制版光刻膠應(yīng)用場景:印刷電路板(FPC)、觸摸屏(TP)的掩膜版制作,,以及光學(xué)元件(如衍射光柵)的微納加工,。特點(diǎn):高分辨率與耐化學(xué)性,,確保模板的長期使用壽命。
水性光刻膠(JT-1200)應(yīng)用場景:環(huán)保要求高的電子元件(如醫(yī)療設(shè)備,、汽車電子)的制造,,以及柔性電路的生產(chǎn)。特點(diǎn):以水為溶劑,,低 VOC 排放,,符合 RoHS 和 REACH 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。
水油兩用光刻膠(JT-2001/SR-3308)適用于混合工藝場景(如部分環(huán)節(jié)需水性顯影,,部分需溶劑顯影),,提升生產(chǎn)靈活性。
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產(chǎn)品特點(diǎn):耐溶劑型優(yōu)良,,抗潮耐水性好,耐印率高,;固含量高,,流平性好,涂布性能優(yōu)良,;經(jīng)特殊乳化聚合技術(shù)處理,,網(wǎng)版平滑、無白點(diǎn),、無沙眼,、亮度高;剝膜性好,,網(wǎng)版可再生使用,;解像性、高架橋性好,,易做精細(xì)網(wǎng)點(diǎn)和線條,;感光度高,曝光時(shí)間短,,曝光寬容度大,,節(jié)省網(wǎng)版作業(yè)時(shí)間,提高工作效率 ,。
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應(yīng)用范圍:適用于塑料,、皮革、標(biāo)牌,、印刷電路板(PCB),、廣告宣傳、玻璃、陶瓷,、紡織品等產(chǎn)品的印刷,。例如在塑料表面形成牢固圖案,滿足皮革制品精細(xì)印刷需求,,制作各類標(biāo)牌保證圖案清晰,,用于 PCB 制造滿足高精度要求等。
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原料準(zhǔn)備
? 主要成分:樹脂(成膜劑,,如酚醛樹脂,、聚酰亞胺等)、感光劑(光引發(fā)劑或光敏化合物,,如重氮萘醌,、光刻膠單體)、溶劑(溶解成分,,如丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA))、添加劑(調(diào)節(jié)粘度,、感光度,、穩(wěn)定性等,如表面活性劑,、穩(wěn)定劑),。
? 原料提純:對(duì)樹脂、感光劑等進(jìn)行高純度精制(純度通常要求99.9%以上),,避免雜質(zhì)影響光刻精度,。
配料與混合
? 按配方比例精確稱量各組分,在潔凈環(huán)境,,如萬中通過攪拌機(jī)均勻混合,,形成膠狀溶液。
? 控制溫度(通常20-30℃)和攪拌速度,,避免氣泡產(chǎn)生或成分分解,。
過濾與純化
? 使用納米級(jí)濾膜(孔徑0.05-0.2μm)過濾,去除顆粒雜質(zhì)(如金屬離子,、灰塵),,確保膠液潔凈度,避免光刻時(shí)產(chǎn)生缺陷,。
性能檢測
? 物理指標(biāo):粘度,、固含量、表面張力、分子量分布等,,影響涂布均勻性,。
? 化學(xué)指標(biāo):感光度、分辨率,、對(duì)比度,、耐蝕刻性,通過曝光實(shí)驗(yàn)和顯影測試驗(yàn)證,。
? 可靠性:存儲(chǔ)穩(wěn)定性(常溫/低溫保存下的性能變化),、耐溫性(烘烤過程中的抗降解能力)。
包裝與儲(chǔ)存
? 在惰性氣體(如氮?dú)猓┉h(huán)境下分裝至避光容器(如棕色玻璃瓶或鋁罐),,防止感光劑氧化或光分解,。
? 儲(chǔ)存條件:低溫(5-10℃)、避光,、干燥,,部分產(chǎn)品需零下環(huán)境(如EUV光刻膠)。
光伏電池(半導(dǎo)體級(jí)延伸)
? HJT/TOPCon電池:在硅片表面圖形化金屬電極,,使用高靈敏度光刻膠(曝光能量≤50mJ/cm2),,線寬≤20μm,降低遮光損失,。
? 鈣鈦礦電池:用于電極圖案化和層間隔離,,需耐有機(jī)溶劑(適應(yīng)溶液涂布工藝)。
納米壓印技術(shù)(下一代光刻)
? 納米壓印光刻膠:通過模具壓印實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)分辨率,,用于3D NAND存儲(chǔ)孔陣列(直徑≤20nm),、量子點(diǎn)顯示陣列等。
微流控與生物醫(yī)療
? 微流控芯片:制造微米級(jí)流道(寬度10-100μm),,材料需生物相容性(如PDMS基材適配),。
? 生物檢測芯片:通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點(diǎn),精度≤5μm,。
產(chǎn)業(yè)鏈配套:原材料與設(shè)備協(xié)同發(fā)展,。
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全品類覆蓋
吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線涵蓋正性 / 負(fù)性光刻膠、納米壓印光刻膠,、LCD 光刻膠,、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,覆蓋芯片制造,、顯示面板,、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求,技術(shù)布局全面性于多數(shù)國內(nèi)廠商,。
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關(guān)鍵技術(shù)突破
納米壓印技術(shù):JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達(dá) 250℃,,支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制,,適用于第三代半導(dǎo)體(GaN/SiC)及 Mini LED 等新興領(lǐng)域,技術(shù)指標(biāo)接近國際先進(jìn)水平,。
水性環(huán)保配方:JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機(jī)溶劑,,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn),,環(huán)保性能優(yōu)于同類產(chǎn)品,。
厚膜工藝能力:JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控(達(dá)數(shù)十微米),滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求,。
吉田技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)能力,。青海高溫光刻膠報(bào)價(jià)
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關(guān)鍵工藝流程
涂布:
? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調(diào)整),,需均勻無氣泡(旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm),。
前烘(Soft Bake):
? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,,增強(qiáng)附著力(避免顯影時(shí)邊緣剝離),。
曝光:
? 光源匹配:
? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB,、LCD),。
? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準(zhǔn)分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲(chǔ)芯片),。
? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,,需控制納米級(jí)缺陷),。
? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),,避免過曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。
顯影:
? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,,TMAH),,曝光區(qū)域膠膜溶解,未曝光區(qū)域保留,,形成三維立體圖案,。
后烘(Post-Exposure Bake, PEB):
? 化學(xué)增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發(fā)光酸催化反應(yīng),,提高分辨率和耐蝕刻性,。
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