常用的薄膜制備方式主要有兩種,，其中一種是物理法氣相沉積（PVD），PVD的方法有磁控濺射鍍膜,、電子束蒸發(fā)鍍膜,、熱阻蒸發(fā)等。另一種是化學法氣相沉積（CVD）,，主要有常壓CVD,、LPCVD（低壓沉積法）、PECVD（等離子體增強沉積法）等方法,。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學清洗（材料進行有機清洗和無機清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應氣體）,。真空鍍膜鍍的薄膜涂層均勻。溫州來料真空鍍膜

原子層沉積技術憑借其獨特的表面化學生長原理,、亞納米膜厚的精確控制性以及適合復雜三維高深寬比表面沉積,，自截止生長等特點，特別適合薄層薄膜材料的制備,。例如：S.F. Bent等人利用十八烷基磷酸鹽（ODPA）對Cu的選擇性吸附,，在預先吸附有ODPA分子的襯底表面進行ALD沉積Al2O3，有效避免了Al2O3在Cu表面沉積,，從而得到被高k絕緣材料Al2O3所間隔的空間選擇性暴露表面Cu的薄膜材料,。此外，電鏡照片表明該沉積方法的區(qū)域選擇性得到了有效保證,。溫州來料真空鍍膜評價氧化硅薄膜的質量：腐蝕速率越慢,，薄膜質量越致密，反之,，腐蝕速率越快,，薄膜質量越差。

真空鍍膜：PVD技術工藝步驟：清洗工件：接通直流電源,，氬氣進行輝光放電為氬離子,，氬離子轟擊工件表面，工件表層粒子和臟物被轟濺拋出,；鍍料的氣化：即通入交流電后,，使鍍料蒸發(fā)氣化。鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子,、分子或離子經(jīng)過碰撞以及高壓電場后,，高速沖向工件；鍍料原子,、分子或離子在基體上沉積：工件表面上的蒸發(fā)料離子超過濺失離子的數(shù)量時,，則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。離子鍍時,，蒸發(fā)料粒子電離后具有三千到五千電子伏特的動能,，高速轟擊工件時,，不但沉積速度快，而且能夠穿透工件表面,，形成一種注入基體很深的擴散層,，離子鍍的界面擴散深度可達四至五微米，也就是說比普通真空鍍膜的擴散深度要深幾十倍,，甚至上百倍，因而彼此粘附得特別牢,。

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶材的原子或分子從表面發(fā)射出來,進而在基片上沉積的技術,。在濺射鍍鈦的實驗中,電子、離子或中性粒子均可作為轟擊靶的荷能粒子,而由于離子在電場下易于加速并獲得較大動能,所以一般是用Ar+作為轟擊粒子,。與傳統(tǒng)的蒸發(fā)鍍膜相比,濺射鍍膜可以在低溫,、低損傷的條件下實現(xiàn)高速沉積、附著力較強,、制取高熔點物質的薄膜,在大面積連續(xù)基板上可以制取均勻的膜層,。濺射鍍膜被稱為可以在任何基板上沉積任何材料的薄膜技術,因此應用十分普遍。真空鍍膜機電阻式蒸發(fā)鍍分為預熱段,、預溶段,、線性蒸發(fā)段三個步驟。

電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點材料,，比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高,、 束流密度大、蒸發(fā)速度快,，制成的薄膜純度高,、質量好，通過晶振控制,，厚度可以較準確地控制,，可以廣泛應用于制備高純薄膜和各種光學材料薄膜。電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面,，臺階覆蓋性比較差,，如果需要追求臺階覆蓋性和薄膜粘附力，建議使用磁控濺射,。在蒸發(fā)溫度以上進行蒸發(fā)試,，蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。因此,，在鍍膜過程中,，想要控制蒸發(fā)速率，必須精確控制蒸發(fā)源的溫度,，加熱時應盡量避免產生過大的溫度梯度,。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓,，溫度變化10%左右，飽和蒸氣壓就要變化一個數(shù)量級左右,。在真空中把金屬,、合金或化合物進行蒸發(fā)或濺射，使其在被涂覆的物體上凝固并沉積的方法,，稱為真空鍍膜,。溫州來料真空鍍膜

真空鍍膜中離子鍍的鍍層無小孔。溫州來料真空鍍膜

真空蒸發(fā)鍍膜是在真空室中,，加熱蒸發(fā)容器待形成薄膜的原材料,，使其原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流,，入射到襯底或者基片表面,，凝結形成固態(tài)薄膜的方法。真空蒸發(fā)鍍膜法,，設備比較簡單,、容易操作、制成的薄膜純度高,、質量好,、膜厚容易控制，成膜速率快,，效果高,。在一定溫度下，在真空當中,，蒸發(fā)物質的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現(xiàn)出的壓力,， 稱為該物質的飽和蒸氣壓。此時蒸發(fā)物表面液相,、氣相處于動態(tài)平衡,，即到達液相表面的分子全部粘接而不離開，并與從液相都氣相的分子數(shù)相等,。物質的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而增大,，在一定溫度下，各種物質的飽和蒸氣壓不相同,，且具有恒定的數(shù)值,。相反，一定的飽和蒸氣壓必定對應一定的物質的溫度,。溫州來料真空鍍膜

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