談到磁控濺射,，首先就要說濺射技術(shù),。濺射技術(shù)是指使得具有一定能量的粒子轟擊材料表面，使得固體材料表面的原子或分子分離,，飛濺落于另一物體表面形成鍍膜的技術(shù),。被粒子轟擊的材料稱為靶材，而被鍍膜的固體材料稱為基片,。首先由極板發(fā)射出粒子,，這些粒子一般是電子，接著使它們在外電場加速下與惰性氣體分子一般是氬氣分子（即Ar原子）碰撞,，使得其電離成Ar離子和二次電子,。Ar離子會受到電場的作用，以高速轟擊靶材,，使靶材表面原子或分子飛濺出去,，落于基片表面沉積下來形成薄膜。磁控濺射方法可用于制備多種材料,如金屬,、半導(dǎo)體,、絕緣子等。廣州射頻磁控濺射哪家好

磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用：1.一些不適合化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的材料可以通過磁控濺射沉積,，這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜,。2.機(jī)械工業(yè)：如表面功能膜、超硬膜,、自潤滑膜等.這些膜能有效提高表面硬度,、復(fù)合韌性、耐磨性和高溫化學(xué)穩(wěn)定性,，從而大幅度提高產(chǎn)品的使用壽命.3.光領(lǐng)域：閉場非平衡磁控濺射技術(shù)也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜(如增透膜),、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃.特別是，透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件,、太陽能電池,、微波和射頻屏蔽器件和器件、傳感器等。江蘇射頻磁控濺射哪家有磁控濺射設(shè)備的主要用途：裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用,，如各種全反射膜及半透明膜等,，如手機(jī)外殼，鼠標(biāo)等,。

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點(diǎn)：1,、基片溫度低,?？衫藐枠O導(dǎo)走放電時產(chǎn)生的電子，而不必借助基材支架接地來完成,，可以有效減少電子轟擊基材,，因而基材的溫度較低，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜,。2,、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕。磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導(dǎo)致,，靶的局部位置刻蝕速率較大,，使靶材有效利用率較低（只20％-30％的利用率）。因此,，想要提高靶材利用率,，需要通過一定手段將磁場分布改變，或者利用磁鐵在陰極中移動,，也可提高靶材利用率,。

中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)已逐漸成為濺射鍍膜的主流技術(shù)。它優(yōu)于直流磁控濺射鍍膜,，因?yàn)樗朔岁枠O的消失并削減或消除了靶材的異常電弧放電,。直流磁控濺射適用鍍膜設(shè)備，適用于筆記本電腦,，手機(jī)外殼,，電話，無線通信,，視聽電子,，遙控器，導(dǎo)航和醫(yī)療工具等,，全自動控制,，配備大功率磁控管電源，雙靶替換運(yùn)用,，恒定流輸出,。獨(dú)特的工件架設(shè)計合理，自傳性強(qiáng)，產(chǎn)量大,，成品率高,。膜層的厚度能夠通過石英晶體厚度計測量，并且能夠鍍覆準(zhǔn)確的膜厚度,。這兩種類型的磁控濺射鍍膜機(jī)在市場上被普遍運(yùn)用,。磁控濺射鍍膜的適用范圍：在鋁合金制品裝飾中的應(yīng)用。

磁控濺射是物理中氣相沉積的一種,。一般的濺射法可被用于制備金屬,、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料,，且具有設(shè)備簡單,、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),。上世紀(jì)70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速,、低溫、低損傷,。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射,，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場,，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率,。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程,，和靶原子碰撞,，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞,，形成級聯(lián)過程,。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動的足夠動量，離開靶被濺射出來,。雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)是帶有進(jìn)樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備,。湖南雙靶磁控濺射用途

磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率,。廣州射頻磁控濺射哪家好

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下,，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子,；新電子飛向基片,，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面,，使靶材發(fā)生濺射,。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用,，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移,，簡稱E×B漂移，其運(yùn)動軌跡近似于一條擺線,。若為環(huán)形磁場,，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動，它們的運(yùn)動路徑不只很長,，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率,。隨著碰撞次數(shù)的增加,，二次電子的能量消耗殆盡,，逐漸遠(yuǎn)離靶表面,，并在電場E的作用下較終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,，傳遞給基片的能量很小,，致使基片溫升較低。廣州射頻磁控濺射哪家好