吉田半導(dǎo)體突破光刻膠共性難題,,提升行業(yè)生產(chǎn)效率,,通過(guò)優(yōu)化材料配方與工藝,,吉田半導(dǎo)體解決光刻膠留膜率低,、蝕刻損傷等共性問(wèn)題,,助力客戶降本增效。
針對(duì)傳統(tǒng)光刻膠留膜率低,、蝕刻損傷嚴(yán)重等問(wèn)題,,吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產(chǎn)品高 8%,密集圖形側(cè)壁垂直度達(dá)標(biāo)率提升 15%,。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù),,在顯影過(guò)程中減少有機(jī)溶劑對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體的損傷,使芯片良率提升至 99.8%,。這些技術(shù)突破有效降低客戶生產(chǎn)成本,,推動(dòng)行業(yè)生產(chǎn)效率提升。納米壓印光刻膠哪家強(qiáng)?吉田半導(dǎo)體附著力提升 30%!中山PCB光刻膠價(jià)格
吉田半導(dǎo)體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘,,國(guó)產(chǎn)替代再迎新進(jìn)展
自主研發(fā) ArF 光刻膠通過(guò)中芯國(guó)際驗(yàn)證,,吉田半導(dǎo)體填補(bǔ)國(guó)內(nèi)光刻膠空白。
吉田半導(dǎo)體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠,,分辨率達(dá) 90nm,,適用于 14nm 及以上制程,已通過(guò)中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證,。該產(chǎn)品采用國(guó)產(chǎn)原材料與自主配方,,突破日本企業(yè)對(duì) ArF 光刻膠的壟斷。其光酸產(chǎn)率提升 30%,,蝕刻選擇比達(dá) 4:1,,性能對(duì)標(biāo)日本信越的 ArF 系列。吉田半導(dǎo)體的技術(shù)突破加速了國(guó)產(chǎn)芯片制造材料自主化進(jìn)程,,為國(guó)內(nèi)晶圓廠提供高性價(jià)比解決方案,。
湖南激光光刻膠感光膠光刻膠:半導(dǎo)體之路上的挑戰(zhàn)與突破。
感光機(jī)制
? 重氮型(雙液型):需混合光敏劑(如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉),,曝光后通過(guò)交聯(lián)反應(yīng)固化,,適用于精細(xì)圖案(如PCB電路線寬≤0.15mm),。
? SBQ型(單液型):預(yù)混光敏劑,無(wú)需調(diào)配,,感光度高(曝光時(shí)間縮短30%),,適合快速制版(如服裝印花)。
? 環(huán)保型:采用無(wú)鉻配方(如CN10243143A),,通過(guò)多元固化體系(熱固化+光固化)實(shí)現(xiàn)12-15mJ/cm2快速曝光,,分辨率達(dá)2μm,符合歐盟REACH標(biāo)準(zhǔn),。
功能細(xì)分
? 耐溶劑型:如日本村上AD20,,耐酒精、甲苯等溶劑,,適用于電子油墨印刷,。
? 耐水型:如瑞士科特1711,抗水性強(qiáng),,適合紡織品水性漿料,。
? 厚版型:如德國(guó)K?ppen厚版膠,單次涂布可達(dá)50μm,,用于立體印刷,。
典型應(yīng)用場(chǎng)景:
? PCB制造:使用360目尼龍網(wǎng)+重氮感光膠,配合LED曝光(405nm波長(zhǎng)),,實(shí)現(xiàn)0.15mm線寬,,耐酸性蝕刻液。
? 紡織印花:圓網(wǎng)制版采用9806A型感光膠,,涂布厚度20μm,,耐堿性染料色漿,耐印率超10萬(wàn)次,。
? 包裝印刷:柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材,,UV-LED曝光+無(wú)溶劑工藝,碳排放降低40%,。
晶圓制造(前道工藝)
? 功能:在硅片表面形成高精度電路圖形,,是光刻工藝的主要材料。
? 細(xì)分場(chǎng)景:
? 邏輯/存儲(chǔ)芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠(分辨率0.25-1μm),、14nm以下先進(jìn)制程的ArF浸沒(méi)式光刻膠(分辨率≤45nm),,以及極紫外(EUV)光刻膠(目標(biāo)7nm以下,研發(fā)中),。
? 功率半導(dǎo)體(如IGBT):使用厚膜光刻膠(膜厚5-50μm),,滿足深溝槽刻蝕需求。
? MEMS傳感器:通過(guò)高深寬比光刻膠(如SU-8)實(shí)現(xiàn)微米級(jí)結(jié)構(gòu)(如加速度計(jì)、陀螺儀的懸臂梁),。
芯片封裝(后道工藝)
? 先進(jìn)封裝技術(shù):
? Flip Chip(倒裝芯片):用光刻膠形成凸點(diǎn)(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),,線寬精度要求≤10μm。
? 2.5D/3D封裝:在硅通孔(TSV)工藝中,,光刻膠用于定義通孔開口(直徑5-50μm)。
厚板光刻膠 JT-3001,,抗深蝕刻,,PCB 電路板制造Preferred!
技術(shù)優(yōu)勢(shì):23年研發(fā)沉淀與細(xì)分領(lǐng)域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成,、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化,。例如,其納米壓印光刻膠通過(guò)自主開發(fā)的樹脂體系,,實(shí)現(xiàn)了3μm的分辨率,,適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域,。
技術(shù)壁壘:公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn),,掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術(shù),,部分原材料純度達(dá)PPT級(jí),。
細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)先進(jìn)
? 納米壓印光刻膠:在納米級(jí)圖案化領(lǐng)域(如量子點(diǎn)顯示、生物芯片)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,,分辨率達(dá)3μm,,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空缺。
? LCD光刻膠:針對(duì)顯示面板行業(yè)需求,,開發(fā)出高感光度,、高對(duì)比度的光刻膠,適配AMOLED,、Micro LED等新型顯示技術(shù),。
研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術(shù)性企業(yè)認(rèn)證,與新材料領(lǐng)域同伴們合作開發(fā)半導(dǎo)體光刻膠,,計(jì)劃2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā),。
光刻膠技術(shù)突破加速,對(duì)芯片制造行業(yè)有哪些影響,?大連LED光刻膠品牌
負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠家,。中山PCB光刻膠價(jià)格
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,主要涵蓋厚板,、負(fù)性,、正性、納米壓印及光刻膠等類別,,以滿足不同領(lǐng)域的需求,。
厚板光刻膠:JT-3001 型號(hào),,具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,,符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),,保質(zhì)期 1 年。適用于對(duì)精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,,如特定電路板制造,。
負(fù)性光刻膠
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SU-3 負(fù)性光刻膠:分辨率優(yōu)異,對(duì)比度良好,,曝光靈敏度高,,光源適應(yīng),重量 100g,。常用于對(duì)曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工,、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
正性光刻膠
中山PCB光刻膠價(jià)格
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LCD 正性光刻膠 YK-200:具有較大曝光,、高分辨率,、良好涂布和附著力,重量 100g,。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝,,確保 LCD 生產(chǎn)中圖形精確轉(zhuǎn)移和良好涂布效果。
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半導(dǎo)體正性光刻膠 YK-300:具備耐熱耐酸,、耐溶劑性,、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g,。主要用于半導(dǎo)體制造工藝,,滿足半導(dǎo)體器件對(duì)光刻膠在化學(xué)穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。