河北進(jìn)口光刻膠耗材

來源：發(fā)布時(shí)間：2025-05-29

? 化學(xué)反應(yīng)：

? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解,，生成羧酸,，在堿性顯影液中溶解；

? 負(fù)性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),。

5. 顯影（Development）

? 顯影液：

? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH）,，溶解曝光區(qū)域；

? 負(fù)性膠：有機(jī)溶劑（如二甲苯,、醋酸丁酯）,，溶解未曝光區(qū)域。

? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導(dǎo)體）,，時(shí)間30秒-2分鐘,，需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘（Post-Bake）

? 目的：固化膠膜,，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性,。

? 條件：

? 溫度：100-150℃（半導(dǎo)體用正性膠可能更高，如180℃）,；

? 時(shí)間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時(shí)延長）,。

7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）

? 蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅,、金屬,、玻璃）；

? 離子注入：膠膜保護(hù)未曝光區(qū)域,，使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域（半導(dǎo)體摻雜工藝）,。

8. 去膠（Strip）

? 方法：

? 濕法去膠：強(qiáng)氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機(jī)溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；

? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導(dǎo)體領(lǐng)域,，無殘留）,。

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技術(shù)趨勢與挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體先進(jìn)制程：

? EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個(gè)）,，開發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料；

? 極紫外吸收問題：膠膜對13.5nm光吸收率高,，需厚度控制在50-100nm,，挑戰(zhàn)化學(xué)增幅體系的靈敏度。

環(huán)保與低成本：

? 水性負(fù)性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠）,，減少VOC排放,；

? 單層膠工藝替代多層膠，簡化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）,。

新興領(lǐng)域拓展：

? 柔性電子：開發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）,、低模量感光膠，用于可穿戴設(shè)備電路,；

? 光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導(dǎo),，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）,。

典型產(chǎn)品與廠商

? 半導(dǎo)體正性膠：

? 日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm，用于12nm制程）,；

? 美國陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm2,，缺陷密度＜5個(gè)/cm2）。

? PCB負(fù)性膠：

? 中國容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻,，厚度20-50μm,，國產(chǎn)化率超60%；

? 日本東京應(yīng)化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%,，適用于高可靠性汽車板,。

? MEMS厚膠：

? 美國陶氏的SU-8：實(shí)驗(yàn)室常用，厚度5-200μm,，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）,；

? 德國Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻，線寬精度±2%,，用于工業(yè)級MEMS制造,。

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關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體制造：

? 在晶圓表面涂覆光刻膠,，通過掩膜曝光、顯影,，刻蝕出晶體管,、電路等納米級結(jié)構(gòu)（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）。

印刷電路板（PCB）：

? 保護(hù)電路圖形或作為蝕刻抗蝕層,，制作線路和焊盤,。

顯示面板（LCD/OLED）：

? 用于制備彩色濾光片,、電極圖案等,。

微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）：

? 加工微結(jié)構(gòu)（如傳感器、執(zhí)行器）,。

工作原理（以正性膠為例）

1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠,，烘干形成薄膜。

2. 曝光：通過掩膜版,，用特定波長光線照射,，曝光區(qū)域的光敏劑分解，使樹脂變得易溶于顯影液,。

3. 顯影：用顯影液溶解曝光區(qū)域,，留下未曝光的光刻膠圖案，作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層,。

4. 后續(xù)工藝：刻蝕基材（保留未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域）,，或去除光刻膠（剝離工藝）,。

技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢

更高分辨率需求：

? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標(biāo)＜5nm）,，通過納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計(jì)改善,。

缺陷控制：

? 半導(dǎo)體級正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個(gè)/mL,，需優(yōu)化提純工藝（如多級過濾+真空蒸餾）,。

國產(chǎn)化突破：

? 國內(nèi)企業(yè)（如上海新陽,、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實(shí)現(xiàn)批量供貨,，但EUV膠仍被日本JSR,、美國陶氏、德國默克壟斷,，需突破樹脂合成,、PAG純度等瓶頸。

環(huán)保與節(jié)能：

? 開發(fā)水基顯影正性膠（減少有機(jī)溶劑使用）,，或低烘烤溫度膠（降低半導(dǎo)體制造能耗）,。

典型產(chǎn)品示例

? 傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線，用于PCB）,、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）,。

? DUV正性膠：信越化學(xué)的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國際認(rèn)證的國產(chǎn)KrF膠（28nm節(jié)點(diǎn)）,。

? EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下,，全球市占率超70%）。

正性光刻膠是推動半導(dǎo)體微縮的主要材料,，其技術(shù)進(jìn)步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破,，未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷,、更綠色工藝演進(jìn),。

納米級圖案化的主要工具。

以 15% 年研發(fā)投入為驅(qū)動,，吉田半導(dǎo)體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發(fā),，搶占行業(yè)制高點(diǎn)。布局下一代光刻技術(shù),。
面對極紫外光刻技術(shù)挑戰(zhàn),，吉田半導(dǎo)體與中科院合作開發(fā)化學(xué)放大型 EUV 光刻膠，在感光效率（<10mJ/cm2）和耐蝕性（>80%）指標(biāo)上取得階段性進(jìn)展,。同時(shí),，公司前瞻性布局木基光刻膠研發(fā)，對標(biāo)日本王子控股技術(shù)，探索生物基材料在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用,。這些技術(shù)儲備為 7nm 及以下制程提供支撐,，助力中國在下一代光刻技術(shù)中占據(jù)重要地位。松山湖半導(dǎo)體材料廠家吉田,，全系列產(chǎn)品支持小批量試產(chǎn)!四川進(jìn)口光刻膠報(bào)價(jià)

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廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,，主要涵蓋厚板、負(fù)性,、正性,、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領(lǐng)域的需求,。

UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號,，耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿，耐高溫達(dá) 250°C,，長期可靠性高,，粘接強(qiáng)度高，重量 100g,。適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進(jìn)行納米壓印光刻的工藝,，如半導(dǎo)體器件制造。

其他光刻膠

水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠,，具有工廠研發(fā),、可定制、使用,、品質(zhì)保障,、性能穩(wěn)定的特點(diǎn)，重量 1L,。
水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠,，重量 5L，具備上述通用優(yōu)勢,，應(yīng)用場景,。

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標(biāo)簽：錫片光刻膠

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