光刻膠是光刻工藝的中心材料：光刻膠又稱(chēng)光致抗蝕劑,，它是指由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三種主要成分構(gòu)成的對(duì)光敏感的混合液體,。在紫外光,、電子束、離子束,、X 射線等輻射的作用下,，其感光樹(shù)脂的溶解度及親和性由于光固化反應(yīng)而發(fā)生變化，經(jīng)適當(dāng)溶劑處理,，溶去可溶部分可獲得所需圖像,。生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）,、光刻膠樹(shù)脂,、單體及其他助劑等。光刻膠作為光刻曝光的中心材料,，其分辨率是光刻膠實(shí)現(xiàn)器件的關(guān)鍵尺寸（如器件線寬）的衡量值,，光刻膠分辨率越高形成的圖形關(guān)鍵尺寸越小。對(duì)比度是指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過(guò)渡的陡度,，對(duì)比度越高,，形成圖形的側(cè)壁越陡峭,，圖形完成度更好。接觸式光刻機(jī)的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形,。數(shù)字光刻服務(wù)

光刻膠國(guó)產(chǎn)代替是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,；自從中美貿(mào)易摩擦依賴，中國(guó)大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”，是國(guó)產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)品,。光刻是半導(dǎo)制程的中心工藝，對(duì)制造出更先進(jìn),，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配。現(xiàn)在,，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程,。其中不同的光刻過(guò)程對(duì)于光刻膠也有不一樣的具體需求。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。數(shù)字光刻服務(wù)光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù),。

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現(xiàn)功能的中心,，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而***的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ)。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶是半導(dǎo)體制造商,，不同的客戶會(huì)有不同的應(yīng)用需求,，同一個(gè)客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程,，由于基板不同,、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等,，不同的光刻過(guò)程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣,，即使類(lèi)似的光刻過(guò)程，不同的廠商也會(huì)有不同的要求,。針對(duì)以上不同的應(yīng)用需求,，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方來(lái)實(shí)現(xiàn),。

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝,。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開(kāi)孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù),。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干,、涂底,、旋涂光刻膠、軟烘,、對(duì)準(zhǔn)曝光,、后烘、顯影,、硬烘,、刻蝕、檢測(cè)等工序,。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘,，氮?dú)獗Ｗo(hù)）目的：a、除去表面的污染物（顆粒,、有機(jī)物,、工藝殘余、可動(dòng)離子）,；b,、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉?，增?qiáng)表面的黏附性（對(duì)光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響,。

敏感度決定了光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的較小能量值,。抗蝕性決定了光刻膠作為覆蓋物在后續(xù)刻蝕或離子注入工藝中,，不被刻蝕或抗擊離子轟擊,，從而保護(hù)被覆蓋的襯底。光刻膠依據(jù)不同的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行分類(lèi)：按照化學(xué)反應(yīng)和顯影的原理,，光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠,。如果顯影時(shí)未曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相反,，稱(chēng)為負(fù)性光刻膠,；如果顯影時(shí)曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相同,，稱(chēng)為正性光刻膠,。根據(jù)感光樹(shù)脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)來(lái)分類(lèi)，光刻膠可以分為光聚合型,、光分解型和光交聯(lián)型三種類(lèi)別,。在完成圖形的曝光后，用激光曝光硅片邊緣,，然后在顯影或特殊溶劑中溶解,。數(shù)字光刻服務(wù)

光刻機(jī)又被稱(chēng)為：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等,。數(shù)字光刻服務(wù)

根據(jù)曝光方式的不同,，光刻機(jī)主要分為接觸式，接近式以及投影式三種,。接觸式光刻機(jī),，曝光時(shí)，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上,，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單,，分辨率高，沒(méi)有衍射效應(yīng),，缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸,，每次接觸都會(huì)在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷，降低光刻版使用壽命,，成品率低,。接近式光刻機(jī)，光刻版與光刻膠有一個(gè)很小的縫隙,，因?yàn)楣饪贪媾c襯底沒(méi)有接觸,，缺陷減少，優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸,，缺陷少,，缺點(diǎn)是分辨率低，存在衍射效應(yīng),。投影式曝光,，一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對(duì)準(zhǔn)后曝光,，每次曝光一小部分,，曝完一個(gè)圖形后，硅片移動(dòng)到下一個(gè)曝光位置繼續(xù)對(duì)準(zhǔn)曝光,，這種曝光方式分辨率比較高,，但不產(chǎn)生缺陷。數(shù)字光刻服務(wù)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件,，是一家服務(wù)型的公司,。公司業(yè)務(wù)分為微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等，目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn),，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù),。公司從事電子元器件多年,，有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù),，還有一批**的專(zhuān)業(yè)化的隊(duì)伍,，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。在社會(huì)各界的鼎力支持下,，持續(xù)創(chuàng)新,，不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn)，為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持,。