應用場景
半導體集成電路(IC)制造:
? 邏輯芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,,正性DUV/EUV膠用于晶體管、互連布線的精細圖案化(如10nm節(jié)點線寬只有100nm),。
? 存儲芯片(DRAM/NAND):3D堆疊結構中,,正性膠用于層間接觸孔(Contact)和柵極(Gate)的高深寬比圖形(深寬比>10:1),。
平板顯示(LCD/OLED):
? 彩色濾光片(CF):制作黑矩陣(BM)和彩色層(R/G/B),要求高透光率和邊緣銳利度(線寬5-10μm),。
? OLED電極:在柔性基板上形成微米級透明電極,,需低應力膠膜防止基板彎曲變形。
印刷電路板(PCB):
? 高密度互連(HDI):用于細線路(線寬/線距≤50μm),,如智能手機主板,,相比負性膠,正性膠可實現(xiàn)更精細的線路邊緣,。
微納加工與科研:
? MEMS傳感器:制作微米級懸臂梁,、齒輪等結構,需耐干法蝕刻的正性膠(如含硅樹脂膠),。
? 納米光刻:電子束光刻膠(正性為主)用于研發(fā)級納米圖案(分辨率<10nm),。
吉田半導體公司基本概況。西安LCD光刻膠感光膠
技術優(yōu)勢:23年研發(fā)沉淀與細分領域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實現(xiàn)了從樹脂合成,、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化,。例如,,其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,實現(xiàn)了3μm的分辨率,,適用于MEMS傳感器,、光學器件等領域。
技術壁壘:公司擁有23年光刻膠研發(fā)經驗,,掌握光刻膠主要原材料(如樹脂,、光酸)的合成技術,,部分原材料純度達PPT級,。
細分領域技術先進
? 納米壓印光刻膠:在納米級圖案化領域(如量子點顯示、生物芯片)實現(xiàn)技術突破,,分辨率達3μm,,填補國內空缺。
? LCD光刻膠:針對顯示面板行業(yè)需求,,開發(fā)出高感光度,、高對比度的光刻膠,適配AMOLED,、Micro LED等新型顯示技術,。
研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術性企業(yè)認證,與新材料領域同伴們合作開發(fā)半導體光刻膠,,計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發(fā),。
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吉田半導體的光刻膠產品覆蓋芯片制造,、顯示面板、PCB 及微納加工等領域,,通過差異化技術(如納米壓印,、厚膜工藝)和環(huán)保特性(水性配方),滿足從傳統(tǒng)電子到新興領域(如第三代半導體,、Mini LED)的多樣化需求,。其產品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝,,還通過材料創(chuàng)新推動行業(yè)向綠色化,、低成本化方向發(fā)展。吉田半導體光刻膠的優(yōu)勢在于技術全面性,、環(huán)保創(chuàng)新,、質量穩(wěn)定性及本土化服務,尤其在納米壓印,、厚膜工藝及水性膠領域形成差異化競爭力,。
吉田半導體突破 ArF 光刻膠技術壁壘,,國產替代再迎新進展
自主研發(fā) ArF 光刻膠通過中芯國際驗證,吉田半導體填補國內光刻膠空白,。
吉田半導體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠,,分辨率達 90nm,適用于 14nm 及以上制程,,已通過中芯國際量產驗證,。該產品采用國產原材料與自主配方,突破日本企業(yè)對 ArF 光刻膠的壟斷,。其光酸產率提升 30%,,蝕刻選擇比達 4:1,性能對標日本信越的 ArF 系列,。吉田半導體的技術突破加速了國產芯片制造材料自主化進程,,為國內晶圓廠提供高性價比解決方案。
吉田半導體材料的綠色環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展,。
全品類覆蓋與定制化能力
吉田半導體的光刻膠產品覆蓋芯片光刻膠,、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠等全品類,,適用于半導體,、顯示面板、MEMS等多個領域,。例如,,其LCD正性光刻膠YK-200和水油光刻膠JT-2001可滿足0.45μm及以上線寬需求,支持客戶定制化工藝參數(shù),,尤其在柔性顯示(OLED)和Mini/Micro LED等新興領域表現(xiàn)突出,。
技術亮點:通過自主研發(fā)的樹脂配方和光敏劑體系,實現(xiàn)了高分辨率(120nm)和高抗蝕性的平衡,,部分指標(如線寬粗糙度LWR<3nm)接近國際主流產品水平,。
國產化材料與工藝適配
公司采用進口原材料+本地化生產模式,關鍵樹脂單體,、光敏劑等主要成分通過德國默克,、日本信越等供應商采購,同時建立了超純提純工藝(雜質含量<1ppm),,確保產品穩(wěn)定性,。此外,其光刻膠與國內主流光刻機(如上海微電子SSA800),、勻膠顯影機(如盛美上海)的兼容性已通過驗證,,縮短客戶工藝調試周期。
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吉田半導體 SU-3 負性光刻膠:國產技術賦能 5G 芯片封裝
自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工,,成為 5G 芯片高密度封裝材料,。
針對 5G 芯片封裝需求,吉田半導體自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠,,分辨率達 1.5μm,,抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學性確保復雜圖形的完整性,,已應用于高通 5G 基帶芯片量產,。產品采用國產原材料與工藝,不采用國外材料,,成本較進口產品降低 40%,,幫助客戶提升封裝良率至 98.5%,為國產 5G 芯片制造提供關鍵材料支撐,。
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