影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例,，反應(yīng)氣體過量就會(huì)導(dǎo)致靶中毒,。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,，化合物覆蓋面積增加,。在一定功率的情況下,，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加,。如果反應(yīng)氣體量增加過度,，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時(shí)調(diào)整反應(yīng)氣體流量,，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制,，濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋，當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時(shí)候,，靶完全中毒,，不能繼續(xù)濺射在真空中把金屬,、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射，使其在被涂覆的物體上凝固并沉積的方法,，稱為真空鍍膜,。湖北低壓氣相沉積真空鍍膜加工平臺(tái)

在二極濺射中增加一個(gè)平行于靶表面的封閉磁場，借助于靶表面上形成的正交電磁場,，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域來增強(qiáng)電離效率,，增加離子密度和能量，從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射的過程,。隨著碰撞次數(shù)的增加,，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面,，并在電場E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低,，傳遞給基片的能量很小,，致使基片溫升較低。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程,。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程,，和靶原子碰撞，把部分動(dòng)量傳給靶原子,，此靶原子又和其他靶原子碰撞,，形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量,，離開靶被濺射出來,。重慶共濺射真空鍍膜加工廠PECVD主要由工藝管及加熱爐、推舟系統(tǒng),、氣路系統(tǒng),、電氣系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng),、真空系統(tǒng)6大部分組成,。

原子層沉積過程由A、B兩個(gè)半反應(yīng)分四個(gè)基元步驟進(jìn)行：1）前驅(qū)體A脈沖吸附反應(yīng),；2）惰氣吹掃多余的反應(yīng)物及副產(chǎn)物,；3）前驅(qū)體B脈沖吸附反應(yīng)；4）惰氣吹掃多余的反應(yīng)物及副產(chǎn)物,，然后依次循環(huán)從而實(shí)現(xiàn)薄膜在襯底表面逐層生長,。基于原子層沉積的原理,，利用原子層沉積制備高質(zhì)量薄膜材料,，三大要素必不可少：1）前驅(qū)體需滿足良好的揮發(fā)性,、足夠的反應(yīng)活性以及一定熱穩(wěn)定性，前驅(qū)體不能對薄膜或襯底具有腐蝕或溶解作用,；2）前驅(qū)體脈沖時(shí)間需保證單層飽和吸附,；3）沉積溫度應(yīng)保持在ALD窗口內(nèi)，以避免因前驅(qū)體冷凝或熱分解等引發(fā)CVD生長從而使得薄膜不均勻,。

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn)：1.均勻性和重復(fù)性好,，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜,，對基底要求比較低3.臺(tái)階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制,，生長方法階段 5.應(yīng)用范圍廣，設(shè)備簡單,，易于產(chǎn)業(yè)化,。評價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜,，腐蝕速率越慢,，薄膜質(zhì)量越致密，反之,，腐蝕速率越快,，薄膜質(zhì)量越差。另外,，沉積速率的快慢也會(huì)影響到薄膜的質(zhì)量,，沉積速率過快，會(huì)導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過快,，說明薄膜質(zhì)量比較差,。評價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量，較簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜,。

真空鍍膜：技術(shù)原理：PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理的氣相沉積,，分為：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜,。我們通常所說的PVD鍍膜,，指的就是真空離子鍍膜和真空濺射鍍；通常說的NCVM鍍膜,，就是指真空蒸發(fā)鍍膜,。真空蒸鍍基本原理：在真空條件下，使金屬,、金屬合金等蒸發(fā),，然后沉積在基體表面上，蒸發(fā)的方法常用電阻加熱，電子束轟擊鍍料,，使蒸發(fā)成氣相,，然后沉積在基體表面，歷史上,，真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術(shù),。真空鍍膜機(jī)鍍鋁層導(dǎo)電性能好，能消除靜電效應(yīng),。湖北低壓氣相沉積真空鍍膜加工平臺(tái)

真空濺鍍的鍍層可通過調(diào)節(jié)電流大小和時(shí)間來壘加,，但不能太厚，一般厚度在0.2~2um,。湖北低壓氣相沉積真空鍍膜加工平臺(tái)

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種輔助鍍膜方法,。當(dāng)膜料蒸發(fā)時(shí)，淀積分子在基板表面不斷受到來自離子源的荷能離子的轟擊,，通過動(dòng)量轉(zhuǎn)移,，使淀積粒子獲得較大動(dòng)能，提高了淀積粒子的遷移率,，從而使膜層聚集密度增加,，使得薄膜生長發(fā)生了根本變化，使薄膜性能得到了改善,。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源,?；魻栯x子源是近年發(fā)展起來的一種低能離子源。這種源沒有柵極,，陰極在陽極上方發(fā)出熱電子,，在磁場作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率，從而提高了電離效率,。正離子因陰極與陽極間的電位差而被引出,。離子能量一般很低（50-150eV），但離子流密度較高,，發(fā)散角大,，維護(hù)容易。湖北低壓氣相沉積真空鍍膜加工平臺(tái)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長興路363號,，是一家專業(yè)的面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器件、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性、開放性,、支撐性樞紐中心,。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍,。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持,。公司。致力于創(chuàng)造***的產(chǎn)品與服務(wù),，以誠信,、敬業(yè)、進(jìn)取為宗旨,，以建芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工產(chǎn)品為目標(biāo),，努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè)。公司堅(jiān)持以客戶為中心,、面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器件、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性、開放性,、支撐性樞紐中心,。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),，面向國內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢,、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。市場為導(dǎo)向,，重信譽(yù),，保質(zhì)量，想客戶之所想，急用戶之所急,，全力以赴滿足客戶的一切需要,。廣東省半導(dǎo)體所始終以質(zhì)量為發(fā)展，把顧客的滿意作為公司發(fā)展的動(dòng)力,，致力于為顧客帶來***的微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù),。