東莞紫外光刻膠報(bào)價(jià)

來源：發(fā)布時(shí)間：2025-06-16

定義與特性

正性光刻膠是一種在曝光后，曝光區(qū)域會(huì)溶解于顯影液的光敏材料,，形成與掩膜版（Mask）圖案一致的圖形,。與負(fù)性光刻膠（未曝光區(qū)域溶解）相比,，其優(yōu)勢(shì)是分辨率高、圖案邊緣清晰，是半導(dǎo)體制造（尤其是制程）的主流選擇。

化學(xué)組成與工作原理

主要成分

? 樹脂（成膜劑）：

? 傳統(tǒng)正性膠：采用**酚醛樹脂（Novolak）與重氮萘醌（DNQ,，光敏劑）**的復(fù)合體系（PAC體系），占比約80%-90%,。

? 化學(xué)增幅型（用于DUV/EUV）：含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物,，搭配光酸發(fā)生器（PAG），通過酸催化反應(yīng)提高感光度和分辨率,。

? 溶劑：溶解樹脂和感光劑,，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。

? 添加劑：表面活性劑（改善涂布均勻性）,、穩(wěn)定劑（防止暗反應(yīng)）,、堿溶解度調(diào)節(jié)劑等。

工作原理

? 曝光前：光敏劑（如DNQ）與樹脂結(jié)合,，形成不溶于堿性顯影液的復(fù)合物,。

? 曝光時(shí)：

? 傳統(tǒng)PAC體系：DNQ在紫外光（G線436nm、I線365nm）照射下發(fā)生光分解,，生成羧酸,，使曝光區(qū)域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強(qiáng)。

? 化學(xué)增幅型：PAG在DUV/EUV光下產(chǎn)生活性酸,，催化樹脂發(fā)生脫保護(hù)反應(yīng)，大幅提高顯影速率（靈敏度提升10倍以上）,。

? 顯影后：曝光區(qū)域溶解去除,，未曝光區(qū)域保留，形成正性圖案,。

負(fù)性光刻膠的工藝和應(yīng)用場(chǎng)景,。東莞紫外光刻膠報(bào)價(jià)

作為中國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的企業(yè)，吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終以自研自產(chǎn)為戰(zhàn)略,，通過 23 年技術(shù)沉淀與持續(xù)創(chuàng)新,，成功突破多項(xiàng) “卡脖子” 技術(shù)，構(gòu)建起從原材料到成品的全鏈條國(guó)產(chǎn)化能力,。其自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品已覆蓋芯片制造,、顯示面板、精密電子等領(lǐng)域，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供關(guān)鍵支撐,。

吉田半導(dǎo)體依托自主研發(fā)中心與產(chǎn)學(xué)研合作,，在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項(xiàng)技術(shù)突破：

YK-300 正性光刻膠：分辨率達(dá) 0.35μm，線寬粗糙度（LWR）≤3nm,，適用于 45nm 及以上制程,，良率達(dá) 98% 以上，成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%,，已通過中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證,。
SU-3 負(fù)性光刻膠：支持 3μm 厚膜加工，抗深蝕刻速率 > 500nm/min,，成功應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片封裝,，良率提升至 98.5%。
JT-2000 納米壓印光刻膠：突破 250℃耐高溫極限,，圖形保真度 > 95%,，性能對(duì)標(biāo)德國(guó) MicroResist 系列，已應(yīng)用于國(guó)產(chǎn) EUV 光刻機(jī)前道工藝,。

惠州水性光刻膠供應(yīng)商納米級(jí)圖案化的主要工具,。

技術(shù)驗(yàn)證周期長(zhǎng)

半導(dǎo)體光刻膠的客戶驗(yàn)證周期通常為2-3年，需經(jīng)歷PRS（性能測(cè)試）,、STR（小試）,、MSTR（批量驗(yàn)證）等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動(dòng)驗(yàn)證,，預(yù)計(jì)2025年才能進(jìn)入穩(wěn)定供貨階段,。

原材料依賴仍存

樹脂和光酸仍依賴進(jìn)口，如KrF光刻膠樹脂的單體國(guó)產(chǎn)化率不足10%,。國(guó)內(nèi)企業(yè)需在“吸附—重結(jié)晶—過濾—干燥”耦合工藝等關(guān)鍵技術(shù)上持續(xù)突破,。

未來技術(shù)路線

? 金屬氧化物基光刻膠：氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現(xiàn)出更高分辨率和穩(wěn)定性,，清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)已實(shí)現(xiàn)5nm線寬的原型驗(yàn)證,。

? 電子束光刻膠：中科院微電子所開發(fā)的聚酰亞胺基電子束光刻膠，分辨率達(dá)1nm,，適用于量子芯片制造,。

? AI驅(qū)動(dòng)材料設(shè)計(jì)：華為與中科院合作，利用機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化光刻膠配方,，研發(fā)周期縮短50%,。

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，各有特性與優(yōu)勢(shì),，適用于不同領(lǐng)域,。

厚板光刻膠 JT - 3006：具有優(yōu)異的分辨率和感光度,，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),，保質(zhì)期 1 年,。需保存在干燥區(qū)域并密封，使用前要閱讀參考技術(shù)資料,。適用于厚板的光刻加工,，在對(duì)精度、感光度和抗蝕刻要求高的生產(chǎn)場(chǎng)景中發(fā)揮作用,，如特定的電路板制造領(lǐng)域,。

水油光刻膠 SR - 3303：適用于光學(xué)儀器、太陽能電池等領(lǐng)域的光刻工藝,。品質(zhì)保障,、性能穩(wěn)定的特點(diǎn)，由工廠研發(fā)且支持定制,，工廠直銷,。水性感光膠推薦吉田 JT-1200，精細(xì)網(wǎng)點(diǎn)+易操作性!

“設(shè)備-材料-工藝”閉環(huán)驗(yàn)證

吉田半導(dǎo)體與中芯國(guó)際,、華虹半導(dǎo)體等晶圓廠建立了聯(lián)合研發(fā)機(jī)制,，針對(duì)28nm及以上成熟制程開發(fā)專門使用光刻膠，例如其KrF光刻膠已通過中芯國(guó)際北京廠的產(chǎn)線驗(yàn)證,，良率達(dá)95%以上,。此外，公司參與國(guó)家重大專項(xiàng)（如02專項(xiàng)）,，與中科院微電子所合作開發(fā)EUV光刻膠基礎(chǔ)材料,，雖未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但在酸擴(kuò)散控制和靈敏度優(yōu)化方面取得階段性突破,。

政策支持與成本優(yōu)勢(shì)

作為廣東省專精特新企業(yè),，吉田半導(dǎo)體享受稅收優(yōu)惠（如15%企業(yè)所得稅）和研發(fā)補(bǔ)貼（2023年獲得國(guó)家補(bǔ)助超2000萬元），比較明顯降低產(chǎn)品研發(fā)成本,。同時(shí),，其本地化生產(chǎn)（東莞松山湖基地）可將物流成本壓縮至進(jìn)口產(chǎn)品的1/3，并實(shí)現(xiàn)48小時(shí)緊急訂單響應(yīng),，這對(duì)中小客戶具有吸引力。

正性光刻膠生產(chǎn)廠家,。湖北阻焊光刻膠生產(chǎn)廠家

吉田半導(dǎo)體助力區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展,，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。東莞紫外光刻膠報(bào)價(jià)

技術(shù)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體先進(jìn)制程：

? EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個(gè)）,，開發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料,；

? 極紫外吸收問題：膠膜對(duì)13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑戰(zhàn)化學(xué)增幅體系的靈敏度,。

環(huán)保與低成本：

? 水性負(fù)性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠）,，減少VOC排放；

? 單層膠工藝替代多層膠,，簡(jiǎn)化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）,。

新興領(lǐng)域拓展：

? 柔性電子：開發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠,，用于可穿戴設(shè)備電路,；

? 光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導(dǎo)，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）,。

典型產(chǎn)品與廠商

? 半導(dǎo)體正性膠：

? 日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm,，用于12nm制程）；

? 美國(guó)陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm2,，缺陷密度＜5個(gè)/cm2）,。

? PCB負(fù)性膠：

? 中國(guó)容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm,，國(guó)產(chǎn)化率超60%,；

? 日本東京應(yīng)化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車板,。

? MEMS厚膠：

? 美國(guó)陶氏的SU-8：實(shí)驗(yàn)室常用,，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）,；

? 德國(guó)Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻,，線寬精度±2%，用于工業(yè)級(jí)MEMS制造,。

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標(biāo)簽：錫片錫膏光刻膠

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