談到磁控濺射，首先就要說濺射技術(shù)。濺射技術(shù)是指使得具有一定能量的粒子轟擊材料表面,，使得固體材料表面的原子或分子分離,，飛濺落于另一物體表面形成鍍膜的技術(shù),。被粒子轟擊的材料稱為靶材，而被鍍膜的固體材料稱為基片,。首先由極板發(fā)射出粒子,，這些粒子一般是電子,，接著使它們在外電場加速下與惰性氣體分子一般是氬氣分子（即Ar原子）碰撞,，使得其電離成Ar離子和二次電子。Ar離子會受到電場的作用,，以高速轟擊靶材,，使靶材表面原子或分子飛濺出去，落于基片表面沉積下來形成薄膜,。磁控濺射在技術(shù)上可以分為直流(DC)磁控濺射,、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射,。北京單靶磁控濺射特點(diǎn)

磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：（1）成膜致密,、均勻。濺射的薄膜聚集密度普遍提高了,。從顯微照片看,，濺射的薄膜表面微觀形貌比較精致細(xì)密，而且非常均勻,。（2）濺射的薄膜均具有優(yōu)異的性能。如濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能,、電學(xué)性能及某些特殊性能,。（3）易于組織大批量生產(chǎn)。磁控源可以根據(jù)要求進(jìn)行擴(kuò)大,，因此大面積鍍膜是容易實(shí)現(xiàn)的,。再加上濺射可連續(xù)工作，鍍膜過程容易自動控制,，因此工業(yè)上流水線作業(yè)完全成為可能,。（4）工藝環(huán)保。傳統(tǒng)的濕法電鍍會產(chǎn)生廢液,、廢渣,、廢氣，對環(huán)境造成嚴(yán)重的污染,。不產(chǎn)生環(huán)境污染,、生產(chǎn)效率高的磁控濺射鍍膜法則可較好解決這一難題。江西高溫磁控濺射原理磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：操作易控,。

磁控濺射技術(shù)不只是科學(xué)研究和精密電子制造中常用的薄膜制備工藝技術(shù),，經(jīng)過多年的不斷完善和發(fā)展，該技術(shù)也已經(jīng)成為重要的工業(yè)化大面積真空鍍膜技術(shù)之一,，普遍應(yīng)用于玻璃,、汽車、醫(yī)療衛(wèi)生、電子工業(yè)等工業(yè)和民生領(lǐng)域,。例如,，采用磁控濺射工藝生產(chǎn)鍍膜玻璃，其膜層可以由多層金屬或金屬氧化物祖成,，允許任意調(diào)節(jié)能量通過率,、反射率，具有良好的美觀效果,，被越來越多的被應(yīng)用于現(xiàn)代建筑領(lǐng)域,。再比如，磁控濺射技術(shù)也能夠應(yīng)用于織物涂層,，這些織物涂層可以應(yīng)用于安全領(lǐng)域,，如防電擊、電磁屏蔽和機(jī)器人防護(hù)面料等,，也可用于染料制作,。這樣的涂層織物在醫(yī)療衛(wèi)生、環(huán)境保護(hù),、電子工業(yè)等領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用,。

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點(diǎn)火和濺射很方便,。這是因?yàn)榘校帢O）,，等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體（如陶瓷）,，則回路斷了,。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強(qiáng)的電容,，這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容,。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小,，同時接地技術(shù)很復(fù)雜,，因而難大規(guī)模采用。為解決此問題,，發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射,。就是用金屬靶，加入氬氣和反應(yīng)氣體如氮?dú)饣蜓鯕?。?dāng)金屬靶材撞向零件時由于能量轉(zhuǎn)化,，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。真空磁控濺射鍍膜技術(shù)所鍍玻璃多用于建筑玻璃和汽車玻璃這兩大用處,。

磁控濺射的原理：靶材背面加上強(qiáng)磁體,，形成磁場,。在正負(fù)電極間施以高的電壓產(chǎn)生等離子體，使氬氣發(fā)生輝光放電,。等離子體中的電子在相互垂直的電場和磁場的共同作用下做螺旋式運(yùn)動,，飛向正電極，在運(yùn)動過程中與氬氣原子發(fā)生碰撞,，產(chǎn)生Ar離子和電子,，帶負(fù)電的電子又在相互垂直的電場和磁場的共同作用下向正電級做螺旋式運(yùn)動，電子再次與氬氣原子發(fā)生碰撞,，隨著碰撞次數(shù)的增大,，電子的能量逐漸降低，較后落在襯底上,，這就使得高速電子對襯底轟擊產(chǎn)生的溫升大幅度降低,。Ar離子向負(fù)極加速運(yùn)動，與靶材發(fā)生碰撞,。能量適當(dāng)?shù)腁r離子離子轟擊靶材后使得靶材原子脫離靶材表面,，較后沉積在襯底上形成薄膜。磁控濺射既降低濺射過程中的氣體壓力,，也同時提高了濺射的效率和沉積速率,。山西多層磁控濺射儀器

磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：膜的牢固性好。北京單靶磁控濺射特點(diǎn)

磁控濺射生成的薄膜厚度的均勻性是成膜性質(zhì)的一項(xiàng)重要指標(biāo),，因此有必要研究影響磁控濺射均勻性的因素,，以更好的實(shí)現(xiàn)磁控濺射均勻鍍膜。簡單的說磁控濺射就是在正交的電磁場中,，閉合的磁場束縛電子圍繞靶面做螺線運(yùn)動，在運(yùn)動過程中不斷撞擊工作氣體氬氣電離出大量的氬離子,，氬離子在電場作用下加速轟擊靶材,，濺射出呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。所以要實(shí)現(xiàn)均勻的鍍膜,，就需要均勻的濺射出靶原子（或分子）,，這就要求轟擊靶材的氬離子是均勻的且是均勻的轟擊的。由于氬離子在電場作用下加速轟擊靶材,，所以均勻轟擊很大程度上依賴電場的均勻,。北京單靶磁控濺射特點(diǎn)