真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：電子束蒸發(fā)源利用燈絲發(fā)射的熱電子,經(jīng)加速陽(yáng)極加速,獲得動(dòng)能轟擊處于陽(yáng)極的蒸發(fā)材料,是蒸發(fā)材料加熱氣化,實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。這種技術(shù)相對(duì)于蒸發(fā)鍍膜,可以制作高熔點(diǎn)和高純的薄膜,是高真空鍍鈦膜技術(shù)中是一種新穎的蒸鍍材料的熱源,。高頻感應(yīng)蒸發(fā)源是利用蒸發(fā)材料在高頻電磁場(chǎng)的感應(yīng)下產(chǎn)生強(qiáng)大的渦流損失和磁滯損失,從而將鍍料金屬蒸發(fā)的蒸鍍技術(shù),。這種技術(shù)比電子束蒸發(fā)源蒸發(fā)速率更大,且蒸發(fā)源的溫度均勻穩(wěn)定。真空鍍膜中濺射鍍膜有很多種方式,。佛山叉指電極真空鍍膜外協(xié)

真空鍍膜的方法：化學(xué)氣相沉積：化學(xué)氣相沉積是一種化學(xué)生長(zhǎng)方法,簡(jiǎn)稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術(shù),。這種方法是把含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質(zhì)氣體供給基片,利用加熱、等離子體,、紫外光乃至激光等能源,借助氣相作用或在基片表面的化學(xué)反應(yīng)(熱分解或化學(xué)合成)生成要求的薄膜,。真空鍍鈦的CVD法中Z常用的就是等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)。利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體,氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜,。佛山叉指電極真空鍍膜外協(xié)真空鍍膜機(jī)硬化膜沉積技術(shù)目前較成熟的是cvd,、pvd。

PECVD一般用到的氣體有硅烷,、笑氣,、氨氣等其他。這些氣體通過氣管進(jìn)入在反應(yīng)腔體,，在射頻源的左右下,，氣體被電離成活性基團(tuán)?；钚曰鶊F(tuán)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),，在低溫（300攝氏度左右）生長(zhǎng)氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半導(dǎo)體器件的絕緣層,，可有效的進(jìn)行絕緣,。PECVD生長(zhǎng)氧化硅薄膜是一個(gè)比較復(fù)雜的過程，薄膜的沉積速率主要受到反應(yīng)氣體比例,、RF功率,、反應(yīng)室壓力、基片生長(zhǎng)溫度等,。在一定范圍內(nèi),，提高硅烷與笑氣的比例，可提供氧化硅的沉積速率,。在RF功率較低的時(shí)候,，提升RF功率可提升薄膜的沉積速率，當(dāng)RF增加到一定值后,，沉積速率隨RF增大而減少,，然后趨于飽和,。在一定的氣體總量條件下，沉積速率隨腔體壓力增大而增大,。PECVD在低溫范圍內(nèi)（200-350℃）,，沉積速率會(huì)隨著基片溫度的升高而略微下降，但不是太明顯,。

PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法）工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激發(fā)的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)，以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,，可以在器件當(dāng)中作為鈍化絕緣層,，來提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的氣體為硅烷和笑氣,，氮化硅薄膜主要用到的氣體為氨氣和硅烷,。采用PECVD鍍膜對(duì)器件有一定的要求，因?yàn)楣に嚋囟缺容^高,，所以器件需要耐高溫,，高溫烘烤下不能變形。使用等離子體增強(qiáng)氣相沉積法（PECVD）可在低溫（200-350℃）沉積出良好的氧化硅薄膜,。

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種輔助鍍膜方法,。當(dāng)膜料蒸發(fā)時(shí)，淀積分子在基板表面不斷受到來自離子源的荷能離子的轟擊,，通過動(dòng)量轉(zhuǎn)移,，使淀積粒子獲得較大動(dòng)能，提高了淀積粒子的遷移率,，從而使膜層聚集密度增加,，使得薄膜生長(zhǎng)發(fā)生了根本變化，使薄膜性能得到了改善,。常用的離子源有克夫曼離子源,、霍爾離子源?；魻栯x子源是近年發(fā)展起來的一種低能離子源,。這種源沒有柵極，陰極在陽(yáng)極上方發(fā)出熱電子,，在磁場(chǎng)作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率,，從而提高了電離效率。正離子因陰極與陽(yáng)極間的電位差而被引出,。離子能量一般很低（50-150eV）,，但離子流密度較高，發(fā)散角大，維護(hù)容易,。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):具有優(yōu)良的耐折性和良好的韌性,，比較少出現(xiàn)小孔和裂口。佛山叉指電極真空鍍膜外協(xié)

電子束蒸發(fā)：將蒸發(fā)材料置于水冷坩堝中,，利用電子束直接加熱使蒸發(fā)材料汽化并在襯底上凝結(jié)形成薄膜。佛山叉指電極真空鍍膜外協(xié)

電子束蒸發(fā)是目前真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法,，它解決了電阻加熱方式中鎢舟材料與蒸鍍?cè)床牧现苯咏佑|容易互混的問題,。同時(shí)在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個(gè)坩堝，實(shí)現(xiàn)同時(shí)或分別蒸發(fā),，沉積多種不同的物質(zhì),。通過電子束蒸發(fā)，任何材料都可以被蒸發(fā),，不同材料需要采用不同類型的坩堝以獲得所要達(dá)到的蒸發(fā)速率,。在高真空下，電子燈絲加熱后發(fā)射熱電子,，被加速陽(yáng)極加速,，獲得很大的動(dòng)能轟擊到的蒸發(fā)材料上，把動(dòng)能轉(zhuǎn)化成熱使蒸發(fā)材料加熱氣化,，而實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜,。電子束蒸發(fā)源由發(fā)射電子的熱陰極、電子加速極和作為陽(yáng)極的鍍膜材料組成,。電子束蒸發(fā)源的能量可高度集中,，使鍍膜材料局部達(dá)到高溫而蒸發(fā)。通過調(diào)節(jié)電子束的功率,，可以方便的控制鍍膜材料的蒸發(fā)速率,，特別是有利于高熔點(diǎn)以及高純金屬和化合物材料。佛山叉指電極真空鍍膜外協(xié)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所坐落在長(zhǎng)興路363號(hào),，是一家專業(yè)的面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器件、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性、開放性,、支撐性樞紐中心,。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),，面向國(guó)內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持,。公司。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì),，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ),，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。公司以誠(chéng)信為本,，業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù),，我們本著對(duì)客戶負(fù)責(zé)，對(duì)員工負(fù)責(zé),，更是對(duì)公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度,，爭(zhēng)取做到讓每位客戶滿意。公司憑著雄厚的技術(shù)力量,、飽滿的工作態(tài)度,、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德,，樹立了良好的微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)形象,，贏得了社會(huì)各界的信任和認(rèn)可。