通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題,，不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力,，在多層膜結構中可能同時存在多種形式的應力,。薄膜應力的起源是薄膜生長過程中的某種結構不完整性(雜質,、空位,、晶粒邊界,、錯位等),、表面能態(tài)的存在,、薄膜與基底界面間的晶格錯配等.對于薄膜應力主要有以下原因：1.薄膜生長初始階段,，薄膜面和界面的表面張力的共同作用；2.沉積過程中膜面溫度遠高于襯底溫度產(chǎn)生熱應變,；3.薄膜和襯底間點陣錯配而產(chǎn)生界面應力,；4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產(chǎn)生壓應力；5.斜入射造成各向異性成核,、生長,；6.薄膜內(nèi)產(chǎn)生相變或化學組分改變導致原子體積變化 真空鍍膜中離子鍍簡化可以大量的鍍前清洗工作,。天津光電器件真空鍍膜平臺

真空鍍膜的方法：化學氣相沉積：化學氣相沉積是一種化學生長方法,簡稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術。這種方法是把含有構成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質氣體供給基片,利用加熱,、等離子體,、紫外光乃至激光等能源,借助氣相作用或在基片表面的化學反應(熱分解或化學合成)生成要求的薄膜。真空鍍鈦的CVD法中Z常用的就是等離子體化學氣相沉積(PCVD),。利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的反應氣體,氣體經(jīng)一系列化學反應和等離子體反應,在樣品表面形成固態(tài)薄膜,。中山功率器件真空鍍膜工藝真空鍍膜中制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理的氣相沉積方法。

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：在射頻電壓下,利用電子和離子運動特征的不同,在靶表面感應出負的直流脈沖,從而產(chǎn)生濺射的射頻濺射,。這種技術Z早由1965年IBM公司研制,對絕緣體也可以濺射鍍膜。為了在更高的真空范圍內(nèi)提高濺射沉積速率,不是利用導入是氬氣,而是通過部分被濺射的原子(如Cu)自身變成離子,對靶產(chǎn)生濺射實現(xiàn)鍍膜的自濺射鍍膜技術,。在高真空下,利用離子源發(fā)出的離子束對靶濺射,實現(xiàn)薄膜沉積的離子束濺射,。其中由二極濺射發(fā)展而來的磁控濺射技術,解決了二極濺射鍍膜速度比蒸鍍慢得多、等離子體的離化率低和基片的熱效應等明顯問題,。磁控濺射是現(xiàn)在用于鈦膜材料的制備Z為普遍的一種真空等離子體技術,實現(xiàn)了在低溫,、低損傷的條件下高速沉積。自2001年以來,廣大的科技研究者致力于這方面的研究,成果顯著,。

真空鍍膜技術一般分為兩大類,，即物理的氣相沉積（PVD）技術和化學氣相沉積（CVD）技術。物理的氣相沉積技術是指在真空條件下,，利用各種物理方法,，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,，直接沉積到基體表面上的方法,。制備硬質反應膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程,，如物質的熱蒸發(fā),，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現(xiàn)象，實現(xiàn)物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程,。物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好,、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好,、應用的靶材普遍,、濺射范圍寬、可沉積厚膜,、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復性好等優(yōu)點,。只要鍍上一層真空鍍膜，就能使材料具有許多新的,、良好的物理和化學性能,。

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：活性反應蒸鍍法(ABE),。利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣,、氮氣,、乙炔等反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小,，要對基板加熱,，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁,、氮化鈦(TiN),、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機械制品,、電子器件,、裝飾品?？招年帢O離子鍍(HCD),。利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體,、反應氣體離化,。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱,，離化率高,，電子束斑較大，能鍍金屬膜,、介質膜,、化合物膜；可用于鍍裝飾鍍層,、機械制品,。真空鍍膜機真空壓鑄工藝采用鈦合金單獨裝料，感應殼式熔煉,。甘肅貴金屬真空鍍膜多少錢

真空鍍膜被稱為可以在任何基板上沉積任何材料的薄膜技術,。天津光電器件真空鍍膜平臺

常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理法氣相沉積（PVD）,，PVD的方法有磁控濺射鍍膜,、電子束蒸發(fā)鍍膜、熱阻蒸發(fā)等,。另一種是化學法氣相沉積（CVD）,，主要有常壓CVD、LPCVD（低壓沉積法）、PECVD（等離子體增強沉積法）等方法,。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學清洗（材料進行有機清洗和無機清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應氣體）,。天津光電器件真空鍍膜平臺

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