二氧化硅的干法刻蝕：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進(jìn)行刻蝕,。使用的氣體有四氟化碳(CF),、八氟丙烷(C，F(xiàn)8),、三氟甲烷(CHF3)等,，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對(duì)多晶硅的選擇比不好，CHF3的聚合物生產(chǎn)速率較高,，非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學(xué)穩(wěn)定性較高,，且其化學(xué)鍵比SiF的化學(xué)鍵強(qiáng),，不會(huì)與硅或硅的氧化物反應(yīng)。選擇比的改變?cè)诋?dāng)今半導(dǎo)體工藝中,，Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面,。前者在S102下方的材料是Si，后者則是金屬層,，通常是TiN（氮化鈦），因此在Si02的刻蝕中,，Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個(gè)比較重要的因素,。刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕,。被刻蝕材料主要包括介質(zhì),，安徽氮化硅材料刻蝕外協(xié)、硅和金屬等,。珠海氮化硅材料刻蝕平臺(tái)

在微細(xì)加工中,，刻蝕和清洗處理過(guò)程包括許多內(nèi)容。對(duì)于適當(dāng)取向的半導(dǎo)體薄片的鋸痕首先要機(jī)械拋光,，以除去全部的機(jī)械損傷,，之后進(jìn)行化學(xué)刻蝕和拋光，以獲得無(wú)損傷的光學(xué)平面,。這種工藝往往能去除以微米級(jí)計(jì)算的材料表層,。對(duì)薄片進(jìn)行化學(xué)清洗和洗滌，可以除去因操作和貯存而產(chǎn)生的污染,，然后用熱處理的方法生長(zhǎng)Si0(對(duì)于硅基集成電路),，或者沉積氮化硅(對(duì)于砷化鎵電路)，以形成初始保護(hù)層,?？涛g過(guò)程和圖案的形成相配合。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。半導(dǎo)體材料刻蝕加工廠(chǎng)等離子體刻蝕機(jī)要求相同的元素：化學(xué)刻蝕劑和能量源,。珠海氮化硅材料刻蝕平臺(tái)綜合型干刻蝕法綜合離子濺射與表面反應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)，使刻蝕具有較好的選擇比和線(xiàn)寬控制,。

廣東省半導(dǎo)體所作為面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器件、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性、開(kāi)放性,、支撐性樞紐中心,。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線(xiàn)和一條中試線(xiàn)，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專(zhuān)業(yè)人才隊(duì)伍,。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享,，為技術(shù)咨詢(xún)、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持,。的企業(yè)之一，為客戶(hù)提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù),。廣東省半導(dǎo)體所不斷開(kāi)拓創(chuàng)新,，追求出色，以技術(shù)為先導(dǎo),，以產(chǎn)品為平臺(tái),，以應(yīng)用為重點(diǎn)，以服務(wù)為保證,，不斷為客戶(hù)創(chuàng)造更高價(jià)值,，提供更優(yōu)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所創(chuàng)始人陳志濤,，始終關(guān)注客戶(hù),，創(chuàng)新科技，竭誠(chéng)為客戶(hù)提供良好的服務(wù),。

在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕,。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過(guò)光刻膠中開(kāi)出的窗口,，與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)（或這兩種反應(yīng)）,，從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法,。而在濕法腐蝕中,，液體化學(xué)試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學(xué)方式去除硅片表面的材料。濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下（大于3微米）。濕法腐蝕仍然用來(lái)腐蝕硅片上某些層或用來(lái)去除干法刻蝕后的殘留物,。濕法刻蝕特點(diǎn)是：濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著普遍應(yīng)用：磨片,、拋光,、清洗,、腐蝕。等離子體刻蝕機(jī)就要求相同的元素：化學(xué)刻蝕劑和能量源,。

刻蝕工藝：把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去,，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過(guò)程中,，經(jīng)過(guò)掩模套準(zhǔn),、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形,，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形,，然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜（如氧化硅、氮化硅,、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案,?？涛g就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法,，有選擇地把沒(méi)有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去,，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形?？涛g技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕,。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕；濕法刻蝕主要是利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕,。理想情況下,，晶圓所有點(diǎn)的刻蝕速率都一致。黑龍江氮化硅材料刻蝕外協(xié)

干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)：細(xì)線(xiàn)條操作安全,，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,，無(wú)化學(xué)廢液，處理過(guò)程未引入污染,，潔凈度高,。珠海氮化硅材料刻蝕平臺(tái)

理想情況下，晶圓所有點(diǎn)的刻蝕速率都一致（均勻）,。晶圓不同點(diǎn)刻蝕速率不同的情況稱(chēng)為非均勻性（或者稱(chēng)為微負(fù)載）,，通常以百分比表示。減少非均勻性和微負(fù)載是刻蝕的重要目標(biāo),。應(yīng)用材料公司一直以來(lái)不斷開(kāi)發(fā)具有成本效益的創(chuàng)新解決方案,，來(lái)應(yīng)對(duì)不斷變化的蝕刻難題。這些難題可能源自于器件尺寸的不斷縮??；所用材料的變化（例如高k薄膜或多孔較低k介電薄膜）,；器件架構(gòu)多樣化（例如FinFET和三維NAND晶體管）；以及新的封裝方式（例如硅穿孔（TSV）技術(shù)）,。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：細(xì)線(xiàn)條操作安全,，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，無(wú)化學(xué)廢液,，處理過(guò)程未引入污染,，潔凈度高。珠海氮化硅材料刻蝕平臺(tái)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家服務(wù)型類(lèi)企業(yè),，積極探索行業(yè)發(fā)展,，努力實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新。是一家****企業(yè),，隨著市場(chǎng)的發(fā)展和生產(chǎn)的需求,，與多家企業(yè)合作研究，在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過(guò)不斷改進(jìn),，追求新型,，在強(qiáng)化內(nèi)部管理，完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時(shí),，良好的質(zhì)量,、合理的價(jià)格、完善的服務(wù),，在業(yè)界受到寬泛好評(píng),。公司始終堅(jiān)持客戶(hù)需求優(yōu)先的原則，致力于提供高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù),。廣東省半導(dǎo)體所以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念,，打造高指標(biāo)的服務(wù)，引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展,。