微流控芯片是在普通毛細管電泳的基本原理和技術的基礎上,，利用微加工技術在硅,、石英,、玻璃或高分子聚合物基質(zhì)材料上加工出各種微細結構,，如管道,、反應池、電極之類的功能單元,，完成生物和化學等領域中所涉及的樣品制備,、生化反應、處理（混合,、過濾,、稀釋）、分離檢測等一系列任務,，具有快速,、高效、低耗,、分析過程自動化和應用范圍廣等特點的微型分析實驗裝置,。目前已成為微全分析系統(tǒng)（micrototalanalysissystems,μ-TAS）和芯片實驗室（labonachip）的發(fā)展重點和前沿領域。為常見的聚合物微流控芯片形式,。近年來,，由于生化分析的復雜性和多樣性需求，微流控芯片技術的發(fā)展愈發(fā)趨于組合化和集成化,，在一塊芯片基片上集成多種功能單元成為一種常見形式,，普遍應用于醫(yī)學診斷、醫(yī)學分析,、藥物篩選,、環(huán)境監(jiān)測和燃料電池技術等諸多領域?；诟咄靠焖俜蛛x的需要,，多通道陣列并行操作是微流控芯片的發(fā)展的趨勢，芯片微通道數(shù)量已從較初的12通道,、96通道,，發(fā)展到現(xiàn)在的384通道,。微納加工平臺包括光刻、磁控濺射,、電子束蒸鍍,、濕法腐蝕、干法腐蝕,、表面形貌測量,。陽江微納加工平臺

    高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術,，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光,，具有很高的曝光精度,，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘,，目前直寫光刻技術適用于小面積的微納結構制作,。近年來，三維浮雕微納結構的需求越來越大,，如閃耀光柵,、菲涅爾透鏡、多臺階微光學元件等,。據(jù)悉,，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術中激光雷達光學系統(tǒng)也用到了復雜的微光學元件,。這類精密的微納結構光學元件需采用灰度光刻技術進行制作,。直寫技術，通過在光束移動過程中進行相應的曝光能量調(diào)節(jié),，可以實現(xiàn)良好的灰度光刻能力,。 陽江微納加工平臺微納加工技術的特點多學科交叉。

    微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝,。在微納加工過程中,，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積,。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā),、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜,、合金薄膜,、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下,，利用電阻加熱至材料的熔化溫度,，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜,，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空,，在電場的作用下,，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底,；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高,、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜,；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結合的混合方法,，CVD和PECVD用于生長氮化硅、氧化硅等介質(zhì)膜,。真空蒸鍍,，簡稱蒸鍍，是指在真空條件下,，采用一定的加熱蒸發(fā)方式蒸發(fā)鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化,，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法。蒸鍍是使用較早,、用途較廣的氣相沉積技術,，具有成膜方法簡單、薄膜純度和致密性高,、膜結構和性能獨特等優(yōu)點,。

光刻是半導體制造中常用的技術之一，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎,。然而,，深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應的光學掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術，導致其價格都相對昂貴,。因此,，無掩模的高速制備法是微納結構制備的優(yōu)先方法。在這些無掩模方法中,，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的,、被廣采用的微處理技術，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量,。但是,，實際應用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高,。微納加工技術的特點：微型化,。

微納制造技術一般是指微米、納米級的材料,、設計,、制造,、測量控制和產(chǎn)品的研發(fā)、加工,、制造以及應用技術,。微納制造技術是繼IT、生物技術之后,，21世紀較具發(fā)展?jié)摿Φ难芯款I域和新興產(chǎn)業(yè)之一,。微納制造技術較早是由加工精度研究的角度延伸出來的。伴隨著科技進步和制造業(yè)的快速發(fā)展,，人們對加工精度的要求越來越高,，傳統(tǒng)加工方式的加工精度越來越難以滿足諸多領域的應用和研究需求。這一需求促使人們投入到更高精度加工技術的研發(fā)上,。從較初的毫米級（10-3m）到微米級（10-6m）和納米級（10-9m）,，人類的制造水平逐步由宏觀尺度向微觀尺度邁進，“微納制造技術”的概念也應運而生,。微納制造技術研發(fā)和應用標志著人類可以在微、納米尺度認識和改造世界,。陽江微納加工平臺

大部份的濕刻蝕液均是各向同性的,，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異,。陽江微納加工平臺

微納加工當中,，GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來做掩膜，但是刻蝕GaN和光刻膠,，選擇比接近1:1,，如果需要刻蝕深度超過3微米以上就需要采用厚膠來做掩膜。對于刻蝕更深的GaN,那就需要采用氧化硅來做刻蝕的掩模,，刻蝕GaN的氣體對于刻蝕氧化硅刻蝕比例可以達到8:1,。應用于MEMS制作的襯底可以說是各種各樣的，如硅晶圓,、玻璃晶圓,、塑料、還其他的材料,。硅晶圓包括氧化硅片,、SOI硅片、高阻硅片等,，硅片晶圓包括單晶石英玻璃,、高硼硅玻璃、光學玻璃,、光敏玻璃等,。塑料材料包括PMMA,、PS、光學樹脂等材料,。其他材料包括陶瓷,、AlN材料、金屬等材料,。陽江微納加工平臺