光刻機(jī)的主要性能指標(biāo)有：支持基片的尺寸范圍,，分辨率、對(duì)準(zhǔn)精度,、曝光方式,、光源波長(zhǎng)、光強(qiáng)均勻性,、生產(chǎn)效率等,。分辨率是對(duì)光刻工藝加工可以達(dá)到的較細(xì)線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源,、光刻系統(tǒng),、光刻膠和工藝等各方面的限制。對(duì)準(zhǔn)精度是在多層曝光時(shí)層間圖案的定位精度,。曝光方式分為接觸接近式,、投影式和直寫(xiě)式。曝光光源波長(zhǎng)分為紫外,、深紫外和極紫外區(qū)域,，光源有汞燈，準(zhǔn)分子激光器等,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。微納加工技術(shù)與微電子工藝技術(shù)有密切關(guān)系。上海集成電路半導(dǎo)體器件加工流程

半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)高,、進(jìn)步快,，一代產(chǎn)品需要一代工藝，而一代工藝需要一代設(shè)備,。半導(dǎo)體工藝設(shè)備為半導(dǎo)體大規(guī)模制造提供制造基礎(chǔ),。很多半導(dǎo)體器件，如光碟機(jī)(CD,、VCD和DVD)和光纖通信中用的半導(dǎo)體激光器,，雷達(dá)或衛(wèi)星通信設(shè)備中的微波集成電路，甚至許多普通的微電子集成電路,，都有相當(dāng)部分的制作工序是在真空容器中進(jìn)行的,。真空程度越高，制作出來(lái)的半導(dǎo)體器件的性能也就越好?，F(xiàn)在,，很多高性能的半導(dǎo)體器件都是在超高真空環(huán)境中制作出來(lái)的。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。湖南集成電路半導(dǎo)體器件加工設(shè)備芯片封裝是利用陶瓷或者塑料封裝晶粒及配線形成集成電路,。

MEMS制造工藝是下至納米尺度，上至毫米尺度微結(jié)構(gòu)加工工藝的通稱,。廣義上的MEMS制造工藝,，方式十分豐富，幾乎涉及了各種現(xiàn)代加工技術(shù),。起源于半導(dǎo)體和微電子工藝,，以光刻、外延,、薄膜淀積,、氧化、擴(kuò)散,、注入,、濺射、蒸鍍,、刻蝕,、劃片和封裝等為基本工藝步驟來(lái)制造復(fù)雜三維形體的微加工技術(shù)。微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米,、微米和納米量級(jí)元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì),、加工、組裝,、系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù),，涉及領(lǐng)域廣、多學(xué)科交叉融合,，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS和NEMS）,。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列適用技術(shù)，研制微型傳感器,、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng),，具有微型化、批量化,、成本低的鮮明特點(diǎn),，對(duì)現(xiàn)代的生活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進(jìn)作用,，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè),。

晶圓的制作工藝流程：硅提純：將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中,，在高溫下,，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)(碳與氧結(jié)合，剩下硅),，得到純度約為98%的純硅,，又稱作冶金級(jí)硅,，這對(duì)微電子器件來(lái)說(shuō)不夠純，因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對(duì)雜質(zhì)的濃度非常敏感,，因此對(duì)冶金級(jí)硅進(jìn)行進(jìn)一步提純：將粉碎的冶金級(jí)硅與氣態(tài)的氯化氫進(jìn)行氯化反應(yīng),，生成液態(tài)的硅烷，然后通過(guò)蒸餾和化學(xué)還原工藝,，得到了高純度的多晶硅,，其純度高達(dá)99.99%，成為電子級(jí)硅,。選用整流二極管時(shí),，主要應(yīng)考慮其較大整流電流、較大反向工作電流,、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù),。

半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)，除需要超凈的環(huán)境外,，有些工序還必須在真空中進(jìn)行,。在我們生活的大氣環(huán)境中，充滿了大量的氮?dú)?、氧氣和其他各種氣體分子,，這些氣體分子時(shí)時(shí)刻刻都在運(yùn)動(dòng)著。當(dāng)這些氣體分子運(yùn)動(dòng)到物體的表面時(shí),，就會(huì)有一部分黏附在該物體的表面,。這在日常生活中，不會(huì)產(chǎn)生多大的影響,。但在對(duì)周圍環(huán)境要求極高的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)工序中,，這些細(xì)微的變化就會(huì)給生產(chǎn)帶來(lái)各種麻煩。每一半導(dǎo)體器件都包含著許多層各種各樣的材料,，如果在這些不同的材料層之間混入氣體分子,，就會(huì)破壞器件的電學(xué)或光學(xué)性能。比如,，當(dāng)希望在晶體層上再生長(zhǎng)一層晶體時(shí)(稱為外延）,，底層晶體表面吸附的氣體分子，會(huì)阻礙上面的原子按照晶格結(jié)構(gòu)進(jìn)行有序排列,，結(jié)果在外延層中引入大量缺陷,，嚴(yán)重時(shí)，甚至長(zhǎng)不出晶體,，而只能得到原子排列雜亂無(wú)章的多晶或非晶體,。單晶圓清洗取代批量清洗是先進(jìn)制程的主流，單晶圓清洗通常采用單晶圓清洗設(shè)備,。遼寧功率器件半導(dǎo)體器件加工價(jià)格

傳感MEMS技術(shù)是指用微電子微機(jī)械加工出來(lái)的,。上海集成電路半導(dǎo)體器件加工流程

在MEMS制程中,，刻蝕就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法,，在光刻的基礎(chǔ)上有選擇地進(jìn)行圖形的轉(zhuǎn)移,。刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕,。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕；以FATRIUTC為例,，在MEMS制造中的ICP刻蝕機(jī)主要用來(lái)刻蝕Si,、Si3N4、SiO2等,。濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕,；以FATRIUTC的MEMS制程為例，在濕法槽進(jìn)行濕法刻蝕的對(duì)象有SiO2,、Si3N4,、金屬、光刻膠等,，晶圓作業(yè)中的清洗步驟也需在濕法槽中進(jìn)行,。上海集成電路半導(dǎo)體器件加工流程