為了解決陰極濺射的缺陷，人們?cè)?0世紀(jì)70年代的時(shí)候開(kāi)發(fā)出了直流磁控濺射技術(shù),，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點(diǎn),，因而獲得了迅速發(fā)展和普遍應(yīng)用,。其原理是：在磁控濺射中，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力,，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng),，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù),，使等離子體密度增大,，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作,，降低薄膜污染的傾向,；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量,。同時(shí),，經(jīng)過(guò)多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí)，已變成低能電子,，從而不會(huì)使基片過(guò)熱,。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點(diǎn),。該方法的缺點(diǎn)是不能制備絕緣體膜,，而且磁控電極中采用的不均勻磁場(chǎng)會(huì)使靶材產(chǎn)生明顯的不均勻刻蝕，導(dǎo)致靶材利用率低,，一般只為20%-30%,。磁控濺射的原理：靶材背面加上強(qiáng)磁體，形成磁場(chǎng),。遼寧反應(yīng)磁控濺射過(guò)程

磁控濺射是物理中氣相沉積的一種,。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體,、絕緣體等多材料,，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制,、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),。上世紀(jì)70年代發(fā)展起來(lái)的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫,、低損傷,。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率,。磁控濺射通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng),，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過(guò)程,。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過(guò)程,，和靶原子碰撞,，把部分動(dòng)量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞,，形成級(jí)聯(lián)過(guò)程,。在這種級(jí)聯(lián)過(guò)程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開(kāi)靶被濺射出來(lái),。北京直流磁控濺射技術(shù)磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：沉積速率高,。

磁控濺射鍍膜常見(jiàn)領(lǐng)域應(yīng)用：1.一些不適合化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的材料可以通過(guò)磁控濺射沉積，這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜,。2.機(jī)械工業(yè)：如表面功能膜,、超硬膜、自潤(rùn)滑膜等.這些膜能有效提高表面硬度,、復(fù)合韌性,、耐磨性和高溫化學(xué)穩(wěn)定性，從而大幅度提高產(chǎn)品的使用壽命.3.光領(lǐng)域：閉場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜(如增透膜),、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃.特別是,，透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件、太陽(yáng)能電池,、微波和射頻屏蔽器件和器件,、傳感器等。

反應(yīng)磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn),，這是因?yàn)椋?1)反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧,、氮、碳?xì)浠衔锏?純度很高,，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。(2)通過(guò)調(diào)節(jié)反應(yīng)磁控濺射中的工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,，通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性,。(3)反應(yīng)磁控濺射沉積過(guò)程中基板升溫較小，而且制膜過(guò)程中通常也不要求對(duì)基板進(jìn)行高溫加熱,，因此對(duì)基板材料的限制較少,。(4)反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬(wàn)平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn),。磁控濺射是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術(shù)當(dāng)中使用較普遍的一種鍍膜工藝,。

磁控濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù),。通常,，利用低壓惰性氣體輝光放電來(lái)產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成,，基片作為陽(yáng)極,，真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體,，在陰極（靶）1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的氬離子轟擊靶表面,，使得靶原子濺出并沉積在基片上,，形成薄膜。濺射方法很多,，主要有二級(jí)濺射,、三級(jí)或四級(jí)濺射、磁控濺射,、對(duì)靶濺射,、射頻濺射、偏壓濺射,、非對(duì)稱交流射頻濺射,、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。磁控濺射特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣,，幾乎所有金屬,，合金和陶瓷材料都可以制成靶材,。安徽雙靶磁控濺射特點(diǎn)

雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設(shè)備。遼寧反應(yīng)磁控濺射過(guò)程

平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射,，是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度相等或相近的永磁體或電磁線圈,，在靶材表面形成與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng),。沉積室充入一定量的工作氣體，通常為Ar，在高壓作用下Ar原了電離成為Ar+離子和電子,，產(chǎn)生輝光放電,，Ar+離子經(jīng)電場(chǎng)加速轟擊靶材，濺射出靶材原子,、離子和二次電子等,。電子在相互垂直的電磁場(chǎng)的作用下,，以擺線方式運(yùn)動(dòng)，被束縛在靶材表面,，延長(zhǎng)了其在等離子體中的運(yùn)動(dòng)軌跡,，增加其參與氣體分子碰撞和電離的過(guò)程,，電離出更多的離子,，提高了氣體的離化率,，在較低的氣體壓力下也可維持放電,，因而磁控濺射既降低濺射過(guò)程中的氣體壓力,，也同時(shí)提高了濺射的效率和沉積速率,。遼寧反應(yīng)磁控濺射過(guò)程

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所擁有面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性,、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心,。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍,。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享，為技術(shù)咨詢,、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持,。等多項(xiàng)業(yè)務(wù),，主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù),。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才，以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力,，加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營(yíng),。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等。公司奉行顧客至上,、質(zhì)量為本的經(jīng)營(yíng)宗旨,，深受客戶好評(píng)。公司憑著雄厚的技術(shù)力量,、飽滿的工作態(tài)度,、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德,，樹(shù)立了良好的微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)形象，贏得了社會(huì)各界的信任和認(rèn)可,。