濟(jì)南3微米光刻膠感光膠

來(lái)源：發(fā)布時(shí)間：2025-06-21

上游原材料：

? 樹(shù)脂：彤程新材,、鼎龍股份實(shí)現(xiàn)KrF/ArF光刻膠樹(shù)脂自主合成,，金屬雜質(zhì)含量<5ppb（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)<10ppb）,。

? 光引發(fā)劑：久日新材攻克EUV光刻膠原料光致產(chǎn)酸劑,，累計(jì)形成噸級(jí)訂單,；威邁芯材合肥基地建成100噸/年ArF/KrF光刻膠主材料產(chǎn)線,。

? 溶劑：怡達(dá)股份電子級(jí)PM溶劑全球市占率超40%，與南大光電合作開(kāi)發(fā)配套溶劑,，技術(shù)指標(biāo)達(dá)SEMI G5標(biāo)準(zhǔn),。

設(shè)備與驗(yàn)證：

? 上海新陽(yáng)與上海微電子聯(lián)合開(kāi)發(fā)光刻機(jī)適配參數(shù)，驗(yàn)證周期較國(guó)際廠商縮短6個(gè)月,；徐州博康實(shí)現(xiàn)“單體-樹(shù)脂-成品膠”全鏈條國(guó)產(chǎn)化,，適配ASML Twinscan NXT系列光刻機(jī)。

? 國(guó)內(nèi)企業(yè)通過(guò)18-24個(gè)月的晶圓廠驗(yàn)證周期（如中芯國(guó)際,、長(zhǎng)江存儲(chǔ)）,，一旦導(dǎo)入不易被替代。

厚板光刻膠 JT-3001,，抗深蝕刻,，PCB 電路板制造Preferred！濟(jì)南3微米光刻膠感光膠

? 化學(xué)反應(yīng)：

? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解,，生成羧酸,，在堿性顯影液中溶解；

? 負(fù)性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹(shù)脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),。

5. 顯影（Development）

? 顯影液：

? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH）,，溶解曝光區(qū)域；

? 負(fù)性膠：有機(jī)溶劑（如二甲苯,、醋酸丁酯）,，溶解未曝光區(qū)域。

? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導(dǎo)體）,，時(shí)間30秒-2分鐘,，需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘（Post-Bake）

? 目的：固化膠膜,，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性,。

? 條件：

? 溫度：100-150℃（半導(dǎo)體用正性膠可能更高，如180℃）,；

? 時(shí)間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時(shí)延長(zhǎng)）,。

7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）

? 蝕刻：以膠膜為掩膜，通過(guò)濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅,、金屬,、玻璃）；

? 離子注入：膠膜保護(hù)未曝光區(qū)域,，使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域（半導(dǎo)體摻雜工藝）,。

8. 去膠（Strip）

? 方法：

? 濕法去膠：強(qiáng)氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機(jī)溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；

? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導(dǎo)體領(lǐng)域,，無(wú)殘留）,。

四川激光光刻膠供應(yīng)商正性光刻膠生產(chǎn)廠家。

主要優(yōu)勢(shì)：細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

技術(shù)積累與自主化能力

公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了從樹(shù)脂合成,、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化,。例如，其納米壓印光刻膠通過(guò)自主開(kāi)發(fā)的樹(shù)脂體系,，分辨率達(dá)3μm,，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域,，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白,。

技術(shù)壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹(shù)脂、光酸）的合成技術(shù),，部分原材料純度達(dá)PPT級(jí),，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%,。

產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局

產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠,、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠,、半導(dǎo)體錫膏等,，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：

? LCD光刻膠：適配AMOLED,、Micro LED等新型顯示技術(shù),，與京東方、TCL華星合作開(kāi)發(fā)高分辨率產(chǎn)品,，良率提升至98%,。

? 半導(dǎo)體錫膏：供應(yīng)華為、OPPO等企業(yè),，年采購(gòu)量超200噸,，用于5G手機(jī)主板封裝。

技術(shù)化延伸：計(jì)劃2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā),，目標(biāo)進(jìn)入中芯國(guó)際,、長(zhǎng)江存儲(chǔ)供應(yīng)鏈。

質(zhì)量控制與生產(chǎn)能力

通過(guò)ISO9001:2008質(zhì)量體系認(rèn)證,，生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理,，原材料采用美、德,、日進(jìn)口高質(zhì)量材料,。擁有全自動(dòng)化生產(chǎn)線，年產(chǎn)能達(dá)2000噸（光刻膠及配套材料）,，支持大規(guī)模訂單交付,。

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,，各有特性與優(yōu)勢(shì)，適用于不同領(lǐng)域,。

LCD 正性光刻膠 YK - 200：具有較大曝光,、高分辨率、良好涂布和附著力的特點(diǎn),，重量 100g。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝,，能確保 LCD 生產(chǎn)過(guò)程中圖形的精確轉(zhuǎn)移和良好的涂布效果,。

半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300：具備耐熱耐酸、耐溶劑性,、絕緣阻抗和緊密性,，重量 100g。主要用于半導(dǎo)體制造工藝,，滿足半導(dǎo)體器件對(duì)光刻膠在化學(xué)穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求,。

耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT - NF100：重量 1L，具有耐腐蝕的特性,，適用于在有腐蝕風(fēng)險(xiǎn)的光刻工藝中,，比如一些特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。納米級(jí)圖案化的主要工具,。

正性光刻膠（如 YK-300）
應(yīng)用場(chǎng)景：用于芯片的精細(xì)圖案化,，如集成電路（IC）、分立器件（二極管,、三極管）的制造,。
特點(diǎn)：高分辨率（可達(dá)亞微米級(jí)），適用于多層光刻工藝,，確保芯片電路的高精度與可靠性,。
負(fù)性光刻膠（如 JT-1000）
應(yīng)用場(chǎng)景：用于功率半導(dǎo)體（如 MOSFET、IGBT）的制造,，以及傳感器（如 MEMS）的微結(jié)構(gòu)成型,。
特點(diǎn)：抗蝕刻能力強(qiáng)，適合復(fù)雜圖形的轉(zhuǎn)移,，尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異,。
納米壓印光刻膠（JT-2000）
應(yīng)用場(chǎng)景：第三代半導(dǎo)體（GaN、SiC）芯片,、量子點(diǎn)器件及微流控芯片的制造,。特點(diǎn)：耐高溫（250℃）、耐酸堿,，支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制,，降低芯片的制造成本,。

正性光刻膠的工藝和應(yīng)用場(chǎng)景。云南網(wǎng)版光刻膠工廠

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生產(chǎn)設(shè)備與工藝：從設(shè)計(jì)到制造的“木桶效應(yīng)”

前端設(shè)備的進(jìn)口依賴

光刻膠生產(chǎn)所需的超臨界流體萃取設(shè)備,、納米砂磨機(jī)等關(guān)鍵裝備被德國(guó)耐馳,、日本光洋等企業(yè)壟斷。國(guó)內(nèi)企業(yè)如拓帕實(shí)業(yè)雖推出砂磨機(jī)產(chǎn)品,，但在研磨精度（如納米級(jí)顆粒分散）上仍落后于國(guó)際水平,。

工藝集成的系統(tǒng)性短板

光刻膠生產(chǎn)涉及精密混合、過(guò)濾,、包裝等環(huán)節(jié),，需全流程數(shù)字化控制。國(guó)內(nèi)企業(yè)因缺乏MES（制造執(zhí)行系統(tǒng)）等智能管理工具,，導(dǎo)致批次一致性波動(dòng),。例如，鼎龍股份潛江工廠的KrF光刻膠產(chǎn)線雖實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,，但工藝參數(shù)波動(dòng)仍較日本同類產(chǎn)線高約10%,。

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標(biāo)簽：光刻膠錫膏錫片

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