，烘干形成薄膜,。

2. 曝光：通過掩膜版,，用特定波長光線照射，曝光區(qū)域的光敏劑分解,，使樹脂變得易溶于顯影液,。

3. 顯影：用顯影液溶解曝光區(qū)域，留下未曝光的光刻膠圖案,，作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層,。

4. 后續(xù)工藝：刻蝕基材（保留未被光刻膠保護的區(qū)域）,，或去除光刻膠（剝離工藝）。

光刻膠的顯示面板領域,。

? 化學反應：

? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解,，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解,；

? 負性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結構,。

5. 顯影（Development）

? 顯影液：

? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區(qū)域,；

? 負性膠：有機溶劑（如二甲苯,、醋酸丁酯），溶解未曝光區(qū)域,。

? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導體）,，時間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度,。

6. 后烘（Post-Bake）

? 目的：固化膠膜,，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：100-150℃（半導體用正性膠可能更高,，如180℃）,；

? 時間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時延長）。

7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）

? 蝕刻：以膠膜為掩膜,，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅,、金屬、玻璃）,；

? 離子注入：膠膜保護未曝光區(qū)域,，使雜質離子只能注入曝光區(qū)域（半導體摻雜工藝）。

8. 去膠（Strip）

? 方法：

? 濕法去膠：強氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）,；

? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導體領域,，無殘留）,。

光刻膠半導體領域的應用,。甘肅納米壓印光刻膠品牌

PCB光刻膠國產化率超50%。成都阻焊光刻膠價格

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JT-3001 厚板光刻膠支持 500nm/min 深蝕刻,，成為國產 PCB 電路板制造推薦材料,。
吉田半導體自主研發(fā)的 JT-3001 厚板光刻膠，分辨率 1.5μm,，抗深蝕刻速率 > 500nm/min,，適用于高密度 PCB 制造。其無鹵無鉛配方通過歐盟 RoHS 認證,，已應用于華為 5G 基站主板量產,。產品采用國產原材料與全自動化工藝,，批次穩(wěn)定性達 99.5%，幫助客戶提升生產效率 20%,，加速國產 PCB 行業(yè)技術升級,，推動 PCB 行業(yè)國產化進程。

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標簽：光刻膠錫片

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