廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,,主要涵蓋厚板,、負(fù)性,、正性,、納米壓印及光刻膠等類(lèi)別,以滿(mǎn)足不同領(lǐng)域的需求,。
厚板光刻膠:JT-3001 型號(hào),,具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,,符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),,保質(zhì)期 1 年。適用于對(duì)精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,,如特定電路板制造,。
負(fù)性光刻膠
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SU-3 負(fù)性光刻膠:分辨率優(yōu)異,,對(duì)比度良好,,曝光靈敏度高,光源適應(yīng),,重量 100g,。常用于對(duì)曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域,。
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負(fù)性光刻膠 JT-1000:有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,,具有優(yōu)異的分辨率、良好的對(duì)比度和高曝光靈敏度,,光源適應(yīng),。主要應(yīng)用于對(duì)光刻精度要求高的領(lǐng)域,如半導(dǎo)體器件制造,。
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耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT-NF100:重量 1L,,具備耐腐蝕特性,。適用于有腐蝕風(fēng)險(xiǎn)的光刻工藝,如特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造,。
納米級(jí)圖案化的主要工具,。大連光刻膠報(bào)價(jià)
應(yīng)用場(chǎng)景
半導(dǎo)體集成電路(IC)制造:
? 邏輯芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,正性DUV/EUV膠用于晶體管,、互連布線(xiàn)的精細(xì)圖案化(如10nm節(jié)點(diǎn)線(xiàn)寬只有100nm),。
? 存儲(chǔ)芯片(DRAM/NAND):3D堆疊結(jié)構(gòu)中,正性膠用于層間接觸孔(Contact)和柵極(Gate)的高深寬比圖形(深寬比>10:1),。
平板顯示(LCD/OLED):
? 彩色濾光片(CF):制作黑矩陣(BM)和彩色層(R/G/B),,要求高透光率和邊緣銳利度(線(xiàn)寬5-10μm)。
? OLED電極:在柔性基板上形成微米級(jí)透明電極,,需低應(yīng)力膠膜防止基板彎曲變形,。
印刷電路板(PCB):
? 高密度互連(HDI):用于細(xì)線(xiàn)路(線(xiàn)寬/線(xiàn)距≤50μm),如智能手機(jī)主板,,相比負(fù)性膠,,正性膠可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的線(xiàn)路邊緣。
微納加工與科研:
? MEMS傳感器:制作微米級(jí)懸臂梁,、齒輪等結(jié)構(gòu),,需耐干法蝕刻的正性膠(如含硅樹(shù)脂膠)。
? 納米光刻:電子束光刻膠(正性為主)用于研發(fā)級(jí)納米圖案(分辨率<10nm),。
成都水性光刻膠廠(chǎng)家吉田半導(dǎo)體光刻膠,,45nm 制程驗(yàn)證,國(guó)產(chǎn)替代方案!
光伏電池(半導(dǎo)體級(jí)延伸)
? HJT/TOPCon電池:在硅片表面圖形化金屬電極,,使用高靈敏度光刻膠(曝光能量≤50mJ/cm2),,線(xiàn)寬≤20μm,降低遮光損失,。
? 鈣鈦礦電池:用于電極圖案化和層間隔離,,需耐有機(jī)溶劑(適應(yīng)溶液涂布工藝)。
納米壓印技術(shù)(下一代光刻)
? 納米壓印光刻膠:通過(guò)模具壓印實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)分辨率,,用于3D NAND存儲(chǔ)孔陣列(直徑≤20nm),、量子點(diǎn)顯示陣列等。
微流控與生物醫(yī)療
? 微流控芯片:制造微米級(jí)流道(寬度10-100μm),,材料需生物相容性(如PDMS基材適配),。
? 生物檢測(cè)芯片:通過(guò)光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點(diǎn),精度≤5μm,。
技術(shù)挑戰(zhàn)
光刻膠作為半導(dǎo)體,、顯示面板等高級(jí)制造的材料,其技術(shù)挑戰(zhàn)主要集中在材料性能優(yōu)化,、制程精度匹配,、復(fù)雜環(huán)境適應(yīng)性以及產(chǎn)業(yè)自主化突破等方面
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? 高分辨率:隨著半導(dǎo)體制程向3nm、2nm推進(jìn),,需開(kāi)發(fā)更高精度的EUV光刻膠,,解決光斑擴(kuò)散、線(xiàn)寬控制等問(wèn)題,。
? 靈敏度與穩(wěn)定性:平衡感光速度和圖案抗蝕能力,,適應(yīng)極紫外光(13.5nm)的低能量曝光。
? 國(guó)產(chǎn)化替代:目前光刻膠(如EUV,、ArF浸沒(méi)式)長(zhǎng)期被日本,、美國(guó)企業(yè)壟斷,國(guó)內(nèi)正加速研發(fā)突破,。
光刻膠的性能直接影響芯片制造的良率和精度,,是支撐微電子產(chǎn)業(yè)的“卡脖子”材料之一。
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正性光刻膠(如 YK-300)
應(yīng)用場(chǎng)景:用于芯片的精細(xì)圖案化,,如集成電路(IC),、分立器件(二極管、三極管)的制造,。
特點(diǎn):高分辨率(可達(dá)亞微米級(jí)),,適用于多層光刻工藝,確保芯片電路的高精度與可靠性,。
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負(fù)性光刻膠(如 JT-1000)
應(yīng)用場(chǎng)景:用于功率半導(dǎo)體(如 MOSFET,、IGBT)的制造,以及傳感器(如 MEMS)的微結(jié)構(gòu)成型,。
特點(diǎn):抗蝕刻能力強(qiáng),,適合復(fù)雜圖形的轉(zhuǎn)移,尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異,。
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納米壓印光刻膠(JT-2000)
應(yīng)用場(chǎng)景:第三代半導(dǎo)體(GaN,、SiC)芯片、量子點(diǎn)器件及微流控芯片的制造,。特點(diǎn):耐高溫(250℃),、耐酸堿,,支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制,,降低芯片的制造成本。
光刻膠新興及擴(kuò)展應(yīng)用,。河南LED光刻膠供應(yīng)商
吉田技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)能力,。大連光刻膠報(bào)價(jià)
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,各有特性與優(yōu)勢(shì),,適用于不同領(lǐng)域,。
厚板光刻膠 JT - 3001:具有優(yōu)異的分辨率和感光度,,抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),,保質(zhì)期 1 年,,適用于對(duì)光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場(chǎng)景,如一些特殊的電路板制造,。
SU - 3 負(fù)性光刻膠:分辨率優(yōu)異,,對(duì)比度良好,曝光靈敏度高,,光源適應(yīng),。重量為 100g,常用于對(duì)曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工,、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域,。
液晶平板顯示器負(fù)性光刻膠 JT - 1000:有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,具有優(yōu)異的分辨率,,準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性好,。主要應(yīng)用于液晶平板顯示器的制造,能滿(mǎn)足其對(duì)光刻膠高精度和穩(wěn)定性的需求,。
JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠:耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿,,耐高溫達(dá) 250°C,長(zhǎng)期可靠性高,,粘接強(qiáng)度高,。重量 100g,適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進(jìn)行納米壓印光刻的工藝,,如一些半導(dǎo)體器件的制造,。
大連光刻膠報(bào)價(jià)