磁控直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料，不適于絕緣材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí),，表面的離子電荷無法中和,，這將導(dǎo)致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上,，兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小,，甚至不能電離，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止,，濺射停止,。故對(duì)于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁模氂蒙漕l濺射法（RF）,。濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞,，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子；某些靶材原子的動(dòng)能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢(shì)壘（對(duì)于金屬是5-10eV）,，從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來,，產(chǎn)生離位原子；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞,，產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián),；當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí)，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能（對(duì)于金屬是1-6eV）,，這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空,。磁控濺射法實(shí)現(xiàn)了高速、低溫,、低損傷,。海南非金屬磁控濺射設(shè)備

磁控濺射方法可用于制備多種材料,如金屬、半導(dǎo)體,、絕緣子等,。它具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制,、涂覆面積大,、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn).磁控濺射發(fā)展至今，除了上述一般濺射方法的優(yōu)點(diǎn)外,，還實(shí)現(xiàn)了高速,、低溫、低損傷,。磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用：1.各種功能薄膜：如具有吸收,、透射、反射,、折射,、偏振等功能.例如,，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率.2.微電子：可作為非熱鍍膜技術(shù)，主要用于化學(xué)氣相沉積(CVD).3.裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用：如各種全反射膜和半透明膜,；比如手機(jī)殼,、鼠標(biāo)等.廣東專業(yè)磁控濺射實(shí)驗(yàn)室磁控濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù),。

中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)已逐漸成為濺射鍍膜的主流技術(shù),。它優(yōu)于直流磁控濺射鍍膜，因?yàn)樗朔岁枠O的消失并削減或消除了靶材的異常電弧放電,。直流磁控濺射適用鍍膜設(shè)備,，適用于筆記本電腦，手機(jī)外殼,，電話,，無線通信，視聽電子,，遙控器,，導(dǎo)航和醫(yī)療工具等，全自動(dòng)控制,，配備大功率磁控管電源,，雙靶替換運(yùn)用，恒定流輸出,。獨(dú)特的工件架設(shè)計(jì)合理,，自傳性強(qiáng)，產(chǎn)量大,，成品率高,。膜層的厚度能夠通過石英晶體厚度計(jì)測(cè)量，并且能夠鍍覆準(zhǔn)確的膜厚度,。這兩種類型的磁控濺射鍍膜機(jī)在市場(chǎng)上被普遍運(yùn)用,。

磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用：1.一些不適合化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的材料可以通過磁控濺射沉積，這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜,。2.機(jī)械工業(yè)：如表面功能膜,、超硬膜、自潤(rùn)滑膜等.這些膜能有效提高表面硬度,、復(fù)合韌性,、耐磨性和高溫化學(xué)穩(wěn)定性，從而大幅度提高產(chǎn)品的使用壽命.3.光領(lǐng)域：閉場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜(如增透膜),、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃.特別是,，透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池,、微波和射頻屏蔽器件和器件,、傳感器等,。磁控濺射技術(shù)得以普遍的應(yīng)用,是由該技術(shù)有別于其它鍍膜方法的特點(diǎn)所決定的。

磁控濺射技術(shù)發(fā)展過程中各項(xiàng)技術(shù)的突破一般集中在等離子體的產(chǎn)生以及對(duì)等離子體進(jìn)行的控制等方面,。通過對(duì)電磁場(chǎng),、溫度場(chǎng)和空間不同種類粒子分布參數(shù)的控制,，使膜層質(zhì)量和屬性滿足各行業(yè)的要求,。膜厚均勻性與磁控濺射靶的工作狀態(tài)息息相關(guān)，如靶的刻蝕狀態(tài),，靶的電磁場(chǎng)設(shè)汁等,，因此，為保證膜厚均勻性,，國(guó)外的薄膜制備公司或鍍膜設(shè)備制造公司都有各自的關(guān)于鍍膜設(shè)備(包括中心部件“靶”)的整套設(shè)計(jì)方案,。同時(shí)，還有很多專門從事靶的分析,、設(shè)計(jì)和制造的公司,，并開發(fā)相關(guān)的應(yīng)用設(shè)計(jì)軟件，根據(jù)客戶的要求對(duì)設(shè)備進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),。國(guó)內(nèi)在鍍膜設(shè)備的分析及設(shè)計(jì)方面與國(guó)際先進(jìn)水平之間還存在較大差距,。在各種濺射鍍膜技術(shù)中，磁控濺射技術(shù)是較重要的技術(shù)之一,。深圳射頻磁控濺射特點(diǎn)

磁控直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,。海南非金屬磁控濺射設(shè)備

反應(yīng)磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn)，這是因?yàn)椋?1)反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧,、氮,、碳?xì)浠衔锏?純度很高，因而有利于制備高純度的化合物薄膜,。(2)通過調(diào)節(jié)反應(yīng)磁控濺射中的工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,，通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性。(3)反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板升溫較小,，而且制膜過程中通常也不要求對(duì)基板進(jìn)行高溫加熱,，因此對(duì)基板材料的限制較少。(4)反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn),。海南非金屬磁控濺射設(shè)備

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所辦公設(shè)施齊全，辦公環(huán)境優(yōu)越,，為員工打造良好的辦公環(huán)境,。在廣東省半導(dǎo)體所近多年發(fā)展歷史，公司旗下現(xiàn)有品牌芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工等,。公司不僅*提供專業(yè)的面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器件,、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性,、開放性、支撐性樞紐中心,。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍,。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持,。，同時(shí)還建立了完善的售后服務(wù)體系,，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù),。誠實(shí)、守信是對(duì)企業(yè)的經(jīng)營(yíng)要求,，也是我們做人的基本準(zhǔn)則,。公司致力于打造***的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。